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Simulation der Entstehung von Versetzungsstrukturen am Beispiel von AlMg5MnKuhlmeyer, Andreas. January 2003 (has links) (PDF)
Hannover, Universiẗat, Diss., 2003.
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Formation and properties of dislocations during crystal growth of bulk silicon carbide by the physical vapor transport method /Sakwe, Sakwe Aloysius. January 2008 (has links)
University, Diss--Erlangen-Nürnberg, 2008. / Parallelsachtt.: Entstehung und Eigenschaften von Versetzungen während der Gasphasenzüchtung von Silizium-Karbid Einkristallen.
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Versetzungen in dünnen MetallschichtenBlanckenhagen, Burghard von. January 2002 (has links)
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2002.
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Theoretische Bestimmung der Elektronenzustände von Versetzungen und Versetzungsdefekten in Silizium und GermaniumVeth, Hermann, January 1983 (has links)
Thesis--Göttingen. / In Periodical Room.
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Versetzungen in dünnen MetallschichtenBlanckenhagen, Burghard von. January 2002 (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2002--Stuttgart.
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Formation and properties of dislocations during crystal growth of bulk silicon carbide by the physical vapor transport methodSakwe, Sakwe Aloysius January 2007 (has links)
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2007
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Dynamics and defects of complex crystals and quasicrystals perspectives from simple model systems /Engel, Michael, January 2008 (has links)
Stuttgart, Univ., Diss., 2008.
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Electro-optical properties of dislocations in silicon and their possible application for light emittersArguirov, Tzanimir V. Unknown Date (has links) (PDF)
Cottbus, Techn. University, Diss., 2007.
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Numerische Simulation des mechanischen Verhaltens von QuasikristallenSchaaf, Gunther. January 1998 (has links)
Stuttgart, Univ., Fakultät Physik, Diplomarb., 1998.
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Untersuchungen zur Plastizität und Versetzungsanordnung von StrontiumtitanatTaeri-Baghbadorani, Shahram. January 2002 (has links)
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2002. / Reihennummer doppelt vergeben.
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