Solární články na bázi arsenidu gallia patří mezi nejvýkonější typ dostupných solárních článků vůbec. Jejich výhodou je výborná odolnost vůči tepelnému a ionizujícímu záření, a proto se využívají zejména v náročných podmínkách. Tato disertační práce popisuje stav GaAs fotovoltaických článku vystavených vůči tepelnému namáhání, vysokému ochlazování, gama záření a ozáření širokospektrálním laserem. Vzorky byly zkoumány před, po a i během těchto procesů pomocí několika analytických a charakterizačních metod. Měření bylo zaměřeno na charakterizaci povrchu, optických a elektrických vlastností. Byly objeveny limity a nové chování tohoto typu článků, které jsou ovlivněny i tenkými ochrannými a antireflexními vrstvami.

Tato diplomová práce se zabývá přípravou nanostruktur z indium arsenidu (InAs) pomocí metody molekulární svazkové epitaxe (MBE). Důraz je kladen na výrobu struktur ve formě nanodrátů na křemíkovém substrátu. V úvodní části práce je popsána motivace pro studium III-V polovodičů a konkrétně InAs. Následující kapitoly vysvětlují dva základní princpy tvorby nanodrátů. Experimentální část práce diskutuje možnost přípravy indiového katalyzátoru pro samokatalyzovaný růst InAs nanodrátů v konkrétní aparatuře MBE. Následuje prezentace výsledků růstu InAs nanodrátů mechanismem selektivní epitaxe (SAE). Nanodráty byly vyrobeny na substrátu s termálně dekomponovaným oxidem a rovněž na substrátech s litograficky připravenou oxidovou maskou.