Dans un modèle qui peut s'avérer complexe et fortement non linéaire, les paramètres d'entrée, parfois en très grand nombre, peuvent être à l'origine d'une importante variabilité de la sortie. L'analyse de sensibilité globale est une approche stochastique permettant de repérer les principales sources d'incertitude du modèle, c'est-à-dire d'identifier et de hiérarchiser les variables d'entrée les plus influentes. De cette manière, il est possible de réduire la dimension d'un problème, et de diminuer l'incertitude des entrées. Les indices de Sobol, dont la construction repose sur une décomposition de la variance globale du modèle, sont des mesures très fréquemment utilisées pour atteindre de tels objectifs. Néanmoins, ces indices se basent sur la décomposition fonctionnelle de la sortie, aussi connue sous le nom de décomposition de Hoeffding. Mais cette décomposition n'est unique que si les variables d'entrée sont supposées indépendantes. Dans cette thèse, nous nous intéressons à l'extension des indices de Sobol pour des modèles à variables d'entrée dépendantes. Dans un premier temps, nous proposons une généralisation de la décomposition de Hoeffding au cas où la forme de la distribution des entrées est plus générale qu'une distribution produit. De cette décomposition généralisée aux contraintes d'orthogonalité spécifiques, il en découle la construction d'indices de sensibilité généralisés capable de mesurer la variabilité d'un ou plusieurs facteurs corrélés dans le modèle. Dans un second temps, nous proposons deux méthodes d'estimation de ces indices. La première est adaptée à des modèles à entrées dépendantes par paires. Elle repose sur la résolution numérique d'un système linéaire fonctionnel qui met en jeu des opérateurs de projection. La seconde méthode, qui peut s'appliquer à des modèles beaucoup plus généraux, repose sur la construction récursive d'un système de fonctions qui satisfont les contraintes d'orthogonalité liées à la décomposition généralisée. En parallèle, nous mettons en pratique ces méthodes sur différents cas tests.

Thèse numérisée par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Thèse numérisée par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

La spectroscopie localisée par Résonance Magnétique Nucléaire (RMN) a de nombreuses applications in vivo, car cette technique permet l'étude des métabolites endogènes. Cette thèse explore dans ce contexte diverses voies d'amélioration des données de spectroscopie. La première méthode présentée, est une méthode de correction de spectre mono-voxel. Une méthode de reconstruction pour l'imagerie spectroscopique s'appuyant sur la résolution d'un système d'équations linéaires au lieu de la transformation inverse de Fourier utilisée habituellement est ensuite proposée. Cette modification permet notamment la prise en compte des défauts du champ magnétique local. Enfin, une dernière méthode qui trouve son utilité lorsque le signal est trop faible pour permettre la quantification des signaux des métabolites ou lorsque les défauts du champ magnétique sont trop importants est développée puis validée par simulation et expérimentalement.

Depuis ces trente dernières années, la qualité de vie tend à devenir un critère d’évaluation des thérapeutiques incontournable que cela soit dans un contexte de recherche clinique ou dans un contexte d’individualisation de la prise en charge médicale. L’évaluation de la qualité de vie permet de tenir compte du ressenti du patient quant à sa prise en charge que cela soit sur des aspects purement physiques ou symptomatiques que sur des aspects psychologiques, sociaux ou environnementaux. Dans un contexte de fin de vie où les possibilités thérapeutiques sont limitées et où les symptômes peuvent être extrêmement invalidants, l’évaluation de la qualité de vie s’impose d’évidence.Afin d’appréhender le plus justement possible les particularités de la méthodologie permettant l’évaluation de la qualité de vie des patients en fin de vie atteints d’un cancer, il semblait important, dans un premier temps, de présenter le concept de « qualité de vie relative à la santé », afin de définir les éléments clés quant à sa compréhension et à son utilisation (définition, conceptualisation, instruments de mesures, analyse). La période de la fin de la vie étant une étape particulière de la vie d’un patient, nous avons dans un second temps, cherché à définir le cadre temporel de cette période et définir ainsi, plus précisément, les caractéristiques de la population étudiée. Il est en effet essentiel de tenir compte des spécificités de ces patients pour évaluer, le mieux possible, leur qualité de vie.Les articles relatifs à ce travail de recherche sont présentés dans une seconde partie et discutés ensuite.Ce travail souligne la nécessité de développer des instruments permettant l’évaluation de la qualité de vie des patients en fin de vie atteints d’un cancer dans le respect de leur sensibilité et de la méthodologie essentielle à la validation / In the last thirty years, health related quality of life has become an unavoidable endpoint in a clinical research context and in a therapeutic individualization context. Quality of life evaluation allows us to consider patient health care perceptions; in respect to physical or symptomatic domains or in respect to psychological, social or environmental domains. In a specific end of life context, where treatment opportunities are limited and adverse events could be extremely disabling, the evaluation of the quality of life is obvious. To distinguish more precisely the methodological subtleties of the evaluation of cancer patient end of life quality of life, it seemed important, firstly, to present the concept of health related quality of life, in order to define the main elements concerning both understanding and use of quality of life assessment (definition, conceptualization, tools, measuring instruments, analysis). Because the end of life is a specific time, we sought to define secondly, the time frame of this period, and therefore defined more precisely patient characteristics. It was essential to take into account the specificity of these patients to best evaluate their quality of life.Research related articles are presented in a second part of this work and discussed there afterThis work underlines the necessity to develop measuring instruments to permit quality of life evaluation in a context of end of life with respecting both patient needs and methodological requirements

Les nouveaux produits doivent relever le défi de répondre aux attentes changeantes des consommateurs, d'être différents pour chaque concurrent et aussi respecter l'environnement tout en générant du profit pour l'entreprise. Il conduit à réorganiser les processus de l'entreprise, surtout les processus de conception, de développement et les outils et méthodes pour répondre à cette demande. Ce projet de doctorat s'occupe d'élaborer une nouvelle méthodologie de conception intégrée à appliquer à un haut niveau stratégique à l'ensemble des industries de biens de consommation. Elle a été développée et appliquée à l'industrie d'articles de cuir en Thaïlande. La méthodologie de conception proposée s'appuie sur une approche de emotional design visant d'une part à mieux prendre en compte les attentes des clients et à les rendre actifs dans le processus de conception et d'autre part à représenter l'identité de la marque, ce qui est capital dans le processus de conception technique. Par conséquent, cette méthodologie englobe la satisfaction des clients, les bénéfices de la marque et l'optimisation des supports techniques. A la fin de cette étude, trois outils ont été mis au point : la matrice orientée client afin de prendre en compte les attentes des clients ; la matrice support de conception pour guider les concepteurs dans la création de nouveaux produits affichant l'identité de la marque ; la matrice de fabrication qui permet d'incorporer la fiabilité et les coûts de production. Les outils et les méthodes élaborés ont été mis en oeuvre et testés sur un cas original d'un fabricant de produits en cuir Thaïlandais.

Les glissements de terrain sont à l'origine de la destruction de nombreuses infrastructures routières, de bâtiments et causent la perte de vies humaines. L'observation des glissements de terrain est limitée par l'absence d'archives historiques précises. Sur les glissements de terrain superficiels forestiers, la dendrogéomorphologie permet de reconstruire, avec une résolution temporelle saisonnière et une emprise spatiale décamétrique, l'activité du processus, à partir de l'analyse des perturbations anatomiques contenues dans les cernes de croissance. 13 glissements de terrain superficiels forestiers, localisés dans la vallée de l'Ubaye ont été étudiés. L'analyse dendrogéomorphologique permet de densifier les chroniques historiques, d'obtenir des périodes de retour et d'améliorer nos connaissances sur le comportement spatial du processus. L'approche statistique basée sur un modèle de Poisson, permet de quantifier et de cartographier des probabilités de réactivation. La thèse proposera d'évaluer la robustesse de la reconstruction dendrogéomorphologique ainsi que le rôle des précipitations dans le déclenchement des évènements passé.

No description available.

Les systèmes et applications microélectroniques sont présentes partout dans notre civilisation humaine d’aujourd’hui, depuis le plus simple appareil de notre vie quotidienne jusqu’à des vaisseaux/robots spatiaux qui nous permettent d’observer des images des mondes lointains du Système Solaire et au-delà. L’industrie du semi-conducteur est devenue, depuis sa naissance dans les années 1960, l’une des plus grandes d’aujourd’hui et qui connait une croissance continue avec environ 350 milliards de dollars de chiffre d’affaires annuel. Le composant de base de la microélectronique est le transistor, qui depuis sa conception il y a environ 50 ans a subit une évolution impressionnante en termes de performances, coût et densité d’intégration, cette évolution a été soutenue par des investissements économiques et humains pour suivre ladite « Loi de Moore », qui prédit une augmentation du double de composants intégrés dans une puce tous les deux ans. Le Transistor à Effet de Champ Métal/Oxyde/Semi-conducteur (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET en anglais) est devenu le composant préféré pour les applications numériques dans l’industrie. Avec la miniaturisation du transistor, l’un des grands défis est de limiter l’impact de la variabilité du transistor, qui devient de plus en plus important lorsqu’on diminue les dimensions du composant. Deux transistors dessinés et fabriqués de manière identique peuvent présenter des caractéristiques très différentes; lorsque cette variabilité est de nature systématique, on peut trouver souvent un moyen technologique pour l’éliminer ou on peut modéliser les effets de manière très précise, ce qui n’est pas le cas lorsque la variabilité est de nature statistique, ce type de variabilité est de nature aléatoire et résulte de la nature granulaire de la matière et la difficulté de contrôler le positionnement des atomes, un-par-un, à un niveau industriel. Il est donc nécessaire de caractériser et modéliser la variabilité local statistique pour permettre de mieux prédire les effets indésirables dans des circuits complexes dus à ce type de variabilité et donc de mieux concevoir les produits pour qu’ils soit le plus robustes. Le but de ce projet est d’aller plus loin dans la manière d’appréhender la variabilité et de revisiter les moyens de caractérisation de la variabilité du MOSFET, développer des méthodes d’analyse de données pour extraire le maximum d’information pertinente sur les sources de variabilité et leur impact dans les performances des composants, le tout basé sur des données expérimentales obtenues sur des structures de test améliorées. L’un des points clés de notre méthode de caractérisation de la variabilité développée dans ce projet, est de permettre une modélisation statistique précise des variations du procédé de fabrication et leur impact dans l’environnement design; pour réussir notre objectif, les méthodes développées doivent fournir des paramètres statistiques avec un intervalle de confiance bien établi, et qui peuvent être implémentés dans des modèles statistiques dans la chaine design. Pour amener à bien les objectifs, ce projet bénéficie du support de STMicroelectronics et du Laboratoire IMEP-LACH, qui permettent l’accès à du silicium en technologie 28 nm avec des structures de test dédiées « fait maison » et à des équipements dernière génération de caractérisation. Le projet est principalement focalisé sur la variabilité locale (à l’échelle du micromètre et en dessous), que ce soit de nature systématique ou aléatoire. Cependant, quelques aspects de la variabilité à plus grande échelle (inter-puce) sont étudiés pour pouvoir discriminer les différentes sources de la variabilité locale. / Microelectronic systems and their applications are everywhere in the current human civilization, from the simplest gadget in our everyday life to fiction-like space probes which let us see wonderful pictures of other worlds within the Solar System and beyond. The semiconductor industry has become, since its inception in the 1960s, one of the largest and growing industries with approximately a 350 billion dollars market.The central device of microelectronics is the transistor, which has experienced enormous improvements in the last half century, boosted by the economic and human investments to follow the so-called “Moore’s law”, which states that the number of transistors in a chip doubles every two years. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) has become the preferred transistor in the industry for digital applications. With the miniaturization of the transistor, a major challenge is to deal with transistor Variability, as its impact becomes more and more important with decreasing size. Two identically fabricated transistors may present highly different characteristics; when this Variability is systematic in nature, we can often find a way to eliminate it using fabrication means or model it very accurately; nevertheless, Statistical Variability is the other major component of Local Variability which is more complicated to deal with; in fact, Statistical Variability is random in nature, as it results from de granular nature of matter and also from the difficulty of control atom per atom placement in an industrial level. Then, it becomes necessary to precisely characterize and model Local Statistical Variability for Variability-aware design to better predict circuit fails from simple standard circuits to final products.The purpose of this project is to go further in the characterization means of MOSFET Local Variability by revisiting existing test structures, and to develop methods of analysis to extract the maximum of relevant information about transistor Variability sources and impact from experiments conducted on improved test structures. One important merit for the Variability characterization methods developed in this project is to enable an accurate statistical modeling of Local Variations and their impact throughout the design space; to meet the goal, the methods developed must provide statistical parameters with well-established confidence, and be suited for implementation on statistical models within the circuit design flow.To achieve this objective, this work is a common project of STMicroelectronics and IMEP-LAHC laboratory, which benefit from access to 28 nm silicon technology home design test structures and state-of-the-art characterization facilities.The project is primarily focused on local variability (in micrometer scale and below), whether of systematic or statistical nature. Nevertheless, some aspects of Intrawafer and Systematic Variations are studied when it is necessary to discriminate Local Variability from other effects.