Les romans libertins à figures se développent de façon remarquable au XVIIIe siècle. Selon les frères Goncourt, c’est « le siècle de la vignette ». L’avènement de cette mode de livres illustrés a modifié aussi bien les sensibilités esthétiques et les conditions matérielles de la lecture d’un récit de rouerie, que notre conception de la littérature libertine comme système de représentation, non plus exclusivement textuel, ou discursif, mais engageant un dialogue avec l’image. Il s’agit d’étudier ce dédoublement de la représentation, à travers les dispositifs qu’il met en œuvre, et en mobilisant ceux-ci comme une nouvelle méthode d’analyse du texte et de l’image dans les récits de rouerie libertine.On pourrait croire que les récits de rouerie libertine sont les plus éloignés de l’image, étant donné que la machination et la ruse nécessitent d’agir sous-main. Or notre analyse de la logique de l’image qui gouverne les dispositifs de la représentation dans le roman libertin des Lumières infirme cette hypothèse. Dans cette perspective, nous tenterons de compléter les études existantes sur la scène érotique ou intime, le regard et la théâtralité de la fiction classique, avec l’idée que, dans les récits de rouerie, la représentation de la machination libertine oscille entre deux stratégies : celle qui donne à voir et celle qui dérobe. / The libertine novels ornated with figures grew dramatically in the eighteenth century. According to Goncourt brothers it is “the century of the vignette”. The development of this genre of illustrated books changed, both aesthetic sensibility of the reader and the material conditions of reading a trick story, for our conception of libertine literature as a system of representation is no more exclusively textual nor discursive but triggers a dialogue with the image. The study of this duplication of representation is at stake, using the text-and-image devices it operates, as a new method to analyse their interconnection in the libertine trick stories. One could imagine such narratives are the most distant from the image, since the machination and trickery need to act covertly, whereas the logic of the image appears to be at the very heart of the operative devices of representation which govern the eighteenth century libertine novel. Following that scientific approach, we’ll try to complete the existing studies on poetics of the erotic or intimate scene, and how gazing and theatricality interact within classical fiction, with the hypothesis that, in the trick stories, the representation of the libertine plot faces two strategies: the one that lures with showing something and the other with concealing.

Dès la loi impériale du 23 Prairial an XII (12 juin1804) qui impose l’obligation d’inhumation pour tous au cimetière, la sculpture se met au service du portrait du défunt, dans cet espace si particulier qui tient à la fois du cadre privé et du cadre public. Héritier d’une tradition jusqu’alors réservée aux nobles et au roi, le portrait funéraire s’affiche dans une iconographie qui oscille entre symbolique et réalisme des traits physiques; le militaire est honoré comme héros tandis que le curé est vénéré par les paroissiens. S’inscrivant dans la mode de la statuomanie galopante des années 1880, les cimetières lorrains rejoignent la volonté publique d’honorer ses Grands Hommes, à une époque où la « Petite Patrie », la Lorraine, rencontre la « Grande Patrie », la France, où des artistes connus et parfois moins connus mettent leur savoir-faire et leur notoriété au service de portraits de notables. Le portrait funéraire connaît alors son âge d’or. Alors que le cimetière moderne se construit peu à peu grâce à son organisation parcellaire, les familles éprouvent très rapidement le besoin impérieux de matérialiser, sur ces concessions familiales, le souvenir des traits de leur défunt et le portrait sculpté leur en offre la possibilité et le voilà qui quitte l’intimité des salons pour être installé soit sur la stèle de la tombe familiale. C’est ainsi que l’époux éploré se souvient du visage de sa chère épouse, que des parents effondrés peuvent se consoler d’avoir perdu un petit ange en lui substituant un autre visage, plutôt idéalisé, ou mieux la figure d’un autre ange, plus solide car en marbre et plus protecteur. Peu à peu, le cimetière se pare d’un peuple de statues que viennent compléter quelques motifs professionnels, rares toutefois. La personnalisation de la tombe reste toutefois très discrète, la douleur contenue. La sculpture funéraire, et le portrait en particulier, se mettent au service de l’expression de sentiments filiaux ou conjugaux, réservés jusqu’alors à l’intimité, mais traduisent un élitisme que la législation du 23 prairial an XII ne souhaitait pas. Pendant la période 1880-1930, les commanditaires des portraits funéraires bénéficient d’une offre élargie de produits notamment grâce à l’essor de la photographie et au procédé de vitrification. Sans concurrencer le portrait sculpté porté principalement par le médaillon de bronze et la ronde-bosse, le vitrail photographique permet de promouvoir le souvenir du défunt dans un écrin luxueux, où, pour la première fois, la présence de la couleur fait animer ces visages et les rend presque vivants. Mais, c’est un luxe que peu de familles peuvent s’offrir. Alors, le médaillon photographique sur plaque émaillée, plus modeste, permet à une clientèle moins fortunée d’accéder au portrait funéraire au cimetière. Après 1930, alors que chapelle et vitrail disparaissent des allées du cimetière, le médaillon peut définitivement prendre place sur les sépultures. Très vite, c’est un succès assuré qui ne se dément pas, aujourd’hui encore. La période de 1940 à nos jours est de loin la plus riche en portraits funéraires et ce grâce à des techniques bien maîtrisées, celle de la photographie sur médaillon de porcelaine et celle de la gravure mécanique ou artistique, grâce également à de nouveaux supports que sont les plaques funéraires, les urnes, les vases. Et il n’est pas rare qu’une famille ait recours à des techniques différentes pour chacun de ses défunts. La façon de présenter le défunt a également évolué ; le modèle de studio photographique cède la place à un modèle présenté « au naturel », c’est-à-dire issu de l’album photographique familial et de nouveaux symboles montrent le défunt sous des aspects plus personnels. Désormais, le portrait funéraire du défunt au cimetière n’est plus seulement un visage mais c’est aussi un sportif, un chasseur, un motard, un professionnel, un amoureux des bêtes, un amateur de pétanque / From the imperial law of 23 Prairial year XII (June 12, 1804) which imposes the burial obligation for all in the cemetery, the sculpture puts itself at the service of the portrait of the deceased, in this very special space which is at the same time of the private frame and the public setting. Heir to a tradition hitherto booked with noble and to the king, the funerary portrait is displayed in an iconography which oscillates between symbolic system and realism of the physical features; the soldier is honored as hero while the priest is venerated by the parishioners. Falling under the fashion of the “statuomanie galopante” years 1880, the Lorraine cemeteries join the public will to honour its Great men, at one time when the “Small Fatherland”, Lorraine, meets the “Great Fatherland”, France, where known artists and sometimes less known put their know-how and their notoriety at the service of portraits the notable ones. The funerary portrait knows its golden age then. Whereas the modern cemetery is built little by little thanks to its compartmental organization, the families test the imperative need very quickly to materialize, on these family concessions, the memory of the features of their late and the carved portrait give of it them the opportunity and here it is which leaves the intimacy of the living rooms to be installed either on the family stele of the tomb. Thus the tearful husband remembers the face his dear wife, that ploughed up parents can comfort themselves to have lost a little angel in him substituent another face, rather idealized, or best the figure of another angel, more solid because out of marble and more protective. Little by little, the cemetery is avoided of people of statues which some professional reasons come to supplement, rare however. The personalization of the tomb remains however very discrete, the pain contained. The funerary sculpture, and the portrait in particular, are put at the service of the expression of subsidiary or marital feelings, hitherto booked with the intimacy, but translate an elitism which the legislation 23 Prairial An XII did not wish. For the period 1880-1930, the silent partners of the funerary portraits profit from a widened offer of products in particular thanks to rise of the photography and with the process of vitrification. Without competing with the carved portrait carried mainly by the bronze medallion and the sculpture in the round, the photographic stained glass makes it possible to promote the memory of late in a luxurious house, where, for the first time, the presence of the color makes animate these faces and makes them almost alive. But, it is a luxury which few families can offer. Then, the photographic medallion on enamelled plate, more modest, makes it possible to less fortunate customers to reach the funerary portrait with the cemetery. After 1930, whereas vault and stained glass disappear from the alleys of the cemetery, the medallion can definitively take seat on the burials. Very quickly, these is a assured success which is not contradicted, still today. The period of 1940 to our days is by far richest in funerary portraits and this thanks to techniques controlled well, that of photography on porcelain medallion and that of mechanical or artistic engraving, grace also to new supports which are the funerary plates, the ballot boxes, vases. And it is not rare that a family resorts to different techniques for each one of her late. The way of presenting the late one also evolved; the photographic model of studio gives way to a model presented “to the naturalness”, i.e. resulting from the family photographic album and new symbols show the late one under more personal aspects. From now on, the funerary portrait of late with the cemetery is not only any more one face but it is also a sportsman, a hunter, a motorcyclist, a professional, in love with the animals, an amateur of game of bowls.

Aldo Crommelynck (1931-2008) a animé l'atelier Crommelynck à Paris de 1956 à 1986, en compagnie de son frère Piero, puis a travaillé seul entre Paris et New York en partenariat avec Pace Editions, jusqu'en 1998. Sa collaboration avec les peintres modernes, dont Picasso à Mougins, a inauguré une carrière internationale auprès d'une quarantaine d'artistes contemporains. Sa maîtrise de l'eau-forte s'est intégrée au milieu artistique international, entre Paris, Londres et New York, dans un contexte profitable au marché de l'art. Son nom est associé à un mouvement de retour à la taille­douce qui coïncide avec le goût des artistes issus du Pop pour le travail de la main et pour la figuration du quotidien. D'autres, issus du minimalisme et du néo-expressionnisme, verront en lui le dépositaire d'un certain métier de la gravure identifié à Paris. Cette thèse entend déterminer ce que fut le «style Crommelynck», dans toutes ses dimensions. / Aldo Crommelynck (1931-2008) run the Crommelynck studio, in Paris from 1956 to 1986, with his brother Piero, and then worked alone between Paris and New York in partnership with Pace Editions until 1998. His collaboration with modem painters, including Picasso in Mougins, preceded his international career with forty or so contemporary artists. His mastery of etching well integrated into the artistic world of Paris, London and New York, in a context profitable to the art market. His name is associated with the revival of printmaking in the United States that coincided with the taste of the artists coming from Pop Art for handmade creation and for the representation of daily life. Others, who came afterwards, impregnated with Minimalism or Neo-expressionism, saw him as the repository of a certain etching craft identified with Paris. This thesis intends to determine what was the « Crommerlynck style » in all its dimensions.

L’œuvre plurielle de Max Schoendorff (1934-2012) est approchée au regard du lieu de sa création : l’atelier de l’artiste. Ce lieu foisonnant de matériel, d’images, d’objets et de livres est emblématique de sa pensée. Il livre les traces de ses multiples activités. La monographie de l’artiste est fondée sur l’archéologie de ce laboratoire. Formé à la littérature classique,imprégné de culture allemande, rompu à la transgression, Schoendorff s’engage dès le milieu des années 1950 à Lyon aux côtés de Roger Planchon et d’un petit groupe d’intellectuels et de créateurs. Il s’affirme en tant qu’initiateur d’une décentralisation de la culture. Il trouve ensuite dans la peinture matière à se forger son propre langage, nourri de l’imaginairesurréaliste, de Max Ernst, des tourments métamorphiques d’une matière essentiellement organique. Sa pensée singulière s’exprime dans une œuvre protéiforme qui traverse les champs de la peinture, de la gravure, du livre et de la scénographie de spectacle. Libertaire et utopiste quant à ses convictions sociales et politiques, il s’engage en fondant la MAPRA, Maison des arts plastiques Rhône-Alpes, et l’URDLA, Centre international estampe et livre à Villeurbanne. / The study of MS’s multivocal work is carried out through an on-site investigation of his workshop. The place, which reflects his philosophy, is full of materials, images, objects, and books. It bears testimony to his numerous activities. Indeed writing a monograph of the artist amounts to performing archeological fieldwork and excavation in his studio. Schoendorff studied classical literature, was well-versed on the subject of German culture, and enjoyed transgressing boundaries. As early as 1950, he was labelled as a committed artist together with RP and a small group of intellectuals and creators/designers from Lyon. Heconsidered himself as the initiator of cultural decentralization. He later devoted himself to painting and managed to create his own artistic language based on the surrealist imaginary world, Max Ernst’s production, and the metamorphic alteration of predominantly organic matter. His personal conception of art is expressed in his protean works which include paintings, engravings, books, and spectatorial scenography. A socio-political libertarian and utopian, he founded the MAPRA (Maison des arts plastiques Rhône-Alpes), the R-A Fine Arts Agency and the URDLA, the International Book and Lithography Centre (Centreinternational estampe et livre) in Villeurbanne.

L'objectif du projet VELSIC a été de démontrer la faisabilité de jonctions p+/n- profondes dans le semiconducteur 4H-SiC, de haute qualité électrique, comprenant une zone p++ réalisée par un procédé original d'épitaxie localisée à basse température (1100 – 1200°C), en configuration VLS (Vapeur - Liquide - Solide). Cette technique innovante de dopage par épitaxie utilise le substrat de SiC mono cristallin comme un germe de croissance sur lequel un empilement enterré de Al - Si est porté à fusion pour constituer un bain liquide, lequel est alimenté en carbone par la phase gazeuse. Cette méthode se positionne comme une alternative avantageuse à l'implantation ionique, actuellement utilisée par tous les fabricants de composants en SiC, mais qui présente des limitations problématiques encore non résolues à ce jour. Les travaux de thèse ont exploré toutes les facettes du processus complet de fabrication de diodes de test, avec une attention particulière portée sur l'optimisation de la gravure de cuvettes dans le substrat SiC. Le cœur des travaux a été concentré sur l'optimisation de l'épitaxie VLS localisée. L'étude a confirmé la nécessité de limiter la vitesse de croissance vers 1 µm/h pour conserver une bonne cristallinité du matériau épitaxié. Elle a également mis en évidence l'action directe du champ électromagnétique radiofréquence sur la phase liquide, conduisant à une très forte influence du diamètre des cuvettes gravées sur l'épaisseur du SiC déposé. Un remplissage quasiment complet des cuvettes de 1 µm de profondeur à très fort dopage p++ a été démontré. À partir des couches VLS optimisées, des démonstrateurs de types diodes p+/n- ont été fabriqués. Sur les meilleurs échantillons, sans passivation ni protection périphérique, des tensions de seuil en régime direct (entre 2,5 et 3 V) ont, pour la première fois, été mesurées, sans recourir à un recuit haute température après épitaxie. Elles correspondent aux valeurs attendues pour une vraie jonction p-n sur 4H-SiC. Des densités de courant de plusieurs kA/cm2 ont également pu être injectées pour des tensions situées autour de 5 - 6 V. En régime de polarisation inverse, aucun claquage n'est observé jusqu'à 400 V et les densités de courant de fuite à faible champ électrique dans la gamme 10-100 nA/cm2 ont été mesurées. Toutes ces avancées si situent au niveau de l'état de l'art pour des composants SiC aussi simples, toutes techniques de dopage confondues / The objective of the VELSIC project has been to demonstrate the feasibility of 1 µm deep p+/n- junctions with high electrical quality in 4H-SiC semiconductor, in which the p++ zone is implemented by an original low-temperature localized epitaxy process ( 1100 - 1200 °C ), performed in the VLS (Vapor - Liquid - Solid) configuration. This innovative epitaxy doping technique uses the monocrystalline SiC substrate as a crystal growth seed. On the substrate (0001-Si) surface, buried patterns of Al - Si stack are fused to form liquid islands which are fed with carbon by C3H8 in the gas phase. This method is investigated as a possible higher performance alternative to the ion implantation process, currently used by all manufacturers of SiC devices, but which still experiences problematic limitations that are yet unresolved to date. Although the main focus of the study has been set on the optimization of localized VLS epitaxy, our works have explored and optimized all the facets of the complete process of test diodes, from the etching of patterns in the SiC substrate up to the electrical I - V characterization of true pn diodes with ohmic contacts on both sides.Our results have confirmed the need to limit the growth rate down to 1 µm/h to maintain good crystallinity of the epitaxial material. It has also highlighted the direct action of the radiofrequency electromagnetic field on the liquid phase, leading to a very strong influence of the diameter of the etched patterns on the thickness of the deposited SiC. A nearly complete filling of the 1 µm deep trenches with very high p++ doping has been demonstrated. Using optimized VLS growth parameters, p+/n- diode demonstrators have been processed and tested. On the best samples, without passivation or peripheral protection, high direct-current threshold voltages, between 2.5 and 3 V, were measured for the first time without any high-temperature annealing after epitaxy. These threshold voltage values correspond to the expected values for a true p-n junction on 4H-SiC. Current densities of several kA/cm2 have also been injected at voltages around 5 - 6 V. Under reverse bias conditions, no breakdown is observed up to 400 V and low leakage current densities at low electric field, in the range 10 - 100 nA/cm2, have been measured. All these advances align with or exceed state-of-the-art results for such simple SiC devices, obtained using any doping technique

Le sujet de cette thèse porte sur l’élaboration du nouveau nanomatériau par la gravure électrochimique bipolaire (BEE) — le Ge mésoporeux et sur l’analyse de ses propriétés physico-chimiques en vue de son utilisation dans des applications photovoltaïques. La formation du Ge mésoporeux par gravure électrochimique a été précédemment rapportée dans la littérature. Cependant, le verrou technologique important des procédés de fabrication existants consistait à obtenir des couches épaisses (supérieure à 500 nm) du Ge mésoporeux à la morphologie parfaitement contrôlée. En effet, la caractérisation physico-chimique des couches minces est beaucoup plus compliquée et le nombre de leurs applications possibles est fortement limité. Nous avons développé un modèle électrochimique qui décrit les mécanismes principaux de formation des pores ce qui nous a permis de réaliser des structures épaisses du Ge mésoporeux (jusqu’au 10 um) ayant la porosité ajustable dans une large gamme de 15% à 60%. En plus, la formation des nanostructures poreuses aux morphologies variables et bien contrôlées est désormais devenue possible. Enfin, la maitrise de tous ces paramètres a ouvert la voie extrêmement prometteuse vers la réalisation des structures poreuses à multi-couches à base de Ge pour des nombreuses applications innovantes et multidisciplinaires grâce à la flexibilité technologique actuelle atteinte. En particulier, dans le cadre de cette thèse, les couches du Ge mesoporeux ont été optimisées dans le but de réaliser le procédé de transfert de couches minces d’une cellule solaire à triple jonctions via une couche sacrificielle en Ge poreux. / The subject of this thesis is the development of the new nanomaterial by bipolar electrochemical etching (BEE) - the mesoporous Ge and analysis of its physico-chemical properties for use in photovoltaic applications. The formation of mesoporous Ge by electrochemical etching has been previously reported in the literature. However, the important technological barrier of existing manufacturing processes was to obtain thick layers (above 500 nm) of the mesoporous Ge with perfectly controlled morphology. Indeed, the physico-chemical characterization of thin layers is much more complicated and the number of possible applications is very limited. We have developed an electrochemical model that describes the main mechanisms of formation of pores which allowed us to produce thick mesoporous structures of Ge (up to 10 um) with adjustable porosity in a range of 15% to 60% . In addition, the formation of porous nanostructures with well-controlled variable morphologies has now become possible. Finally, the mastery of these parametres has opened the extremely promising path towards the realization of porous multilayer structures based on Ge for many innovative and multidisciplinary applications. In particular, in the context of this thesis, the mesoporous layers of Ge were optimized for the purpose of performing a layer transfer process of a triple-junction solar cell via a sacrificial layer of porous Ge.

L'effet tunnel dépendant du spin dans les structures métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique fait l'objet de nombreuses études motivées par de multiples applications (capteurs de champ magnétique, mémoires vives magnétiques non volatiles, têtes de lecture, etc). La résistance de ces dispositifs est liée à l'orientation relative des aimantations de chacune des électrodes. Au cours de ce travail de thèse, l'extrême sensibilité de l'effet tunnel dépendant du spin à la configuration magnétique des électrodes a été utilisée à la fois comme une sonde du comportement micromagnétique des électrodes et pour réaliser des capteurs de champ magnétique. De plus, l'élaboration de doubles jonctions tunnel magnétiques à trois entrées a permis mettre en évidence la présence d'un courant d'électrons chauds qui pourrait être à la base d'un nouveau type de transistor magnétique.

Le but de ce travail de thèse est d'étudier les moyens de lithographie haute résolution pour la fabrication de résonateurs à ondes élastiques de surface, et de l'illustrer à travers la réalisation de sources de fréquences fonctionnant au-delà du GigaHertz. Dans un premier temps nous abordons les différents dispositifs fondés sur les ondes élastiques de surface puis les sources de fréquence (instabilités caractéristiques) et fixons les objectifs de l'étude au travers notamment d'un état de l'art. Dans un second temps, nous présentons les moyens de lithographie étudiés dans le cadre de ce travail, à savoir la lithographie électronique, la gravure par faisceau d'ions focalisés, la lithographie UV par projection et la lithographie par nano-impression. Pour chacune d'entre elles, nous détaillons le principe de fonctionnement et montrons, notamment grâce à des simulations, leur intérêt et leurs limitations. Ensuite, nous présentons la fabrication et la caractérisation de résonateurs sur différents types de substrats ayant des propriétés innovantes par rapport à nos applications. Le PZT élaboré par épitaxie, présentant des coefficients de couplage élevés (plusieurs pourcents) couplés à une granulométrie fine et une orientation cristalline selon l'axe 001. Le diamant, qui permet d'atteindre des vitesses de phase de l'ordre de 10000 m.s-1, soit une vitesse deux fois supérieure à celles des ondes transverses sur substrat de quartz, quartz que nous avons également étudié afin de rechercher de nouveaux points de fonctionnement à haute fréquence. Pour chaque matériau, nous identifions un ou plusieurs moyen(s) de lithographie qui nous permettent de fabriquer les résonateurs. Les étapes de conception, de fabrication et de caractérisation sont décrites en détail. La dernière partie du manuscrit consiste à exposer les caractéristiques des oscillateurs fondés sur les résonateurs à haut produit Qf ainsi fabriqués (Qf > 5.1012). Nous reportons les résultats obtenus à des fréquences de 1,5 GHz (sur quartz) et à 3 GHz (sur diamant nanocristallin). Le bruit de phase à 10 kHz de la porteuse est compris entre -100 et -110 dBc.Hz-1, et le bruit plancher est de -160 dBc.Hz-1. Nous concluons en donnant des pistes afin d'améliorer ces caractéristiques.

La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOCH poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique poreux. Ces traitements, utilisant des chimies réductrices, oxydantes et à base d'hydrocarbures, ont pour but de 1) limiter la croissance de résidus qui provoquent parfois des pertes de rendement dans le cas de l'utilisation d'un masque dur métallique et 2) limiter la diffusion de la barrière métallique en TaN/Ta. Cependant, ces traitements (NH3, O2, CH4, H2) ont été optimisés afin de ne pas augmenter la modification induite par l'étape de gravure seule. La caractérisation de la modification induite dans le diélectrique situé sur le fond et les flancs des lignes par les plasmas a été effectuée notamment en développant des techniques de caractérisation spécifiques. Ainsi, l'ensemble des traitements plasma induisent tous une couche modifiée dans le matériau avec des caractéristiques différentes sur le fond et les flancs (composition de surface, épaisseur, perméation...). Le traitement à base de méthane limite la croissance de résidus sans modifier le diélectrique plus que l'étape de gravure. Ce procédé a été implémenté en production par l'entreprise STMicroélectronics.

Ces travaux de cette thèse s'inscrivent dans la thématique du développement de techniques de contrôle avancé des procédés dans l'industrie de la microélectronique. Leur but est la mise en place de boucles d'asservissement permettant d'ajuster les paramètres d'un procédé de fabrication en temps réel. Ces techniques ont été appliquées sur le bloc isolation des circuits de la technologie CMOS. L'utilisation de tranchées d'isolation peu profondes est la solution pour les technologies <0,25µm. L'influence de la morphologie du STI sur la génération des contraintes mécaniques est montrée. Des études statistiques ont permis de démontrer que la dispersion de la hauteur de marche (paramètre critique du module isolation) influence directement une dispersion de la tension de seuil des transistors parasites. Trois boucles de régulation sont proposées afin de réduire la dispersion de la hauteur de marche. L'indicateur électrique choisi pour le suivi des boucles de régulation R2R est la tension de seuil des transistors parasites. Les procédés concernés par ces régulations sont le dépôt CVD à haute densité plasma, le polissage mécano-chimique et la gravure humide. Les modèles physiques des procédés représentent le cœur d'une boucle de régulation et ont été déduis à partir de plans d'expériences.