Background: The video game industry has yet to achieve a physically-based real-time avalanche simulation because of the sheer complexity of modeling the behavior of snow avalanches. An avalanche is made out of snow, meaning it would require a snow simulation which itself already shows to be complex. However, a real-time snow simulation has shown up recently, making this thesis worth investigating. Objectives: The proposed method will take advantage of a real-time snow simulation framework to animate slab and powder-snow avalanches. The powder-snow avalanche is divided into two types: a loose-snow avalanche and a powder-cloud avalanche. Animating the avalanches will require tuning the parameters to get the different types and calculate the release area on a terrain. Lastly, a survey is sent out to verify the viability for use in games of the avalanches. The performance will be measured and analyzed along with the gathered data from the survey. Methods: Two particle systems were used to animate the avalanches. The Discrete Element Method was used to animate the slab and loose-snow avalanches, whereas the powder-cloud avalanche utilized the Smoothed Particle Hydrodynamics method. A procedural Voronoi pattern was used for generating the slabs and hypertexture to render the powder-cloud. In contrast, a fluid renderer was used to render the snow. Results: Measurement of the proposed avalanche animations was conducted and analyzed. The proposed slab and loose-snow avalanches reached real-time performance depending on the number of particles and the shading when rendering the scenes. However, the powder-snow avalanche did not fulfill the real-time performance criteria. Furthermore, the survey was used to verify if the proposed avalanche animations were viable for games. Both the slab and loose-snow avalanches were seen as viable for use in games, while the powder-snow avalanche was not seen as viable for games. Conclusions: The proposed slab and loose-snow avalanche animations ran in real-time with a dynamic particle count of 300k or lower, without shaded rendering, or 75K or lower with shaded rendering. Both avalanches were seen as viable for use in video games. Furthermore, the powder-snow avalanche could not reach a real-time performance of over 30 frames per second and was not seen as viable for use in video games. Further research is needed for the powder-snow avalanche. / Bakgrund: Dataspelsbranschen har ännu inte uppnått en fysikbaserad lavinanimation i realtid på grund av dess komplexitet att modellera lavinbeteende. En lavin består utav snö, som i sig själv visas redan vara komplext att simulera. Dock, en realtidssnösimulering har dykt upp nyligen, som gör detta arbetet värt att undersöka. Syfte: Den föreslagna metoden kommer att utnyttja ett realtidssnösimuleringsramverk för att animera flaklaviner och snödammslaviner. Snödammslaviner delas in i två typer: en lössnö-del som är kärnan och en snödamms-del som är snön som virvlas upp i luften. För att animera lavinerna kommer parametrarna justeras för att få fram de olika typerna och beräkna utlösningsområdet på terrängen. Slutligen skickas en enkät ut för att verifiera om de föreslagna lavinerna kan användas inom spel. Prestandan kommer att mätas och analyseras tillsammans med den samlade datan från undersökningen. Metod: Två partikelsystem användes för att animera lavinerna. Diskreta elementmetoden användes för att animera flaklavinen och lössnölavinen, medan snödammslavinen animerades med SPH-metoden. Ett procedurellt Voronoi-mönster användes för att generera bitarna i snöflaket och hypertexturer för att rendera snödammslavinen. Däremot användes en rendering för vätskor för att rendera snön. Resultat: Mätning av de föreslagna lavinanimationerna genomfördes och analyserades. De föreslagna flaklavinen och lössnölavinen nådde realtidsprestanda, med rendering. Där prestandan berodde på antalet partiklar och rendering. Snödammslavinen uppfyllde dock inte kriterierna för realtidsprestanda. Dessutom användes en enkät för att kontrollera om de föreslagna lavinanimationerna kunde användas för dataspel. Både flaklavinen och lössnölavinen sågs passande för användning i dataspel, däremot sågs snödammslavinen inte vara användbar i dataspel. Slutsatser: De föreslagna animationerna av flaklavinen och lössnölavinen exekverades i realtid med ett dynamiskt partikelantal på 300 tusen eller lägre, utan rendering, eller 75 tusen eller lägre med rendering. Båda lavinerna ansågs passande för användning i dataspel. Snödammslavinen kunde dock inte nå en realtidsprestanda på över 30 bilder per sekund och då ansågs inte vara lämplig för användning inom dataspel. Det behövs ytterligare forskning på att animera snödammslavinen för använding inom dataspel.

This paper extends Beviá and Corchón (2013) to a model with both endogenous contestable prize and endogenous relative strength. Such a setting is ideal for the study of intra-organizational rivalries, commonly observed in family, sports, promotion, and duopoly. We find that when the game starts with asymmetric players, the weaker player exerts more effort than the stronger player. As a result, the weaker player partially overcomes the disadvantage of being weak. In this setting, neither domino nor avalanche effect exists.

L’infrarouge proche (1.5-2μm) ou SWIR (Short Wavelength Infrared) est une région particulièrement adaptée à la mesure de gaz à effet de serre par lidar à absorption différen- tielle (DIAL). En effet, (i) cet intervalle spectral contient des raies d’absorption intenses pour les principaux gaz à effet de serre (CO2, CH4, H2O, etc.) (ii) le taux d’extinction lors de la propagation du faisceau laser y est faible (iii) c’est une région spectrale dite en sécurité oculaire. Bien qu’abordée avec les moyens existants (détection hétérodyne), la mesure DIAL dans le SWIR a longtemps souffert de l’absence de photo-détecteurs ultra-sensibles. Les développements récents (années 2000) portant sur les photodiodes à avalanche (APD) HgCdTe ont changé la donne. En effet, ces dernières présentent de remarquables qualités d’amplification car elles allient trois propriétés fondamentales : un faible excès de bruit, un très faible courant d’obscurité et des gains importants. De telles propriétés sont essentielles pour les applications reposant sur la détection de très faibles signaux et en particulier le lidar.Dans cette thèse, nous analysons les performances d’un détecteur monopixel (200 μm) à base d’APD HgCdTe (conçu sur mesure par le CEA-LETI) dans le cadre de mesures expérimentales de la concentration de CO2 atmosphérique par lidar DIAL. L’émetteur laser est également un prototype, précédemment développé au Laboratoire de Météoro- logie Dynamique. Il produit alternativement des impulsions de 10 mJ à deux fréquences contrôlées dans la plage 2050-2054nm, le tout à une fréquence de répétition de 2kHz. Grâce à l’association de ces deux technologies de pointe nous avons pu effectuer les pre- mières mesures DIAL utilisant la technologie HgCdTe APD.Les expériences menées nous ont permis de confirmer le remarquable niveau de per- formances en sensibilité attendu (75 photons de bruit par temps caractéristique d’une bande passante de 20 MHz) et soulignent le potentiel futur d’un tel capteur pour toutes les applications faible flux dans le SWIR. Concernant les mesures DIAL, nous avons ob- tenu expérimentalement une précision relative de 10-20 % sur la concentration en CO2 pour une mesure dans la couche limite avec une résolution de 100 m - 4 s sur une portée de 1.5km. Par ailleurs, l’analyse fine de la réponse impulsionnelle de la photodiode à avalanche révèle une dégradation notable du long term settling time lorsqu’on la pola- rise. Ce phénomène contraint la plage d’utilisation du capteur, ce que nous discutons en tenant ce comportement du détecteur dans une simulation lidar. / The Short Wavelength Infrared (SWIR) region (1.5-2 μm) is well adapted for diffe- rential absorption lidar technique (DIAL) for several reasons : (i) it covers absorption bands with suitable intensity for the main greenhouse gases (CO2, CH4, H2O, etc.) (ii) the extinction due to particles is low (iii) it belongs to the eye safe domain. However, one main drawback has long been the lack of efficient photodetectors for such frequencies. A major enhancement occurred in the early 2000s when it was understood that HgCdTe avalanche photodiodes (APD) present close to unity excess noise factor on top of high gain and very low dark current. These features make this technology an almost ideal amplifier, especially useful for ultra low flux applications such as lidar.In this thesis, we analyze the performances of a custom large diameter (200μm) monopixel HgCdTe-APD based detector (designed at CEA-LETI) in the framework of atmospheric CO2 measurements with the DIAL technique. The laser emitter, a custom solid-state Ho :YLF laser developed at the Laboratoire de Météorologie Dynamique, is tunable in the 2050-2054nm range and produces 10 mJ pulses at a repetition rate of 2kHz. This emitter is associated to a detection chain adapted to the HgCdTe APD based detector to provide the first atmospheric DIAL measurements using the HgCdTe APD technology.Experiments confirmed the outstanding sensitivity of the detector (75 noise photons per characteristic time given a 20MHz bandwidth) and highlight the huge potential of this technology for any application relying on low light flux detection in SWIR. With the system previously mentioned, we reach an precision of 10-20 % on CO2 mixing ratio for a time-space resolution of 100 m and 4 s for measurements in the atmospheric boundary layer. Regarding the detector impulse response, we have shown evidence of a negative influence of reverse bias on the long term settling time of the APD. This phenomenon limits the dynamic range of useful signals and contraints the DIAL system. Thanks to numerical simulation taking into account this behaviour, we derive numerically expected biases on DIAL measurements.

Mes travaux de thèse dans les laboratoires SATIE de ENS de Cachan et Ampère de l’INSA de Lyon se sont déroulés dans le cadre du projet Gestion OptiMisée de l'Energie (GENOME) pour étudier le potentiel de certains composants de puissance (JFET, MOSFET et BJT) en carbure de silicium (SiC) dans des convertisseurs électroniques de puissance dédiés à des applications aéronautiques suite au développement de l'avion plus électrique. La première partie de mes travaux étudie la robustesse de MOSFET et BJT en SiC soumis à des régimes de court circuit. Pour les MSOFET SiC, en soumettant ces transistors à la répétition de plusieurs courts-circuits, nous observons une évolution du courant de fuite de grille qui semble être un bon indicateur de vieillissement. Nous définissons une énergie critique répétitive pour évaluer la robustesse à la répétition de plusieurs courts-circuits. Aucun effet significatif de la température ambiante n’a pu être mis en évidence sur la robustesse des MOSFET et BJT SiC sous contraintes de court-circuit. Pour les MOSFET, nous avons également constaté une élévation significative du courant de fuite de grille en augmentant de 600V à 750V la tension, ce qui se traduit également par une défaillance plus rapide. Après ouverture des boîtiers des MOSFET Rohm ayant présenté un court-circuit entre grille et source après défaillance, on remarque une fusion de la métallisation de source qui vient effectivement court-circuiter grille et source. Dans ce mode de défaillance particulier, le court-circuit entre grille et source auto-protège la puce en lui permettant de s’ouvrir.La deuxième partie de ce mémoire est consacrée à l’étude de JFET, MSOFET et BJT SiC en régime d’avalanche. Les JFET de SemiSouth et les BJT de Fairchild présentent une bonne robustesse à l’avalanche. Mais le test d'avalanche révèle la fragilité du MOSFET Rohm puisqu’il entre en défaillance avant d’entrer en régime d’avalanche. La défaillance du MOSFET Rohm et sa faible robustesse en régime d’avalanche sont liées à l’activation du transistor bipolaire parasite. Le courant d'avalanche n’est qu’une très faible partie du courant dans l’inductance et circule du drain/collecteur à la grille/base pour maintenir le transistor en régime linéaire. Une résistance de grille de forte valeur diminue efficacement le courant d'avalanche à travers la jonction drain-grille pour le JFET.La troisième partie concerne l’étude de la commutation de BJT SiC à très haute fréquence de découpage. Nous avons dans un premier temps cherché à valider des mesures de pertes par commutation. Après avoir vérifié l'exactitude de la méthode électrique par rapport à une méthode calorimétrique simplifiée, nous montrons que la méthode électrique est adaptée à l’estimation des pertes de commutation mais nécessite beaucoup d’attention. En raison de mobilité élevée des porteurs de charge dans le SiC, nous montrons que le BJT SiC ne nécessite pas l’utilisation de diode d’anti-saturation. Enfin, aucune variation significative des pertes de commutation n’a pu être constatée sur une plage de température ambiante variant de 25°C à 200°C.La quatrième partie concentre l’étude du comportement de MOSFET SiC sous contraintes HTRB (High Temperature Reverse Bias) et dans une application diode-less dans laquelle les transistors conduisent un courant inverse à travers le canal, exception faite de la phase de temps mort pendant laquelle c’est la diode de structure qui assurera la continuité du courant dans la charge. Les résultats montrent que la diode interne ne présente aucune dégradation significative lors de la conduction inverse des MOSFET. Le MOSFET Cree testé montre une dérive de la tension de seuil et une dégradation de l’oxyde de grille qui sont plus significatives lors des essais dans l’application diode-less que sous des tests HTRB. La dérive de la tension de seuil est probablement due au champ électrique intense régnant dans l’oxyde et aux pièges de charge dans l'oxyde de grille. / My PhD work in laboratories SATIE of ENS de Cachan and Ampère of INSA de Lyon is a part of project GEstioN OptiMisée de l’Energie (GENOME) to investigate the potential of some Silicon carbide (SiC) power devices (JFET, MOSFET and BJT) in power electronic converters dedicated to aeronautical applications for the development of more electric aircraft.The first part of my work investigates the robustness of MOSFET and SiC BJT subjected to short circuit. For SiC MOSFETs, under repetition of short-term short circuit, a gate leakage current seems to be an indicator of aging. We define repetitive critical energy to evaluate the robustness for repetition of short circuit. The effect of room temperature on the robustness of SiC MOSFET and BJT under short circuit stress is not evident. The capability of short circuit is not improved by reducing gate leakage current for MOSFET, while BJT shows a better robustness by limiting base current. For MSOFET, a significant increase in gate leakage current accelerates failure for DC voltage from 600V to 750V. After opening Rohm MOSFETs with a short circuit between gate and source after failure, the fusion of metallization is considered as the raison of failure. In this particular mode of failure, the short circuit between gate and source self-protects the chip and opens drain short current.The second part of the thesis is devoted to the study of SiC JFET, MSOFET and BJT in avalanche mode. The SemiSouth JFET and Fairchild BJT exhibit excellent robustness in the avalanche. On the contrary, the avalanche test reveals the fragility of Rohm MOSFET since it failed before entering avalanche mode. The failure of Rohm MOSFET and its low robustness in avalanche mode are related to the activation of parasitic bipolar transistor. The avalanche current is a very small part of the current in the inductor. It flows from the drain/collector to the gate/base to drive the transistor in linear mode. A high-value gate resistance effectively reduces the avalanche current through the drain-gate junction to the JFET.The third part of this thesis concerns the study of switching performance of SiC BJT at high switching frequency. We initially attempted to validate the switching loss measurements. After checking the accuracy of the electrical measurement compared to calorimetric measurement, electrical measurement is adopted for switching power losses but requires a lot of attention. Thanks to high carrier charge mobility of SiC material, SiC BJT does not require the use of anti-saturation diode. Finally, no significant variation in switching losses is observed over an ambient temperature range from 25°C to 200°C.The fourth part focuses on the study of SiC MOSFET behavior under HTB (High Temperature Reverse Bias) and in diode-less application in which the transistors conduct a reverse current through the channel, except for the dead time during which the body diode ensure the continuity of the current in the load. The results show that the body diode has no significant degradation when the reverse conduction of the MOSFET. Cree MOSFET under test shows a drift of the threshold voltage and a degradation of the gate oxide which are more significant during the tests in the diode-less application than under HTRB test. The drift of the threshold voltage is probably due to intense electric field in the oxide and the charge traps in the gate oxide.

Le fort développement actuel des systèmes électroniques embarqués nous conduit à relever le défi de leur fiabilisation, ceci d’autant plus que des organes de sécurité sont souvent concernés et que ces systèmes opèrent dans des conditions environnementales difficiles avec une exigence de réduction de coût drastique. Ce qui caractérise le mieux l’évolution récente de ces systèmes électroniques embarqués c’est une forte intégration qui conduit à réduire leur encombrement et leur poids tout en augmentant la puissance électrique convertie. Il en résulte automatiquement une augmentation de la densité de puissance dissipée et l’étude de leur comportement électrothermique prend, dans ces conditions, une importance fondamentale. Le présent travail concerne le développement d’outils précis de modélisation électrothermique qui permettent d’appréhender l’impact de la technologie choisie (conception, connectiques, matériaux …) sur les phénomènes causés par les défauts qui apparaissent avec le vieillissement. Des règles de robustesse spécifiques à chaque technologie pourront être édictées à l’aide de simulations 3D distribuées présentées dans le mémoire. Dans un premier temps la modélisation électrothermique compacte a été abordée. Ensuite, en se limitant aux modules MOS de puissance, une première classe de problèmes caractérisée par l’absence de commutation peut être traitée en ayant recours à une modélisation électrothermique par éléments finis qui considère que le composant est constitué par un ensemble de zones de résistivités électriques et de conductivités thermiques différentes. Une tentative a été faite en vue d’étendre l’étude électrothermique aux classes de problèmes mettant en œuvre des MOS de puissance fonctionnant en régime de commutation. Le modèle électrique distribué doit alors être capable de calculer et de répartir les pertes totales (état passant, état bloqué et commutation) pour un régime de commutation rapide. Enfin, un soin particulier a été accordé à l’étude du fonctionnement en avalanche, une méthode basée sur l’expérimentation et l’utilisation d’un modèle électrothermique simple afin d’estimer la température de jonction d’un MOSFET de puissance lors de son fonctionnement en régime d’avalanche de courte durée a été développée. Pour conclure, on a démontré qu’il n’existe pas une réponse unique en termes de modélisation électrothermique et que chaque méthode vise à résoudre une classe spécifique de problèmes / The strong current development of embedded electronic systems leads us to the challenge of their reliability, all the more so as the security organs are often involved and that these systems operate in harsh environmental conditions with a requirement to reduce cost drastically. What best characterizes the recent evolution of the embedded electronic systems is a strong integration that leads to reduce their size and weight while increasing the electrical power converted. This automatically increases the power density dissipated and so the study of their electro-thermal behavior becomes of fundamental importance. The present work concerns the development of specific tools that allow electro-thermal modeling to understand the impact of the chosen technology (design, connections, materials ...) on the phenomena caused by defects that occur with ageing. Robustness rules specific to each technology may be adopted using 3D simulations presented in the report. At first, compact electro-thermal modeling was discussed. Second, considering power MOS modules which operate in a non-switching mode, a first class of problems can be treated by using a finite element electro-thermal modeling that assumes that the components act as a set of zones whose electrical and thermal conductivities are different. An attempt was made to extend the electro-thermal study to classes of problems where power MOSFETs are switching. Distributed electrical models must then be able to calculate and allocate total losses (on-state, off-state and switching) for a fast switching rate. Finally, particular attention has been given to the study of avalanche mode operation; a method based on experimentation and the use of a simple electro-thermal model to estimate the junction temperature of a power MOSFET when operating in short duration avalanche mode has been developed. To conclude, we have demonstrated that there is no single answer in terms of electro-thermal modeling and each method developed aims to solve a specific class of problems

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(医学) / 甲第18874号 / 医博第3985号 / 新制||医||1008(附属図書館) / 31825 / 京都大学大学院医学研究科医学専攻 / (主査)教授 渡邉 大, 教授 山田 亮, 教授 福山 秀直 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Medical Science / Kyoto University / DFAM

Single-photon avalanche diodes’ (SPADs) capabilities of detecting even a single photon with excellent timing resolution and compatibility with strong magnetic fields make them the most promising sensor for positron emission tomography imaging systems. With the advancements of silicon fabrication techniques, SPADs designed in standard planar complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) processes show competitive performance and a lower manufacturing cost. Additionally, CMOS SPADs have the potential for monolithic integration with other CMOS signal conditioning and processing circuits to achieve simple, low-cost, and high-performance imaging solutions. This work targets the design and optimization of SPAD sensors to improve their performance using low-cost standard CMOS technologies. Firstly, a detailed review on the SPADs in recent literature is presented. Then, the random telegraph signal (RTS) noise is investigated based on n+/p-well SPADs fabricated in a standard 130 nm CMOS process. Through the measurements and analysis, the RTS noise of a SPAD is found to correlate with its dark count rate and afterpulsing. Next, we design n+/p-well SPADs with field poly gates to improve the noise performance. Furthermore, a SPAD pixel, consisting of a p+/n-well SPAD and a compact and high-speed active quench and reset circuit is designed and fabricated in a standard TSMC 65 nm CMOS process. The post-layout simulations show that this pixel achieves a short 0.1 ns quenching time and a 3.35 ns minimum dead time. The measurement results show that the SPAD pixel has a dark count rate of 21 kHz, a peak photon detection probability of 23.8% at a 420 nm wavelength and a timing jitter of 139 ps using a 405 nm pulsed laser when the excess voltage is set to 0.5 V. Due to the short quenching time, almost no afterpulsing is observed even at a low operating temperature of -35 °C. Finally, a new differential quench and reset (QR) circuit consisting of two QR circuits on both the cathode and anode to quench and reset the SPAD through both terminals is proposed to reduce the reset time, to increase the count rate, to reduce the afterpulsing and to reject the common-mode noise. / Thesis / Doctor of Philosophy (PhD) / Positron emission tomography (PET) imaging is a powerful tool for diagnosis and assessment of cancers and tumors in the clinical field. Due to their capabilities of detecting even a single photon, excellent timing resolution, and their compatibility with magnetic fields to build PET/MRI (magnetic resonance imaging) multimodal imaging systems; single-photon avalanche diodes (SPADs) become the most promising sensor technology for PET imaging applications. SPADs fabricated in standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technologies allow for a lower manufacturing cost and present the potential to integrate with other CMOS circuits to form a complete imaging system. In this thesis, random telegraph signal noise in SPADs is investigated first. Then, the poly gate is used in the design of an n+/p-well SPAD to improve the noise performance. In addition, a compact and high-speed SPAD pixel is designed and fabricated using an advanced standard CMOS process. Thanks to the fast quench and reset circuit, the SPAD pixel achieves a very short quenching time and a high-count rate. Finally, a differential quench and reset (QR) circuit consisting of two QR circuits on both the cathode and anode to quench and reset the SPAD through both terminals is proposed and studied.

Arbetet har syftat till att undersöka hur och vilka verktyg som kan förbättra lavinsäkerheten för friåkning i opreparerad terräng.Riskbedömningar avseende lavinfara är komplexa och svårbedömda även för den vana utövaren. De flesta verktyg som används idag är främst hjälpmedel för när lavinen väl har utlöst och verktyg för hantering efter händelsen. Verktyget utvecklat i detta arbete är tänkt att förebygga lavinolyckor.Designen av detta verktyg syftar till att få utövare av friåkning att göra medvetna val och att kombinera verktyget med passande tekniker. Verktyget är av pedagogisk karaktär.Arbetet har följt en tydlig designprocess i format av dubbeldiamanten. Intervjuer med utövare och återkoppling på konceptvalet har vägt tungt i val av koncept.Slutresultatet är AvyBuddy, en produkt som hjälper användaren att vara uppmärksam på tecken på lavinfara och att reflektera över vägval och beslut. / The purpose of this work has been to examine how and what types of tools that can enhance avalanche safety for freeskiers in backcountry terrain.Risk assessment regarding avalanche danger is complex and hard to judge, even for the experienced recreationist. Most tools used today are aids for when an avalanche have been set off and for handling after the event. The tool developed through this work is meant to prevent avalanche accidents.The design of this tool means to help freeskiers be more aware of their decisions to combine the tool with existing techniques. The tool is of a pedagogical character.This work has followed a design process according to the double diamond method. Interviews with users and the feedback from users have been of immense importance for the decision making and choice of concept.The end result is the AvyBuddy, a product that will help the user become aware on signs of avalanche danger and to reflect over route selection and decisions.

A study of the frequency response and gain of Solid-state the Impact-ionization Multiplier (SIM). The SIM generates current gain via impact ionization also known as avalanche gain. The SIM provides low noise amplification from an arbitrary current source. In the case of this study, current sources consisted of photodiodes optimized for a particular wavelength of light. The SIM is fabricated from silicon and enjoys the low noise, low carrier transit time advantages of conventional silicon impact ionization devices while amplifying current from a photodiode of a different material. This is advantageous because ideal detection and multiplication regions cannot always be grown on the same wafer. Furthermore a photodiode fitted to a SIM allows absorption and multiplication regions to be independently optimized. The SIM exhibits a current dependant input resistance. This resistance in combination with field effects from the SIM collector is the limiting factor in the frequency response of the SIM. Frequency response is improved to the extent that this floating voltage at the input can be minimized. Higher AC gains are realized in the device with the incorporation of 3-dimensional geometries. These improvements allow for improved device breakdown and reduced space-charge resistance at high input currents. Frequency response can also be improved by increasing the current flowing into the SIM, this current is most often in the form of DC current such that it can be filtered off at a the output and not interfere with the input signal.

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