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Large-signal modeling of GaN device for high power amplifier designJarndal, Anwar Hasan January 2006 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2006
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AlGaN/GaN-Heterostrukturen: Epitaxie und elektrische EigenschaftenKuhn, Bertram. January 2002 (has links)
Stuttgart, Univ., Diss., 2001.
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Efficiency enhancement of linear GaN RF power amplifiers using the Doherty techniqueMarkos, Asdesach Zena January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2008
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Large-signal modeling of GaN HEMTs for linear power amplifier design /Mengistu, Endalkachew Shewarega. January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, University, Diss., 2008.
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Structure and lattice dynamics of GaN and AlN: ab-initio investigations of strained polytypes and superlatticesWagner, Jan-Martin. Unknown Date (has links) (PDF)
Jena, University, Diss., 2004.
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Intermodulation distortion modelling and measurement techniques for GaN HEMT characterizationEmbar Ramanujam, Srinidhi January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2008
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GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-StreifenNeubert, Barbara Monika January 2008 (has links)
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2008
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Technologie und Charakterisierung von GaN-basierten Laserdioden /Dennemarck, Jens. January 1900 (has links)
Zugl.: Bremen, Universiẗat, Diss., 2007.
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Beiträge zur Darstellung binärer und ternärer Nitride der Elemente Ga, Ru, Rh, Pd, Au, UHeckers, Uwe. January 2002 (has links)
Dortmund, Univ., Diss., 2002. / Computerdatei im Fernzugriff.
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Beiträge zur Darstellung binärer und ternärer Nitride der Elemente Ga, Ru, Rh, Pd, Au, UHeckers, Uwe. January 2002 (has links)
Dortmund, Univ., Diss., 2002. / Computerdatei im Fernzugriff.
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