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Search results

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1

GaN およびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測

石井, 良太 25 March 2013 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17574号 / 工博第3733号 / 新制||工||1569(附属図書館) / 30340 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 野田 進, 准教授 須田 淳 / 学位規則第4条第1項該当
窒化物半導体
励起子
変形ポテンシャル
GaN
AlN
500
2

照明用LEDの現状と将来展望

天野, 浩 01 November 2010 (has links)
No description available.
性能･価格
蛍光体
青色LED
III族窒化物半導体
3

緑色レーザのための半極性GaN系歪多層構造の設計と作製

西中, 淳一 24 March 2014 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18287号 / 工博第3879号 / 新制||工||1595(附属図書館) / 31145 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 野田 進, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
窒化物半導体
半極性面
有機金属気相成長
臨界膜厚
緑色レーザ
500

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