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Portraits of the Artist's Self ˸ translating Alexandre Vialatte's Battling le ténébreux / Portraits du soi de l’artiste ˸ Battling le ténébreux d’Alexandre Vialatte en traductionEgan, Frances 18 June 2019 (has links)
Alexandre Vialatte (1901-1971) se définissait de son vivant comme « notoirement méconnu ». Les ambiguïtés de l’écrivain-traducteur l’ont relégué en marge de la littérature française, mais elles suscitent de façon paradoxale une attention critique modeste aujourd’hui. Son premier roman Battling le ténébreux ou la mue périlleuse (1928) – roman d’apprentissage peu étudié et encore inédit en anglais – incarne parfaitement la qualité inclassable de l’auteur. Cette thèse se concentre sur le fait que Vialatte était traducteur ; elle avance l’hypothèse qu’une rencontre précaire entre les cultures française et allemande façonne Battling et, en parallèle, elle examine l’idée d’une identité « en traduction ». À ce titre, nous adoptons une « lecture traductionnelle » du texte où la pratique de la traduction (vers l’anglais) alimente une étude littéraire. En raison de la nature interdisciplinaire de la traduction, nous nous appuyons non seulement sur la traductologie, mais aussi sur la littérature comparée, la création littéraire et les études féministes, afin de donner corps à un espace polyphonique et créatif entre sujets et cultures. Notre analyse du texte porte sur la « mue périlleuse » du héros moderniste et s’organise autour de deux rencontres intersubjectives : tandis que le protagoniste du roman rencontre son objet de désir (une femme allemande) et se trouve déstabilisé, le traducteur rencontre l’écrivain pour problématiser le texte original. À travers ces deux affrontements, nous bouleversons les dichotomies de soi et autre, original et traduction, pour finalement imaginer une identité plurielle et éthique en traduction. / Alexandre Vialatte’s (1901-1971) self-proclaimed label – ‘notoirement méconnu’ – continues to define him today. The writer-translator’s incongruities have relegated him to the margins of the French literary canon yet paradoxically attract a modest academic following. His first novel Battling le ténébreux ou la mue périlleuse (1928) – a little-studied and currently untranslated coming of age tale – exemplifies the rich placelessness that defines the author. This thesis contextualises Battling in light of Vialatte’s position as translator. It suggests the text is informed by an uneasy encounter between French and German cultures and geographies and, in parallel, it investigates the very notion of an identity ‘in translation’. This thesis adopts a translational approach whereby my own process translating Battling into English frames a literary study of the text. Given the multifaceted nature of translation, such an approach is interdisciplinary: it draws not only from translation studies (both theory and practice), but also from comparative literature, creative writing, and feminist studies, to map a polyphonous and multifaceted space between subjects and cultures. The analysis centres on the modernist hero’s ‘mue périlleuse’, or coming of age, and structures itself around two intersubjective encounters; as Vialatte’s protagonist meets his foreign and feminine Other to find insecurity, translator meets writer to problematise the original text. Through these two encounters, this thesis works to unsettle the binaries of self and other, original and translation, to ultimately present a plural and ethical identity in translation.
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Les écritures de soi dans l'oeuvre de Gregor von Rezzori / Rezzori’s Writing of the SelfLehmann, Marie 05 December 2011 (has links)
Témoin des principaux événements géopolitiques de la première moitié du XXème siècle (l’effondrement de l’empire habsbourgeois, la Seconde Guerre mondiale, l’Anschluss et le procès de Nuremberg), Rezzori examine les contours de son identité dans le cadre des écritures de soi. Son but est d’interroger les conditions nécessaires à l’affirmation d’une voix individuelle alors que la réalité est entraînée dans un inexorable processus de dislocation et d’hétérogénéisation et qu’elle confronte le sujet à l’épreuve du décentrement et de la déterritorialisation. Loin de céder au pessimisme, Rezzori assume ses fêlures grâce à l’écriture autobiographique dont il remet en cause les modalités. Pour qu’elle intègre la part de négativité inhérente à son moi, l’auteur la fonde sur une stratégie mémorielle singulière : celle de l’Epochenverschleppung. Cette dernière le place dans une position anachronique, sans le couper du présent parce qu’elle l’oblige à sonder de manière critique les pertes endurées à la lumière du présent. Écrire ses déchirures dans un espace autobiographique renouvelé permet à Rezzori de laisser des traces et de résister ainsi au pouvoir d’effacement de l’Histoire. / Having witnessed the major geopolitical events of the first half of the 20th century (the fall of the Habsburg Empire, the Second World War, the Anschluss and the Nuremberg Trials), Rezzori explores the outlines of his own identity through his autobiographical writing. He aims to investigate the conditions that are necessary for asserting an individual voice in a reality characterised by a process of dislocation and disintegration, in which the subject is faced with its own decentralisation and deterritorialisation. Far from wallowing in pessimism, Rezzori confronts the crevices of his self in his autobiographical writing, while at the same time questioning the methods of such writing. In order to embrace the element of negativity that his self comprises, the author bases his autobiographical writing, in both its hypothetical and referential forms, on a unique memorial strategy: that of Epochenverschleppung. This places Rezzori in an anachronistic position without cutting him off from the present as it challenges him to examine past losses critically in the light of the present. By exploring the fissures in his identity in a renewed autobiographical space, Rezzori leaves his own imprint and thereby counteracts the obliterating power of History.
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Optical transitions in SiO2/crystalline Si/SiO2 quantum wells and nanocrystalline silicon (nc-Si)/SiO2 superlattice fabrication (Restricted for 24 months until Feb. 2006)Cho, Eun Chel, Electrical Engineering, UNSW January 2003 (has links)
Innovation in photovoltaic technology may offer cost competitive options to other energy sources and become a viable solution for the energy and environmental challenges of the 21st century. One proposed innovative technology is based on all-silicon tandem cells, which are constructed using superlattices consisting of environmental friendly Si and its compounds. The well and barrier materials in superlattices are restricted to silicon and silicon oxide during the present study. Single crystalline Si/SiO2 quantum wells (QWs) have been fabricated by thermal oxidation of silicon-on-insulator (SOI) wafers. It is found that oxide properties in QWs are important for SOI wafers prepared by the SIMOX (Separation by Implantation of Oxygen) technique. However, QWs fabricated from SOI wafers prepared by the ELTRAN (Epitaxial Layer TRANsfer) approach show the effect of quantum confinement without evidence of strong oxide interfacial transitions. In these wafers, evidence for an apparently ordered silicon oxide was found with 1.92?atomic fringe spacing along the (110) direction of the Si structure and with the thickness about 17?along the (100) direction of the Si structure. Luminescence wavelength ranges are from 700nm to 918nm depending on the Si thickness. The luminescence measurements on other positions of the sample show peak and shoulder spectra, which are explained by monolayer fluctuations in QW thicknesses, previously observed in III-V QWs and II-VI QWs. Si/SiO2 superlattices are fabricated by RF magnetron sputtering. Si density is the key issue in crystallizing the superlattice. High-density Si layers crystallize either under high temperature furnace annealing or rapid thermal process annealing. However, low density Si would not crystallize even at high temperature. Crystallized nanocrystals in the Si layers are observed by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) when the Si layer is thicker than 3nm. When Si layers are thinner than 3nm, the Si layers are discontinuous and finally deteriorate into small nanocrystals. The suitability of such superlattices for surface passivation and antireflection coatings is reviewed. Initial attempts to fabricate heterojunctions between Si wafers and Si/SiO2 superlattices resulted in open circuit voltage of 252mV. However, it is expected that better results would be obtained if Si/SiO2 superlattices were fully crystallized.
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Exploration of the Structure-of-Intellect - Learning Abilities Test in the context of learning difficulties in a rural area of NSWCooper Davis, Pamela, n/a January 1992 (has links)
The Structure-of-Intellect - Learning Abilities Test (SOI-LA) (Meeker, 1975) has
an enthusiastic following in the USA, but is little-known in Australia.
It is based on the Structure-of-Intellect model of J P Guilford, and through a
series of up to 26 subtests, purports to identify 14 general learning abilities.
Forms are designed to cater for students from Kindergarten to adult.
In NSW, classroom teachers can have support for students with learning
difficulties through the Support Teacher program; this support often falls far
short of need, as there is a paucity of time and material resources.
There is a need for a tool which can identify areas of both strength and weakness
efficiently and suggest effective strategies to cater for the identified
weaknesses; the Meeker paradigm is purported to address this need with a
diagnostic approach which identifies learning disabilities which underlie and
serve to maintain school-based learning difficulties, and prescribes materials and
approaches for remediation.
This study explores the first part of the Meeker paradigm, the diagnostic approach
of the Structure-of-Intellect - Learning Abilities Test. This exploration is
undertaken in the context of four rural Support Teachers and their student with
learning difficulties from Grades 2-6. Rather than consider questions of the
Test's validity, this study was designed to explore the Test's utility in the
Support Teacher context, by giving the Support Teachers a working knowledge of the
concepts of SOI-LA, and to compare the application of their knowledge with the
information about their students' learning disabilities from the Test results.
Problems are evident with the Support Teachers' knowledge and understanding of
their students' disabilities; whist they felt comfortable about the approach
which the Test takes, they felt they did not know their students well enough to
make informed judgements about their disabilities. It was apparent from the study
that the Support Teachers' understanding of the concepts of the Test was
comparatively superficial, despite their impression that they did understand well.
Several difficulties with the instrument itself are highlighted by this study; the
assumptions underlying the derivation of the general ability scores are
questioned, and the suitability of Test Forms for a learning disabled population
of this age is open to criticism.
The Structure-of-Intellect - Learning Abilities Test may have utility as an
instrument for gaining information about a student's disability on an individual
basis, and may be best in the hands of the School Counsellor.
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Genre et goût pour la compétition : une approche par l'économie expérimentaleDargnies, Marie-Pierre 27 November 2009 (has links) (PDF)
Cette thèse s'intéresse à une explication particulière pour l'effet de plafond de verre auquel sont confrontées les femmes sur le marché du travail: une différence hommes-femmes de préférence pour la compétition. L'approche expérimentale retenue ici permet de contrôler un certain nombre de facteurs qui influencent les comportements compétitifs et qui sont impossibles à démêler en observant le marché du travail. Un premier chapitre traite de la surconfiance et propose plusieurs incitations pour réduire ce biais cognitif. Le deuxième chapitre étudie l'effet de la compétition en équipe sur la différence hommes-femmes de goût pour la compétition. Alors que les femmes ne sont pas plus attirées par la compétition en équipe que par la compétition individuelle, les hommes fuient la compétition en équipe alors qu'ils entraient massivement dans la compétition individuelle. La raison principale de cette désaffection des hommes pour la compétition en équipe est leur crainte d'être associé à un coéquipier moins performant qu'eux. L'effet de l'identité de groupe sur les comportements compétitifs est analysé dans le troisième chapitre. La volonté de concourir des femmes n'est pas nettement affectée par l'appartenance à un groupe tandis que les hommes deviennent plus enclins à entrerdans le tournoi en équipe sans connaître la qualité de leur coéquipier. Ils prennent donc des décisions qui bénéficient d'avantage à leur groupe quitte à augmenter le risque d'être associé à un coéquipier peu performant.
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Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissanceBon, Olivier 03 March 2008 (has links) (PDF)
Le marché croissant des télécommunications est demandeur de circuits à la fois très performants (vitesse de commutation, haut débit, etc.) mais aussi à faible consommation, surtout dans le cas de systèmes portables. Le SOI-CMOS a déjà démontré son potentiel pour réduire la consommation à même vitesse de commutation par rapport au CMOS sur matériau silicium massif, à condition que le film de SOI soit suffisamment mince (inférieur ou égal à la profondeur de jonction source/drain). Plus récemment, la caractérisation de fonctions RF dans ce type de technologie a montré que le SOI pouvait être un bon candidat pour mixer des fonctions RF et digitales. Cependant, ce type d'intégrations dites « System On Chip » ne peut être complet sans une intégration des fonctions de puissances associées. La faisabilité d'intégrer en technologie CMOS sur SOI mince (< 0.1¼m) des composants haute tension (BVds de l'ordre de 15V) de type LDMOS, leur conception et les performances sont étudiées dans cette thèse. Dans un premier temps, les différentes technologies de puissance sur silicium sont présentées, en particulier les différentes applications visées, les types de composants existants et enfin le problème central de l'introduction d'une haute tension dans un circuit : l'isolation entre blocs. Ensuite, en plus des avantages que présente une technologie SOI, l'intérêt du SOI pour des applications de puissance est démontrée. Dans les deux dernières parties, la conception des transistors haute tension sur SOI fin est expliquée. Les aspects de caractérisations statiques et dynamiques, de fiabilité, de comportement thermique et énergétique sont abordés ; ce qui permet de conclure qu'une telle solution technologique est tout à fait industrialisable et permet d'atteindre l'état de l'art actuel.
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ETUDE, REALISATION ET CARACTERISATION D' INTERCONNEXIONS RADIOFREQUENCES POUR LES CIRCUITS INTEGRES DES GENERATIONS A VENIRTriantafyllou, Anna 09 May 2006 (has links) (PDF)
L'évolution qui caractérise principalement le domaine de la microélectronique est la réduction des dimensions des circuits intégrés. L'industrie des semi-conducteurs n'a cessé d'améliorer ses produits en augmentant la densité d'intégration et la vitesse de fonctionnement. Pourtant, les effets de la réduction des dimensions ne se limitent pas à un simple facteur d'échelle puisque des limitations physiques et technologiques font surgir de nouvelles contraintes. Parmi celles ci, les limitations induites par la miniaturisation des réseaux d'interconnexions constituent un facteur critique pour les performances des circuits intégrés des générations à venir. Le retard des signaux à transmettre, la consommation de puissance et de surface sont des éléments qui conduisent à proposer des systèmes d'interconnexions innovants, au delà du cuivre et des matériaux de basse permittivité. La faisabilité des interconnexions radiofréquences est évaluée au cours de cette étude, comme une solution alternative face aux limitations des interconnexions traditionnelles. La transmission des informations avec des ondes électromagnétiques émises et détectées par des antennes intégrées pourrait résoudre le problème de retard de propagation des signaux et permettre de réduire la surface occupée et la puissance consommée.Les performances des antennes intégrées sur substrat silicium bulk ou SOI sont étudiées par des moyens théoriques et expérimentaux dans la bande de fréquence allant de 10 GHz à 40 GHz. L'impact des matériaux sur l'amplitude de la puissance transmise est analysé. Les mesures réalisées sur les prototypes des dipôles montrent un excellent gain de transmission de l'ordre de -10 dB..
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l'automobile : un espace vecu comme un autre chez-soidubois, nicolas 26 January 2004 (has links) (PDF)
Cette recherche analyse les dimensions affectives et symboliques de la relation entre les automobilistes et leur voiture. Elle vise à dégager les raisons qui conduisent certains conducteurs à se sentir comme chez eux dans leur voiture. Pour cela, nous avons étudié le vécu de conducteurs à partir des liens entre leurs attitudes à l'égard de leur voiture, de leur logement, de l'appropriation de l'habitacle et l'existence, dans l'automobile, de comportements issus du logement et du travail. Une recherche empirique a été réalisée. Les résultats montrent que les attitudes affectives et symboliques influencent la relation à l'automobile et s'associent à un vécu plus riche. Le sentiment d'être comme chez soi dans sa voiture renvoie aux idées de familiarité, d'intimité, de convivialité, d'identité, d'autonomie, de centralité et à un espace personnalisé et contrôlé. Dans cette perspective, deux types de conducteurs ont été distingués en fonction de leurs attitudes vis-à-vis du logement.
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Etude de l' effet de l'énergie des ions lourds sur la sensibilité des composants électroniquesRaine, Melanie 27 September 2011 (has links) (PDF)
Ce mémoire de thèse traite de l'étude de la sensibilité des composants électroniques avancés en milieu radiatif. Le travail porte sur la modélisation détaillée du dépôt d'énergie induit par un ion lourd dans la matière, et sur l'influence de la prise en compte de cette trace d'ion dans les outils de simulation de la réponse de composants irradiés. Dans ce but, nous avons développé une chaîne de simulation, combinant différents codes de calcul à des échelles variées. Dans une première étape, le code d'interactions particule-matière Geant4 est ainsi utilisé pour modéliser la trace d'ion. Ces traces sont ensuite implémentées dans un code de simulation TCAD, afin d'étudier la réponse de transistors élémentaires à ces dépôts d'énergies détaillés. Cette étape est complétée par des mesures expérimentales. Enfin, l'étude est étendue au niveau circuit, en interfaçant les traces d'ions avec un outil de prédiction des SEE. Ces différentes étapes mettent en évidence la nécessité de prendre en compte la dimension radiale de la trace d'ion à tous les niveaux de simulation, pour modéliser de façon adéquate la réponse de composants avancés sous irradiation par des ions lourds.
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Etude des interactions dans un circuit de puissance monolithiqueDartigues, Alexandre 29 November 2001 (has links) (PDF)
L'intégration monolithique des composants de puissance se justifie par la réduction des coûts de fabrication et par l'amélioration des performances des dispositifs électroniques de puissance en termes de fonctionnalités et de fiabilité. Pour l'heure, ce domaine de l'électronique de puissance ne concerne que les applications faible et moyenne puissance. En effet l'isolation entre les différentes fonctions électriques demeure l'aspect le plus pénalisant en ce qui concerne la fiabilité de ce type de composant. Dans cette étude nous nous proposons de caractériser deux types d'isolation. Notre travail porte tout d'abord sur l'interaction puissance-commande entre un nouveau composant de puissance à grille isolée bidirectionnel en tension, le MBS (Mos Bidirectional Switch), et sa commande intégrée. Il s'agit alors de montrer les limites de l'isolation par jonction PN lorsque le niveau de tension atteint quelques centaines de volts (600 V). Des modèles sont développés pour permettre de comprendre les phénomènes de génération des perturbations durant les différents régimes de fonctionnement de l'interrupteur de puissance. Dans un second temps, nous nous intéressons à l'étude des interactions entre composants de puissance au travers de la caractérisation de l'isolation diélectrique des composants sur SOI (Silicon On Insulator). Nous déterminons alors le couplage capacitif qui existe entre deux caissons d'isolation et qui peut conduire à un déclenchement parasite des composants réalisés à l'intérieur. Enfin l'ensemble de notre réflexion sur les performances des deux types d'isolation est synthétisée dans un bilan comparatif, dont l'objectif final est de mieux cerner les domaines d'applications de ces deux choix technologiques.
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