O principal objetivo deste trabalho é usar a explosão coulombiana do feixe de H+2 , para determinar o tempo de trânsito de fragmentos que atravessam filmes amorfos e consequente extrair a espessura e densidade do filme analisado. Neste trabalho é demonstrado a aplicabilidade desta técnica (chamada Perfilometria de Coulomb) para feixes moleculares de baixa energia. Neste caso efeitos de neutralização e espalhamento múltiplo devem ser considerados. Também é demonstrado o papel das forças de arrasto para todas as energias. Para este objetivo, foram utilizados feixes moleculares de H+2 de 50 - 200keV/u incidindo sobre filmes de TiO2 (10nm) e Al2O3 (3,4 nm) e medimos a energia dos fragmentos retroespalhados (H+) com uma técnica de alta resolução em energia, MEIS (Espalhamento de Íons de Energia Média). O efeito de neutralização no feixe, ao longo do caminho de entrada, foi claramente observado à baixas energias. Todos estes efeitos foram implementados em um programa Monte-Carlo, utilizado para gerar os valores da dispersão da perda de energia, causada pela repulsão entre os íons. Os resultados foram compatíveis aos obtidos por medidas de TEM. Também foram realizadas medidas para quantificar o efeito que a proximidade entre os componentes dos feixes H+2 , H+3 e HeH+ tem no poder de freamento (do fragmento H+). Estas medidas foram realizadas com o objetivo de obter a assinatura de excitação de plasmons, recentemente observada em um filme de SiO2. Para este objetivo, a técnica de MEIS foi usada para medir a razão entre a perda de energia do feixe molecular e a soma da perda de energia de seus constituintes, para um intervalo de energia entre 50 e 200 keV/u. / The main aim of this work is to use the Coulomb explosion of small cluster beams to measure the dwell time of fragments traversing amorphous films. It has been demonstrated that, the thickness of thin films can be obtained with the so-called Coulomb depth profiling technique using relatively high energies clusters where the fragments are fully ionized after breakup. Here we demonstrate the applicability of Coulomb depth pro ling technique at lower cluster energies, where neutralization comes into play. The importance of wake forces is also discussed in this work. To that end, we used 50-175 keV/u H+2 molecular ions impinging on a 10nm TiO2 and on a 4nm Al2O3 lms and measured the energy of the backscattered H+ fragments with a high energy resolution using MEIS techinique. The e ect of the neutralization of the H+ fragments along the incoming trajectory before the backscattering collision is clearly observed at lower energies through the decrease of the energy broadening due to the Coulomb explosion. The reduced values of the Coulomb explosion combined with full Monte-Carlo simulations provide compatible results with those obtained at higher cluster energies where neutralization is less important. The results are corroborated by Transmission Electron Microscopy (TEM) measurements. We have also performed meassurements of vicinage e ect on the stopping power, which arises when H+2 , H+3 e HeH+ cluster ions interact with both films and in order to understand the transition of negative and positive interferences found recently by Shubeita et al in SiO2. For this purpose, MEIS was used to measure the ratio, Rn, between the energy loss of the cluster and the sum of the energy loss of its constituents, at energy range between 50 and 200 keV per nucleon. We have also observed a steep increase around 90 keV for both cluster ions and films, which is associated with the plasmon excitation threshold.

ANDRADE, Gabriel Aguiar de. O suporte videográfico entre os índios Tapeba: produção e afirmação de identidade étnica. 2012. 141f. – Dissertação (Mestrado) – Universidade Federal do Ceará, Programa de Pós-graduação em Sociologia, Fortaleza (CE), 2012. / Submitted by Márcia Araújo (marcia_m_bezerra@yahoo.com.br) on 2013-10-25T11:58:46Z No. of bitstreams: 1 2012-DIS-GAANDRADE.pdf: 2068910 bytes, checksum: 9eafa8f00c3a013915af7b9098e3fe6c (MD5) / Approved for entry into archive by Márcia Araújo(marcia_m_bezerra@yahoo.com.br) on 2013-10-25T12:18:28Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2012-DIS-GAANDRADE.pdf: 2068910 bytes, checksum: 9eafa8f00c3a013915af7b9098e3fe6c (MD5) / Made available in DSpace on 2013-10-25T12:18:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2012-DIS-GAANDRADE.pdf: 2068910 bytes, checksum: 9eafa8f00c3a013915af7b9098e3fe6c (MD5) Previous issue date: 2012 / With the advent of video cameras in the mid-70s, the fields of communication and social sciences witnessed the birth of a technological tool that changed a number of theoretical and methodological procedures within the academy. In possession of equipment lighter and easier to handle some anthropologists began to use video cameras and / or portable audio recorders in his ethnographic research. Similarly, documentary filmmakers and ethnographic techniques employed in the process of making their films, especially those that occurred in indigenous communities or isolated populations. In this dissertation we analyze two videos from the point of view the use of videographic support as an instrument of ethnic affirmation and production of an indigenous identity Tapeba, constructive actions observed in memory of identity that develop in and from those audiovisual narratives, and through strong presence of orality. Since the beginning of the 80s, a period of intensified manifestations in Ceará indigenous and other Northeastern states, several audiovisual (photographs and documentaries) took part in a kind of strategy use and dissemination of indigenous interests. / Com o advento das câmeras de vídeo, em meados da década de 70, os campos da comunicação e das ciências sociais presenciaram o nascimento de um instrumento tecnológico que alterou uma série de procedimentos teórico-metodológicos dentro da academia. Em posse de equipamentos leves e fáceis de manusear alguns antropólogos começaram a utilizar câmeras de vídeo e/ou gravadores portáteis de áudio em suas pesquisas etnográficas. Do mesmo modo, documentaristas e cineastas empregaram técnicas etnográficas no processo de realização de seus filmes, notadamente os que se davam em comunidades indígenas ou populações isoladas. Na presente dissertação analisamos dois vídeos sob o ponto de vista da utilização do suporte videográfico como instrumento de afirmação étnica e produção de uma identidade indígena Tapeba, verificadas nas ações construtivas de memória identitária que se desenvolvem dentro e a partir dessas narrativas audiovisuais, bem como através da forte presença da oralidade. Desde o início da década de 80, período que em intensificaram-se as manifestações indígenas no Ceará e em outros estados do Nordeste, várias produções audiovisuais (fotografias e documentários) fizeram parte de uma espécie de estratégia para valorização e difusão dos interesses indígenas.

SOUSA, Emerson da Cunha de. Das performatividades: eu, Antônio e as pornografias. 2014. 105f. – Dissertação (Mestrado) – Universidade Federal do Ceará, Programa de Pós-graduação em Comunicação Social, Fortaleza (CE), 2014. / Submitted by Márcia Araújo (marcia_m_bezerra@yahoo.com.br) on 2014-11-11T12:16:57Z No. of bitstreams: 1 2014_dis_ecsousa.pdf: 1631386 bytes, checksum: 01f240e6ed3a921226bbc67853a2bb4d (MD5) / Approved for entry into archive by Márcia Araújo(marcia_m_bezerra@yahoo.com.br) on 2014-11-11T12:40:56Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_dis_ecsousa.pdf: 1631386 bytes, checksum: 01f240e6ed3a921226bbc67853a2bb4d (MD5) / Made available in DSpace on 2014-11-11T12:40:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_dis_ecsousa.pdf: 1631386 bytes, checksum: 01f240e6ed3a921226bbc67853a2bb4d (MD5) Previous issue date: 2014 / A presente dissertação tem por interesse principal as pornografias contemporâneas, ou as novas pornografias, ou ainda: as pornografias realizadas recentemente e, em geral, divulgadas por meio da Internet e em festivais específicos. Para tal, ela toma, como objeto de análise, os primeiros trabalhos do português Antonio Da Silva – realizador radicado em Londres –, produzidos entre os anos de 2011 e 2013, e que se expressam em pornografia junto a demais linguagens fílmicas e discursivas. Esta análise toma singularmente os trabalhos de Antonio para pensar, de modo mais geral, como as atuais produções em pornografia se apropriam de outras formas de falar do sexo, da sexualidade e da própria pornografia. Ao mesmo tempo, encarando, como fundamental a presença do corpo do pesquisador como espectador de sua constituição. Nesse sentido, traz como metodologia a escrita performativa, que permite o uso em primeira pessoa, e a utilização de modos de escrever e de falar do tema além do escrever e do falar acadêmicos. Esta análise tem, por base teórica, a vinculação da imagem pornográfica à noção de performatividade, com base nos trabalhos de J. L. Austin (1990), Jacques Derrida (1991) e Judith Butler (1988, 1997). Sobre a pornografia que se discute, o trabalho toma autores como Feona Attwood (2007, 2011), Nuno César Abreu (1996), Linda Williams (1989, 1991, 2004, 2014) e Katrien Jacobs (2004), dentre outros. Juntam-se, ao texto acadêmico e dissertativo, confissões, memórias e poemetos, que vão compondo a análise performativa dos trabalhos de Antonio, com base na escrita performativa, teorizada e apontada, aqui, por Alexandre Beigui (2011). Ao fim das contas, o principal interesse é interpretar o que é o pornográfico, tanto do ponto de vista da linguagem como do espectador, e, por isso, é trazida à tona a noção de performatividade, ajudando-nos, escritor e leitor, a pensar sobre uma possível performatividade pornográfica no lugar de uma pornografia como algo dado e identificado a princípio.

NEVES, Wellington de Queiroz. Caracterização ótica e estrutural de filmes de CdS depositados por banho químico. 2013. 79 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2013. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-10-23T18:58:00Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_wqneves.pdf: 2637234 bytes, checksum: abe116493230fe2c301fd4d61f25b006 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-10-23T19:37:34Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_dis_wqneves.pdf: 2637234 bytes, checksum: abe116493230fe2c301fd4d61f25b006 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-10-23T19:37:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2013_dis_wqneves.pdf: 2637234 bytes, checksum: abe116493230fe2c301fd4d61f25b006 (MD5) Previous issue date: 2013 / Neste trabalho estudamos as propriedades óticas de filmes de sulfeto de cádmio (CdS) crescidos sobre um substrato de vidro. Os filmes foram obtidos por meio da técnica de deposição por banho químico (Chemical Bath Deposition, CBD). Os filmes de CdS são preparados numa solução aquosa, sob agitação, a uma temperatura de 80 oC durante 60 minutos sobre substrato de vidro. Alguns dos filmes foram obtidos com duplo depósito em dois banhos sucessivos iguais. Como fonte de íons de cádmio é usado sulfato de cádmio (CdSO4,) como fonte de íons de enxofre é usado a tioureia, como tampão é usado cloreto de amônia, e como agente complexante o Ethylenediamine tetra acetic acid (Edta) em várias concentrações. Após o crescimento, os filmes foram submetidos a um tratamento térmico no ar nas temperaturas de 300 ou 400 oC por uma hora. Foram realizadas medidas experimentais usando a técnicas de difração de raios-X, fototransmissão ótica UV-VIS e espectroscopia Raman. Os filmes de CdS obtidos possuem estrutura cúbica e são de coloração amarelada, homogêneos e muito aderentes ao substrato de vidro. São analisados os efeitos da concentração de Edta, tratamento térmico no ar, tempo de deposição e temperatura de crescimento dos filmes de CdS. Nossos resultados mostram que, sob as condições estudadas, os filmes de CdS não possuem fase hexagonal em sua estrutura. O gap dos filmes de CdS está em torno de 2,45 eV, com pequenas variações (2,40 – 2,51 eV) devido às condições experimentais de crescimento ou tratamento térmico após o crescimento. Observamos o modo LO, de simetria A1, em torno de 300 cm-1 e até três sobremodos desse fônon. Em alguns casos, os espectros Raman aparecem sobre uma larga fotoemissão, dependendo das condições experimentais.

SILVA FILHO, I. M. da. Prodrução de filmes finos de SnO2 pelo método de spray pirólise utilizando um forno à gás natural com combustão de filtração. 2012. 61 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Mecânica) - Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2012. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2012-04-04T19:01:18Z No. of bitstreams: 1 2012_dis_imsilvafilho.pdf: 1358608 bytes, checksum: b82e8a0cfa6fbe15120c5bd4c87f8677 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2012-04-04T19:01:57Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2012_dis_imsilvafilho.pdf: 1358608 bytes, checksum: b82e8a0cfa6fbe15120c5bd4c87f8677 (MD5) / Made available in DSpace on 2012-04-04T19:01:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2012_dis_imsilvafilho.pdf: 1358608 bytes, checksum: b82e8a0cfa6fbe15120c5bd4c87f8677 (MD5) Previous issue date: 2012 / The tin dioxide (SnO2) as thin film can be produce with high transparency to visible light and good electrical conductivity. The SnO2 thin films have many technological applications in industry, mainly in electronic devices that use preview display, such as devices in research laboratories. One of the most promising applications is its use as a transparent conductive oxide in photovoltaic solar cells. Due to its transparency in the visible spectrum and low resistivity, the films of tin dioxide are used as a constituent component of photovoltaic solar cells. The present work aims to use a heat furnace, which uses combustion in porous media technology for the production of thin films of tin dioxide (SnO2) on glass substrates, using the technique of spray pyrolysis. The furnace used has a chamber where the films of SnO2 are sintered and a pre-chamber, where the precursor solution is applied films on glass substrates. Spray gun was adapted to furnace and coupled to the antechamber for the spraying of the solution of tin on glass substrates. The technique of doping thin films of Fluoride was used in order to reduce the resistance to electrical current. The thin films of SnO2 was characterized by their optical transmittance spectrum and electrical resistance. The structure of films of tin oxide was study by x-ray diffraction and atomic force microscopy. / O dióxido de estanho (SnO2) em forma de filme fino pode ser produzido com grande transparência à luz visível e boa condutividade elétrica. Os filmes finos de SnO2 possuem muitas aplicações tecnológicas na indústria, principalmente em aparelhos eletrônicos que utilizam display de visualização, como em dispositivos em laboratórios de pesquisa. Uma das aplicações mais promissoras é a sua utilização como óxido condutor transparente em células solares fotovoltaicas. Devido as suas características de transparência ótica no espectro visível e baixa resistividade, os filmes finos de dióxidos de estanho são empregados como componente constituinte de células solares fotovoltaicas. A proposta deste trabalho é a utilização de um forno, que utiliza a tecnologia de Combustão em Meios Porosos para fabricação de filmes finos de dióxido de estanho sobre substratos de vidro, utilizando a técnica de spray pirólise. O forno utilizado nesse projeto possui uma câmara, onde os filmes de SnO2 são sinterizados, e uma antecâmara, onde a solução precursora dos filmes é aplicada sobre substratos de vidro. Uma pistola spray foi adaptada ao forno, acoplada a antecâmara, para a aspersão da solução de estanho sobre substratos de vidro. Foi utilizada a técnica de dopagem dos filmes finos com flúor com o intuito de reduzir a resistência à corrente elétrica. Os filmes finos de SnO2 foram caracterizados em relação a transmitância ótica ao espectro visível e em relação a resistência elétrica. Também foram realizadas medidas de difração de raios-X e microscopia de força atômica para a revelação e estudo da estrutura dos filmes de óxido de estanho.

[pt] Neste trabalho, desenvolveram-se dois tipos de substratos flexíveis para dispositivos orgânicos. Para tal, usou-se o termoplástico comercial de alto desempenho, poli(éter imida) (PEI), e a celulose bacteriana (CB), um polímero natural e biocompatível comumente utilizado como pele artificial. Os filmes de PEI foram fabricados com boa transparência óptica no visível, flexibilidade e ausência de poros, enquanto os filmes de CB foram utilizados como recebidos. Filmes finos de óxido de índio dopado com estanho (ITO) foram depositados sobre os filmes, utilizando a técnica de rf-sputtering, a fim de torná-los condutores elétricos para serem utilizados em dispositivos. Os valores de resistividade elétrica dos substratos modificados foram aprimorados através da variação dos parâmetros de deposiçãoo dos filmes de ITO. Os menores valores de resistividade alcançados foram 3, 27 × 10(-4) omega· cm para os substratos de PEI e 3, 70×10(-4) omega· cm para os de CB, comparáveis ao valor alcançado para os substratos de vidro [3, 66×10(-4) omega·cm], utilizados como referência. Além disso, devido às ótimas propriedades térmicas da PEI, os filmes de ITO sobre este material e sobre vidro passaram por um tratamento térmico a fim de baixar ainda mais o valor da resistividade. Após este tratamento, os valores de resistividade baixaram para 2, 88×10(-4) omega·cm e 3, 41 × 10(-4) omega· cm, para a PEI e o vidro, respectivamente. Os resultados obtidos são comparáveis ou melhores àqueles obtidos por outros autores em diferentes substratos, com e sem tratamento térmico, e mostraram-se promissores para o desenvolvimento de dispositivos orgânicos flexíveis. / [en] In this work, it has developed two types of flexible substrates for organic devices. For this purpose, it was used the commercial high-performance thermoplastic, poly(ether imide) (PEI), and a natural and biocompatible polymer commonly used as artificial skin, bacterial cellulose (BC). PEI films were fabricated with good optical transparency in the visible range of spectra, flexibility and absence of pores, while the CB films were used as received. Thin films of indium tin oxide (ITO) were deposited on those films using rf magnetron sputtering in order to turn them electrical conductors for using in organic devices. The electrical resistivity of the modified substrates was improved by varying the ITO films deposition parameters. The lowest achieved resistivity was 3.27 × 10(-4) omega· cm for PEI substrates and 3.70×10(-4) omega·cm for CB substrates, comparable to the reference substrate (glass) 3.66 × 10(-4) omega· cm. In addition, due to the excellent thermal properties of PEI, ITO films on this material and on glass substrates were thermally treated to further improvement of its electrical properties. After this treatment, the resistivity values decreased to 2.88 × 10-4 ! · cm and 3.41× 10(-4) omega· cm for PEI and glass substrates, respectively. The obtained results are comparable or better than those obtained by other authors on different substrates, with and without heat treatment, establishing these materials as outstanding substrates for the development of flexible organic devices.

[pt] Neste trabalho é apresentado o estudo de três complexos tetrakis betadicetonatos de európio: Li[Eu(dbm)(4)].(4)H(2)O, TMPip[Eu(dbm)(4)] e Morf[Eu(dbm)(4)]. Todos os compostos foram caracterizados à temperatura ambiente por diversas técnicas, tais como absorção óptica, fotoluminescência estacionária (PL) e voltametria cíclica. Já os dispositivos eletroluminescentes orgânicos (OLEDs) baseados nestes materiais e fabricados por evaporação térmica resistiva foram caracterizados eletro-opticamente. Os espectros de PL dos compostos apresentaram as linhas características de emissão das transições (5)D(0)→(7)F(0-3) do íon európio, e não exibiram bandas relativas à emissão dos ligantes. Porém, comparações entre os espectros de PL dos materiais na forma de pó e de filme fino indicaram prováveis mudanças na estrutura dos compostos TMPip[Eu(dbm)(4)] e Morf[Eu(dbm)(4)]. Uma das possibilidades é a de que a deposição térmica estaria degradando estes materiais, dando origem às espécies tris beta-dicetonato. Os OLEDs com complexos de európio atuando simultaneamente como camada emissora e transportadora de elétrons apresentaram também, em seus espectros, os picos relativos às transições do íon Eu(3+). Para aumentar a eficiência luminosa dos dispositivos foi testada uma nova configuração, acrescentando-se uma camada bloqueadora de buracos e uma transportadora de elétrons. Esta nova arquitetura aprimorou o funcionamento dos OLEDs, cuja eletroluminescência (EL) passou a ser visível a olho nu. Por outro lado, ela causou o aparecimento de uma banda larga centrada em 480nm no espectro de EL. O estudo realizado para investigar a origem desta banda mostrou que ela é proveniente da emissão da camada bloqueadora de buracos. / [en] Rare-earth complexes present extremely sharp line emission making possible to use them in organic light-emitting devices (OLEDs) technology. This dissertation reports the study of three europium tetrakis beta-diketonate complexes: Li[Eu(dbm)(4)].(4)H(2)O, TMPip[Eu(dbm)(4)] and Morf[Eu(dbm)(4)]. UV-Vis absorption, photoluminescence (PL) and cyclic voltammetry measurements were used to characterize the complexes, at room temperature. The PL spectra displayed the characteristic europium narrow bands from (5)D(0)→(7)F(0-3) transitions and exhibited red color emission, without a contribution from ligand emission. However, a comparison between thin films spectra and powder spectra suggested probable changes in the TMPip[Eu(dbm)(4)] e Morf[Eu(dbm)(4)] complexes composition. One possibility is that the thermal deposition is causing degradation, breaking the tetrakis structure into tris beta-diketonate complexes. This hypothesis was investigated using TGA technique associated with FTIR analysis of chemical species. Europium complexes based OLEDs produced by thermal evaporation and using different device configuration were characterized by electroluminescence (EL) measurements. Bilayer OLEDs fabricated with a europium complex acting simultaneously as the emissive layer and as the electron transporting layer showed the bands from Eu(3+) transitions in the EL spectra. Another configuration was used to increase the device efficiency, adding a hole-blocking layer and an electron transporting layer. This new architecture improved the OLEDs performance, enabling the electroluminescence to be visible with the naked eye. On the other hand, it caused the appearance of a wide emission band centered at 480nm. A study performed about the source of this emission band showed that it was originated by the hole-blocking layer.

[pt] Cilindros fotossensíveis são usados nos processos de impressão e particularmente na impressão eletrofotográfica. O revestimento é aplicado ao cilindro em forma líquida antes de solidificar-se. O líquido é aplicado ao cilindro através de um aplicador de agulha que se translada ao longo da direção axial do cilindro. Durante este processo o cilindro gira em torno de seu próprio eixo levando a uma deposição da tira de líquido sobre a superfície do cilindro, em padrão espiral. Para ajudar a distribuir o líquido lateralmente e assim melhorar a uniformidade da espessura, cada tira de líquido aplicada pela agulha passa por meio de uma lâmina flexível. Este processo leva a um revestimento que apresenta um padrão espiral na espessura da camada revestida que pode causar defeitos no processo eletrofotográfico.O conhecimento, de forma fundamental, do escoamento é vital para a otimização do processo. Um modelo teórico de escoamento de filmes finos sobre superfícies cilíndricas em rotação com uma porta de injeção de líquido em movimento é apresentado. Este modelo é baseado na teoria de lubrificação considerando um filme precursor na frente da linha de contato aparente. A espessura de filme revestido foi obtida através da solução de uma equação diferencial parcial não linear de quarta ordem usando o método de diferenças finitas de segunda ordem. A discretização do tempo foi feita pelo método implícito de Crank- Nicholson. A discretização do sistema a cada passo do tempo leva a um sistema de equações algébricas não lineares que foi resolvido pelo método de Newton. Os resultados mostram como a uniformidade da camada depositada varia com os parâmetros do processo e com as propriedades do líquido. / [en] Photosensitive cylinders are used in printing arts and more particularly in electrophotographic printing (e.g. xerographic copy). The photosensitive coating is applied to the cylinder in liquid form, before it is solidified. The liquid is applied to the cylinder through a needle applicator that translates along the direction of the cylinder axis. The cylinder rotates during this process in order to cover the entire surface. Therefore, the liquid is applied in a spiral pattern. In order to help spreading of the liquid over the cylinder surface and to improve the thickness uniformity, each liquid stream applied from the needle passes under a flexible blade. This process leads to a coating that presents a spiral pattern on the deposited layer thickness, which can cause defects on the electrophotographic process. The complete understanding of the flow is vital to the optimization of the process. A theoretical model of the thin film flow over the surface of a rotating cylinder is presented here. It is based on the lubrication approximation considering a thin precursor film in front of the apparent contact line. The resulting non-linear fourth-order PDE for the film thickness was solved by a second-order finite difference method. The time discretization was done by the implicit Crank-Nicholson scheme. The non-linear algebraic equation at each time step was solved by Newton’s method. The results show how the uniformity of the deposited layer varies with process parameters and liquid properties.

A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo. / The characterization of the strain in the crystal structures of thin semiconductor films has important technological applications such as, for example, the formation of defects, changes in the structure of the conduction and valence bands, and therefore modifying the mobility of carriers in the material. Scattering techniques with H and He ions have been widely used to determine the deformation, as changes in drains or the blocking directions can be easily related to the deformation of the lattice parameter. A new method, called cartography-MEIS, is used to determine the intensity of the structural deformation in a crystallographic structure. From this technique, the stereographic projection of a single crystal can be measured with a standard MEIS technique for a particular atomic element and given depth. Here we demonstrate that this technique can be expanded to characterize strained SiGe heterostructures with high accuracy. In our method, not only the main crystalline directions are analyzed but also the higher index ones. The method also provides elemental sensitivity with depth resolution and can be used in nano-structured materials. The determination of the strain is based on the position of the many blocking lines contrary to the traditional methods where two directions are used. We also provide a method to determine the lattice deformation fitting the data best and checked it against full Monte-Carlo simulations.

Dados experimentais de seção de choque de produção de raios X de subcamadas L de Ag e de Ru foram obtidos de espectros de emissão de raios X (PIXE) induzidos por prótons e por partículas alfa. Foram utilizadas amostras de filmes finos monoelementares produzidos com a técnica magnetron sputtering e caracterizadas com Rutherford backscatering spectroscopy (RBS). A metodologia incluiu a determinação de parâmetros experimentais tais como a eficiência do detector de estado sólido e características geométricas do sistema de medida. Foram obtidos espectros PIXE para energias de prótons variando entre 0,7-2,0 MeV, e para energias de partículas alfa entre 4,0-6,9 MeV. A metodologia experimental foi validada pela concordância observada entre os dados de seções de choque de ionização de camadas K, induzida por prótons, para Al, Ti, Fe e Ni, com valores da literatura, que são bem estabelecidos. A contribuição de cada linha L nos espectros de Ag e Ru foi determinada com um ajuste numérico considerando nove gaussianas. Os valores de seção de choque de produção de raios X de camada L induzida por prótons e partículas alfa estão de acordo com trabalhos de outros autores. Para Ru, o único dado experimental disponível na literatura para comparação também é coerente. A teoria ECPSSR subestima os valores de seção de choque de produção de raios X para subcamadas L de Ag, mas mostra boa concordância com os dados inéditos para Ru. / Experimental data of L-subshell X-ray production cross section for Ag and Ru were determined from proton and alpha particle induced X ray emission (PIXE) spectra. Measurements were performed in mono elemental thin films produced by magnetron sputtering and characterized with Rutherford backscattering spectrometry (RBS). The proposed methodology required the determination of several experimental parameters such as the detector efficiency and geometric characteristic of the detector in the experimental setup. PIXE spectra were acquired in the energy range of 0.7-2.0 MeV for protons and 4.0-6.9 MeV for alpha particles. The procedures employed in the cross section determination were validated by the comparison between the data obtained for K shell ionization cross sections for elements Al, Ti, Fe and Ni and those from the literature, which are well established. The contribution of each line in Ag and Ru spectra was determined with a numerical adjustment considering 9 Gaussian curves. The values of L-shell X-ray production cross sections induced by protons and alpha particles agree with the literature. For Ru, the only data available for comparison is compatible as well. The ECPSSR theory underestimates the X-ray production cross sections experimental values for all Ag L-subshells, but it shows good agreement with the new data for Ru.