Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-05T07:19:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Goes_MarcosAugustode_M.pdf: 31444750 bytes, checksum: e7c5cce48b9c9ec73f1804fee26b6062 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Esta dissertação de mestrado descreve o estudo, projeto e implementação de um receptor optoeletrônico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojunção (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de gálio. A grande vantagem deste transistor é o seu alto ganho e baixa resistência de base, o qual possibilita operações na faixa de gigahertz. A integração do estágio de fotodetecção, feita por um fotodiodo do tipo PIN, com o circuito de amplificação em um mesmo circuito integrado é possível, pois o fotodetector é construído com as camadas de base, coletor e subcoletor do transistor HBT. Com isso, as resistências, capacitâncias e indutâncias parasitas presentes na conexão entre estes dois estágios são minimizadas. Isto permite aos receptores monolíticos trabalharem em freqüências mais altas em relação aos receptores híbridos. O circuito fabricado opera com fontes de luz no comprimento de onda de 850 nm e pode ser utilizado em redes locais de curta distância (LAN) / Abstract: This master degree dissertation describes the study, project and implementation of an optoelectronic integrated circuit (OEIC) using the heterojunction bipolar transistors (HBT) technology over a gallium arsenide substrate. The major advantage of this transistor is its high gain and low base resistance, allowing operation at frequencies in the range of gigahertz. The integration of the photodetection stage, performed by a PIN photodetector, with the amplifier circuit in a single chip is possible because the photodetector is built from the base, collector and subcollector layers of the HBT transistor. Thus, the parasitic resistances, capacitances and inductances between the connection of these two stages are minimized. In this way, monolithic receivers can operate at higher frequencies than hybrid receivers. The fabricated circuit is intended to work with 850 nm light sources and can be used in local area networks (LAN) / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Neste trabalho foram analisados diferentes parâmetros geométricos para canais de fluxo em células a combustível tipo PEMFC e sua influência no desempenho do sistema, utilizando a fluidodinâmica computacional. Na análise dos modelos matemáticos, verificou-se que o modelo de aglomerado inundado descreve com maior fidelidade o comportamento de células a combustível, enquanto as equações de Butler-Volmer não consideram as perdas por transporte de massa. Foram avaliadas as seções transversais retangular, trapezoidal e em degrau. O modelo com canais de seção retangular apresentou desempenho elétrico ligeiramente superior, porém os canais com seção trapezoidal propiciam um melhor gerenciamento de água. Em todos os aspectos estudados, os canais com seção em degrau se comportaram de forma análoga aos canais com seção trapezoidal, porém sua construção é menos complexa. Também foram analisadas as configurações serpentina e interdigitada em células de 5 cm², e sua influência na uniformidade da densidade de corrente. Não foram observadas diferenças significativas quanto à eficiência elétrica entre células com as duas configurações. A configuração interdigitada propiciou distribuição mais uniforme de geração de corrente, pois os reagentes são fornecidos em alta concentração por uma maior área da célula. Assim, esta configuração é preferível para aumento de escala. / In this work, different geometric parameters for PEMFC flow channels and their influence in cell performance were analyzed using computational fluid dynamics. At first, two mathematical models, the flooded agglomerate model and the Butler-Volmer equations, were compared. It was verified that the equations do not consider mass-transfer losses, while the agglomerate model describes the system more accurately. In a second analysis, rectangular, trapezoidal and step-shaped cross-sections were evaluated. The model with rectangular channels showed a slightly higher electrical performance; however, trapezoidal channels provided better water management. Cells with step-shaped cross-sections were found to be superior to those with trapezoidal channels, due to lower constructive complexity, even though their performance was similar to that of trapezoidal cross-sections in every aspect. Further studies analyzed serpentine and interdigitated channel patterns in 5 cm² cells and their influence in current density uniformity. Again, electrical performance was very similar for both patterns. However, the interdigitated pattern provided more spatial uniformity in current generation, because concentrated reactants are supplied to a wider area of the cell. Thus, this pattern is preferable for fuel cell scaling-up.

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-24T23:49:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Redolfi_AugustoCesar_D.pdf: 13702909 bytes, checksum: 400d3780f93de7155a7690566d26c6e0 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Foi estabelecido um processo para a fabricação em laboratório de Transistores Bipolares de Heterojunção (HBTs), em AIGaAs/GaAs. O trabalho consistiu basicamente do estudo das etapas elementares de fabricação. Foi projetado um conjunto de máscaras incluindo dispositivos em diferentes tamanhos e estruturas de teste. Com este conjunto de máscaras, as etapas de processamento de HBTs foram estudadas e transistores HBT foram fabricados. Foi analisado um método para se determinar com precisão o ponto de parada de etch úmido, consistindo da medida da currente reversa em um diodo Schottky formado entre a superfície semicondutora e uma ponta de tungstênio. Com este método foi possível expor com precisão a camada de base. A abertura de vias de contato em paredes em ângulo controlado foi obtida transferindose o ângulo de inclinação de uma parede de fotorresiste para a parede da via em polyimide. Estruturas de metal para contatos ôhmicos baseadas em AuGe, para contatos n+ e Ti/Pt/ Au, para camadas p+, ambas obtidas por evaporação por feixe de elétrons, seguida de um ciclo térmico para liga ou sinterização, foram analisadas para o uso em dispositivos de pequena geometria ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: A process was established for the fabrication in laboratory of Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with the AIGaAs/GaAs system. The work consisted basically of the study of elementary processing steps. A mask set was designed including devices in different sizes and test structures. With this mask set, the processing steps for HBT fabrication were studied and HBT transistors were obtained. A method to stop wet etching precisely on the base layer was analysed. This method consists of measuring the reverse currente in a diode formed between the surface of the layer being etched and a tungsten probe and allowed precise base layer exposure. The opening of contact vias with precise wall angle control was achieved by tranfering the pattern of a photoresist tilted wall to a polyimide via. Contact metallization strucures based on AuGe for n+ layers and Ti/Pt/ Au for p+ layers, produced by e-beam evaporation followed by an alloy or sinthering cycle was analysed for usage in small geometry devices and contact resistivity as low as 1x ?10 POT. ?6? ?ômega? ?cm POT.2? were achieved for both cases. An empirical model was developed, implemented and tested to simulate the behavior of fabricated devices. This model includes the self-heating effect and is suitable for use with CAD tools. ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

OBJECTIVE: Anxiety disorders are among the most common comorbid conditions in youth with bipolar disorder (BP). We aimed to examine the prevalence, correlates, persistence (>50% of the follow-up time), and the onset of new anxiety disorders in youth with comorbid anxiety disorders and BP. METHODS: As part of the Course and Outcome of Bipolar Youth study (COBY), 446 youth ages 7 to 17, who met DSM-IV criteria for BP-I (n=260), BP-II (n=32) or operationalized criteria for BP not otherwise specified (BP-NOS; n=154) were included. Subjects were evaluated for current and lifetime Axis-I psychiatric disorders at intake using the Schedule for Affective Disorders and Schizophrenia for School-Aged Children–Present and Lifetime version (K-SADS-PL), and standardized instruments to assess functioning and family history. Subjects were followed on average 5 years using the Longitudinal Interval Follow-up Evaluation. RESULTS: Forty-four percent (n=194) of the sample met DSM-IV criteria for at least one lifetime anxiety disorder, most commonly separation anxiety (24%) and generalized anxiety disorders (16%). Nearly 20% met criteria for two or more anxiety disorders. Overall, anxiety disorders predated the onset of BP. BP-II subjects were more likely than BP-I or BP-NOS subjects to have a comorbid anxiety disorder. After adjusting for confounding factors, BP youth with anxiety were more likely to have BP-II, longer duration of mood symptoms, more severe ratings of depression, and family history of depression, hopelessness and somatic complaints during their worst lifetime depressive episode than those without anxiety. Of the 170 youth who had anxiety at intake, 80.6% had an anxiety disorder at any time during the follow-up. Most of the anxiety disorders during the follow-up were of the same type as those present at intake. About 50% of the youth had persistent anxiety, particularly Generalized Anxiety Disorder (GAD). Persistence was associated with multiple anxiety disorders, less follow-up time in euthymia, less conduct disorder, and less treatment with antimanic and antidepressant medications (all p-values≤0.05). Twenty-five percent of the sample who did not have an anxiety disorder at intake developed new anxiety disorders during follow-up, most commonly GAD. New onsets were significantly associated with being female, lower socioeconomic status, presence of attention-deficit/hyperactivity disorder and substance use disorder and more follow-up time with manic or hypomanic symptoms (all p-values≤0.05) CONCLUSIONS: Comorbid anxiety disorders are common in youth with BP, and most often predate BP onset. BP-II, a family history of depression, and more severe lifetime depressive episodes distinguish BP youth with comorbid anxiety disorders from those without. In addition, anxiety disorders in youth with BP tend to persist and new anxiety disorders onset in a substantial proportion of the sample. Careful consideration should be given to the assessment of comorbid anxiety in BP youth. Furthermore, early identification of factors associated with the persistence and onset of new anxiety disorders may enable the development of strategies for treatment and prevention. / OBJECTIUS: Els trastorns d'ansietat són les condicions comòrbides més comuns en nens i adolescents amb trastorn bipolar (TB), però fins on sabem, cap estudi ha examinat l'evolució dels trastorns d'ansietat en joves i adults amb TB. L'objectiu de l'estudi va ser examinar els factors associats amb la persistència (>50% del temps de seguiment) i l'aparició de nous trastorns d'ansietat en nens i adolescents amb TB. MÈTODE: Com a part de l’estudi Course and Outcome of Bipolar Youth (COBY), 413 nens i adolescents entre 7 i 17 anys que complien els criteris per el Manual Diagnòstic i Estadístic IV (DSM-IV) pel TB-I (n=244), TB-II (n=28) o el criteri operacionalitzat pel TB no especificat (TB-NOS; n=154) van ser reclutats principalment de consultoris d'atenció ambulatòria. Els subjectes van ser seguits de mitjana durant 5 anys utilitzant el Longitudinal Interval Follow-up Evaluation. RESULTATS: Dels 170 nens i adolescents que presentaven ansietat a l'inici de l’estudi, el 80.6% tenia un trastorn d'ansietat en qualsevol moment durant el seguiment. La majoria dels trastorns d'ansietat durant el seguiment van ser del mateix tipus que els presents a l'inici de l'estudi. Al voltant del 50% dels joves tenien persistència d'ansietat, sobretot trastorn d'ansietat generalitzada (TAG). La persistència es va associar amb trastorns d'ansietat múltiple, menys temps de seguiment en eutimia, menys trastorn de conducta i menor tractament amb medicaments antidepressius i antimaníacs. Vint-cinc per cent de la mostra que no tenien un trastorn d'ansietat a l'inici, va desenvolupar nous trastorns d'ansietat durant el seguiment, en general TAG. L'inici de nous trastorns d'ansietat es va associar significativament amb ser dona, baix nivell socioeconòmic, presència del trastorn per dèficit d'atenció i hiperactivitat, trastorn per consum de substàncies i més temps de seguiment amb símptomes maníacs o hipomaníacs. CONCLUSIONS: Els trastorns d'ansietat en nens i adolescents amb TB tendeixen a persistir i l'ansietat de nou inici apareix en una proporció substancial de la mostra. S'ha de prestar atenció a l'avaluació de l'ansietat comòrbida en nens i adolescents amb TB i la identificació precoç dels factors associats amb la persistència i l'aparició de nous trastorns d'ansietat poden permetre el desenvolupament d'estratègies pel tractament i la seva prevenció.

La aparición de los antipsicóticos atípicos o de segunda generación ha supuesto un gran cambio en el manejo de los pacientes con trastorno bipolar. Los ensayos controlados han demostrado la eficacia de prácticamente todos los antipsicóticos atípicos en la manía aguda. Además, la mayor parte de ellos disponen de datos positivos para el tratamiento de mantenimiento del trastorno bipolar, lo que sugiere propiedades normotímicas. E incluso algunos de ellos han mostrado datos positivos en la depresión bipolar. Sin embargo, apenas existen estudios independientes comparando la acción de los atípicos con la de los clásicos, mas allá del uso de haloperidol como comparador activo en algunos estudios de manía aguda. En este contexto, esta tesis tiene como objetivo evaluar el comportamiento de los antipsicóticos atípicos en las fases de manía aguda y depresión, en comparación con el de los antipsicóticos clásicos (haloperidol) y placebo respectivamente, para testar las posibles propiedades normoreguladoras en los episodios agudos. Se utilizaron para ello las técnicas de metanálisis, estructurándose la tesis en dos metanálisis separados. El primero en manía aguda, comparando antipsicóticos atípicos con antipsicóticos clásicos. Dentro de este metanálisis se escogieron dos variables principales: la velocidad de inicio de acción, operativizada como la disminución en la puntuación en la escala de manía a la primera semana, y el viraje depresivo. En los dos casos, se trata de variables de interés clínico, escasamente estudiadas hasta la actualidad, y que señalan el perfil de acción de los fármacos. En segundo lugar, se llevó a cabo un segundo metanálisis comparando la acción de los antipsicóticos atípicos con la del placebo (no existían estudios comparativos con antipsicóticos clásicos) en depresión bipolar. Los resultados de la primera variable del metanálisis en manía aguda, que dan lugar al primer artículo de esta tesis, confirman que el haloperidol muestra un inicio de acción más rápido que los antipsicóticos atípicos. El tamaño del efecto fue pequeño (SMD = 0,17 [0,01 - 0,32] tal como cabria esperar entre dos grupos de eficacia demostrada. Sin embargo, este resultado sugiere que el haloperidol puede seguir siendo un tratamiento de primera línea en la manía aguda en casos graves en los que se requiere una mejoría sintomática urgente, siempre y cuando el riesgo de efectos adversos extrapiramidales y de viraje depresivo sea bajo. El segundo artículo de la tesis analiza las diferencias en el riesgo de viraje depresivo tras el tratamiento de la manía aguda con antipsicóticos atípicos en comparación con haloperidol. El resultado del metanálisis es que los atípicos conllevan un 42% menos de riesgo de viraje que el haloperidol. No obstante, se observa heterogeneidad en este análisis y las diferencias entre grupos son atribuibles especialmente a la acción de tres de los atípicos: olanzapina, quetiapina, y ziprasidona. El segundo metanalisis, que da lugar al tercer lugar de la tesis, observa que existe un efecto positivo en la depresión bipolar, en comparacion con placebo, pero que solo es atribuible a algunos de los antipsicóticos atípicos, concretamente, a la olanzapina y la quetiapina. De modo que se concluye que no se trata de un efecto de clase de la familia. Analizando los resultados de los dos metanálisis en conjunto se observa que se puede establecerse un gradiente en función de la afinidad por el receptor dopaminergico D2, modulado por la acción sobre otros receptores, en el que la mayor afinidad y selectividad antiD2 supondría mayor potencia antimaníaca, inicio de acción antimaníaca más rápido, mayor riesgo de viraje depresivo, e ineficacia y/o agravamiento de la depresión bipolar. Haloperidol se situaría en el extremo izquierdo del gradiente y se propone la siguiente ubicación para los antipsicóticos atípicos: Risperidona – Aripiprazol – Ziprasidona – Olanzapina – Quetiapina. Además, este gradiente coincide con el de los valores del Índice de Polaridad obtenidos en los estudios de prevención de recurrencias con los antipsicóticos atípicos, de lo que se desprende que los efectos en los episodios agudos tiende a perdurar durante el tratamiento de mantenimiento. / Introduction of atypical antipsychotics has involved a great change in the management of bipolar disorder during last decade. Not only they show efficacy in mania, but also for recurrence prevention, and some of them have also been shown to work in bipolar depression. However, comparisons with classical neuroleptics to assess advantages and disadvantages are scarce. In this context, the goal of this thesis was to assess the behavior of atypical antipsichotics in the acute phases of mania and depression, compared to classical antipsychotics in the former and with placebo in the latter, and study their possible normothymic properties. Metanalysis techniques were used. The thesis was structured in two different metanalysis. The first one in acute mania, comparing atypical and classical antipyschotics. Two different outcomes were assessed: speed of onset of action and switch to depression. The second metanalysis studied the efficacy of atypical antipsychotics in bipolar depression versus placebo. The first article of the thesis shows that haloperidol has a faster onset of action than atypical antipsychotics in acute mania. The size of the effect was small (SMD = 0,17 [0,01 - 0,32] but could still be clinically significant in the subset of severe manic patients who require an urgent relief of symtpoms. On the other hand, as it is shown in the second paper of the thesis, treatment with atypicals involves a 42% reduction in the risk of switch to depression compared to haloperidol. However, heterogeneity was present which could be due to differences in the group of atypicals, as three of them (olanzapine, quetiapine, and ziprasidone) could explain the effect. The third article, corresponding to the second metanálisis, shows only some atypicals, namely olanzapine and quetiapine, are efficacious in bipolar depression. Therefore, there is no class effect. A global view of both metanalysis shows that dopaminergic D2 affinity is likely to be the most important factor over the different profile of antipsychotics, with lower affinity involving more clear normothymic actions.

Orientador: Alberto Martins Jorge / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-09T08:44:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MingotoJunior_CarlosRoberto_M.pdf: 657421 bytes, checksum: dc6ef4bc58fb70a90293781871a969c6 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Os circuitos quaternários são uma alternativa para o processamento das informações, que, atualmente, acontece de forma binária. Ainda em fase de definições, a lógica multivalores mostra-se como um campo de pesquisas que pode auxiliar a busca pelo incremento de desempenho e redução de área de ocupação dos transistores de um circuito integrado. A lógica multi-valores utilizando-se de quatro dígitos na representação das informações é a lógica quaternária. Neste trabalho são propostos alguns blocos básicos de circuitos eletrônicos quaternários que, progressivamente, são aglutinados formando blocos mais complexos para finalmente construir-se um circuito meio-somador, um somador completo e um multiplicador quaternários. As montagens são feitas e testadas em simulador de circuitos eletrônicos e operam em modo corrente com transistores bipolares NPN e PNP / Abstract: The quaternary circuits are an alternative to data processing that, nowadays, occurs in a binary way. Still in a definition stage, the multiple-valued logic seems to be a research area to aid the increase of performance and reduction of area of the transistors inside an integrated circuit. The multiple-valued logic using four digits to represent the data is called quaternary logic. In this work are proposed some basic blocks of electronic quaternary circuit which are progressively joined to become more complex blocks and finally a half-adder, a full adder and a multiplier. The configurations are done and evaluated in a circuit simulator operating in a current-mode with bipolar NPN and PNP transistors / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Elnatan Chagas Ferreira / Texto em inglês / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-20T11:54:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dias_PedroCarvalhaes_M.pdf: 7362254 bytes, checksum: dd839cf652cbbda17a2a5d9b6cecbdc3 (MD5) Previous issue date: 2012 / Resumo: A constante preocupação em aumentar a produtividade das plantações de uma forma sustentável e otimizando o uso dos insumos agrícolas (água, fertilizantes, pesticidas e produtos para correção do PH) levou ao desenvolvimento da agricultura de precisão, que permite determinar a quantidade correta de insumos para cada região do solo (tipicamente um hectare), evitando o desperdício. Sensores de umidade de solo de baixo custo e fácil aplicação no campo são fundamentais para permitir um controle preciso da atividade de irrigação, sendo que os sensores que melhor atendem estes requisitos são os chamados sensores de dissipação de calor ou sensores de transferência de calor. Estes sensores, entretanto, apresentam um problema de baixa sensibilidade na faixa de umidade mais importante para as plantas (umidade de solo 'teta'v variando entre 5% e 35%), pois, para cobrir esta variação de 30% em 'teta'v com resolução de 1%, é necessário medir variações de temperatura de aproximadamente 0,026 ºC nos sensores de pulso de calor a duas pontas e 0,05 ºC para os sensores de pulso de calor de ponta simples. Neste trabalho foi desenvolvido um novo sensor de umidade de solo do tipo pulso de calor de ponta simples, baseado em um único elemento: um transistor bipolar de junção npn, que é usado tanto como aquecedor e como sensor de temperatura de alta precisão. Resultados experimentais, obtidos em medidas realizadas através de uma técnica de interrogação especialmente desenvolvida para este novo sensor mostram que neste trabalho foi possível obter uma sensibilidade cerca de uma ordem de grandeza maior do que nos sensores de pulso de calor com uma ponta e cerca de 20 vezes maior do que nos sensores de pulso de calor de duas pontas. Outra vantagem da técnica desenvolvida é que o aumento da sensibilidade não é obtido às custas do aumento da corrente drenada da bateria para aquecer o sensor. No sensor desenvolvido é utilizada uma corrente de apenas 6 mA para gerar o aquecimento (com energia dissipada de 1,5 J), enquanto que que os sensores de pulso de calor com ponta simples requerem cerca de 50 mA (com 2,4 J de energia dissipada) para operar. Os sensores de pulso de calor de ponta dupla também são fabricados com resistores que requerem cerca de 50 mA para o aquecimento (0.8 J de energia dissipada) para operar corretamente / Abstract: The concern regarding sustainable development and crop inputs optimization (such as water, fertilizers, pesticides and soil PH correction products) has led to the development of the precision agriculture concept, that allows to determine the exact amount of each input required on each ground section (typically one hectare), avoiding waste of inputs. Low-cost and easily handled soil moisture sensors are very important for allowing a precise irrigation control. The class of sensors which fulfill those requirements are the heat transfer sensors, where there are basically two types of devices: dual (or multi) probe heat pulse sensors and single probe heat pulse sensors. However, these sensors have a low sensitivity in the most important range of soil humidity 'teta'v for plants (usually from 5% ? 'teta'v ? 35%). To cover this 30% soil humidity range with 1% resolution it is necessary to measure temperature with a resolution of 0,026 ºC in the dual/multi probe heat pulse sensors and 0,05 ºC in the single probe heat pulse sensor. In this work it was developed a new type of single probe heat pulse sensor, comprised of a single element: an npn junction bipolar transistor, that plays the role of both the heating element and a high accuracy temperature sensor. Experimental results, obtained through an interrogation technique especially developed for this sensor, show sensitivity about one order of magnitude greater than the typical sensitivity of the single probe heat pulse sensors and 20 times greater than dual probe heat pulse sensors. Another great advantage of the developed interrogation technique is that the increase in sensibility is not obtained through a higher current being drained from the batteries that power the sensor. The developed sensor operates at a much lower current level than the other sensors, draining only 6 mA from the battery (with an energy of 150 mW). The single probe heat pulse sensor requires 50 mA and 1.5 J of energy to operate, whilst the dual probe heat pulse sensors are manufactured with resistors which also drain 50 mA from the battery with 0.8 J of dissipated energy / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

O presente trabalho tem por objetivo analisar o efeito do metilmercúrio na retina de peixe tropical Hoplias malabaricus (Traíra) através de baixas doses agudas. As intoxicações foram realizadas, por meio de injeção intraperitoneal, nas doses de 0,01, 0,05, 0,1 e 1,0 g/g, com um período de quinze dias de depuração do MeHg. Após o término do período de depuração, os olhos foram enucleados e as retinas isoladas foram fixadas em PFA 4% por 3 horas. As retinas foram conservadas, até o momento do uso (ou por no mínimo 9 horas), em tampão PB 0,1M a 4ºC. Após os procedimentos imunohistoquímicos para marcação de células bipolares do tipo ON com estratificação na sublâmina b da CPI, as retinas foram aplanadas para confecção de montagens planas para a análise quantitativa de células bipolares ON imunorreativas a proteína cinase C _. A análise quantitativa das células da camada de células ganglionares (CCG) também foi realizada. Células da CCG foram coradas pela técnica de Nissl, as retinas foram aplanadas em lâminas gelatinizadas e submetidas a uma bateria de desidratação (com diferentes concentrações alcoólicas) e coloração, utilizando cresil violeta como corante. Estas análises foram realizadas em 3 ou 4 retinas para cada dose testada. Análises idênticas foram realizadas nas retinas controle. Todas as retinas foram dividas nos quadrantes dorsal, ventral, nasal, temporal e em centro e periferia. Campos foram fotografados por toda a retina com intervalos de 1 mm, com auxilio do programa Axio Vision por meio de uma câmera digital e um microscópio acoplados a um computador. Os campos amostrados foram contados com o auxilio do programa NIH Scion Imagem 2.0. A densidade média de células foi estimada para cada retina e os grupos intoxicados foram comparados com o grupo controle (Teste T-student). A partir dos dados de densidade celular, mapas de isodensidade foram confeccionados, além de permitir estimar o poder de resolução teórico da acuidade visual de cada um dos animais experimentais utilizados para análise de células da CCG a partir da densidade máxima de células. Evidenciamos que as baixas doses agudas testadas não causam diminuição na densidade célular de células bipolares ON e células da CCG, comparado ao grupo controle. Não houve reduções significativas na densidade de células para ambos os tipos celulares analizados em nenhuma das regiões retinianas nas doses de MeHg testadas. Assim, a intoxicação de MeHg por baixas doses agudas não alterou o poder de resolução teorio da acuiade visual dos animais testados / This study aims to examine the effects of low acute doses of methylmercury (MeHg) on the retina of the tropical fish Hoplias malabaricus (Thraira). Four levels of MeHg intoxication were induced by intraperitoneal injection of doses of either 0.01, 0.05, 0.1 or 1.0 g MeHg/g of body weight, followed by a fifteen day period of depuration of MeHg. After the depuration period, the eyes were harvested, and the retinas were isolated and fixed in 4% paraformaldehyde for 3 hours. The retinas were then stored (for at least for 9 hours) in 0.1 M sodium phosphate PB buffer at 4°C until the time of analysis. ON bipolar cells in sublamina b of the inner plexiform layer immunoreactive to protein Kinase C_ were immunohistochemically labeled, and the retinas were flattened to make whole mounts for quantitative analysis of ON bipolar cell densities. Quantitative analysis of cells in the retinal ganglion cell layer (GCL) was also performed. GCL cells were Nissl stained, and the retinas were flattened on gelatinized slides and subjected to another battery of dehydration (with different alcohol concentrations) and staining using cresyl violet. These analyses were carried out in 3 or 4 retinas for each dose tested. Identical analyses were performed on the control retinas. All retinas were divided into regions: dorsal, ventral, nasal, temporal, center and periphery. Sample retinal fields were photographed throughout the retina at intervals of 1 mm, with a digital camera attached to a microscope using Axio Vision software coupled to a computer. ON bipolar and GCL cells within the fields were counted with the help of the NIH Scion Image 2.0 software. The average density (mm2) of both types of cells was estimated for each retina and the data from each of the four MeHgintoxicated groups were compared with the control group values (Student t-test). From the density data we derived isodensity maps, permitting us to estimate the theoretical resolving power (maximum visual acuity) of each of the experimental animals used from the maximum density of cells in the ganglion cell layer. We showed that low acute doses of MeHg/g do not decrease cell densities of either ON bipolar cells or cells in the GCL, compared to controls. There were no significant decreases in cell density (counts) for either cell type in any of the retinal regions, for any of the MeHg doses tested. Thus, acute low-dose MeHg intoxication did not degrade the estimates of the animals theoretical resolving power

Orientador: Peter Jurgen Tatsch / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-15T23:27:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Manera_LeandroTiago_D.pdf: 3739799 bytes, checksum: 12a6fc4ebbea20e529e4e7e2c7c5a761 (MD5) Previous issue date: 2010 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a análise da qualidade de interfaces e cálculo de cargas, utilizando o ruído 1/f. Na descrição do ruído em baixa freqüência é apresentado em detalhes todo o arranjo utilizado para a medição, além dos resultados da medida em transistores nMOS e CMOS do tipo p e do tipo n fabricados no Centro. Detalhes importantes sobre o cuidado com a medição, tais como a utilização de baterias para a alimentação dos dispositivos e o correto aterramento, também são esclarecidos. A faixa de freqüência utilizada vai de 1 Hz até 100 KHz. Como aplicação, a medida de ruído é utilizada como ferramenta de diagnóstico de dispositivos semicondutores. Resultados destas medidas também são apresentados. Foi desenvolvido também um sistema para a medição do ruído em alta freqüência. A caracterização teve como objetivo determinar o parâmetro conhecido como Figura de Ruído. Apresenta-se além da descrição do arranjo utilizado na medição, os equipamentos e a metodologia empregada. Em conjunto com as medidas de ruído também são apresentados os resultados das medidas de parâmetros de espalhamento. Para a validação do método de obtenção desse conjunto de medidas, um modelo de pequenos sinais de um transistor HBT, incluindo as fontes de ruído é proposto, e é apresentado o resultado entre a medição e a simulação. A faixa disponível para medida vai de 45 MHz até 30 GHz para os parâmetros de espalhamento e de 10 MHz até 1.6 GHz para medida de figura de ruído / Abstract: The main goal of this work is the development of a noise characterization system for high and low frequency measurements using equipments available at the Center for Semiconductor Components at Unicamp. A low noise characterization system for semiconductors was built and by means of 1/f noise measurement it was possible to investigate semiconductor interface condition and oxide traps density. Detailed information about the test set-up is presented along with noise measurement data for nMOS, p and n type CMOS transistors. There is also valuable information to careful conduct noise measurements, as using battery powered devices and accurate grounding procedures. The low noise set-up frequency range is from 1 Hz up to 100 KHz. Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of semiconductor devices is also presented. Measurement data is also shown. A measurement set-up for high frequency noise characterization was developed. Measurements were carried out in order to determine the noise figure parameter (NF) of the HBT devices. Comprehensive information about the test set-up and equipments are provided. Noise data measurements and s-parameters are also presented. In order to validate the measurement procedure, a small signal model for HBT transistor including noise sources is presented. Comparisons between simulation and measured data are performed. The s-parameters frequency range is from 45 MHz to 30 GHz, and noise set-up frequency range is from 10 MHz up to 1.6 GHz / Doutorado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica