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An essay on self-enforcing debtSantos, Mateus de Lima 26 May 2017 (has links)
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Por favor, as palavras Agradecimentos, resumo e abstract em caixa alta e como o trabalho é em inglês o abstract vem antes do resumo.
Grata.
Suzi 3799-7876 on 2017-06-21T19:12:45Z (GMT) / Submitted by Mateus de Lima Santos (santos.mateus.lima@gmail.com) on 2017-06-21T19:27:43Z
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Conforme conversamos ao telefone.
Abs.
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Previous issue date: 2017-05-26 / We analyze repayment incentives in an infinite horizon competitive economy where agents cannot commit to financial contracts. We follow Bulow and Rogoff (1989) by assuming that a defaulting agent is excluded from borrowing forever but keeps the ability to save. Hellwig and Lorenzoni (2009) provide an important characterization result by showing that endogenous debt limits are self-enforcing and not-too-tight if, and only if, they form a rational bubble in the sense that they can be exactly rolled over at infinity. Our contribution is technical. We provide a rigorous and correct proof of this result without imposing any ad-hoc assumption on the endogenous debt limits. In that respect, we extend the result in Bidian and Bejan (2014). / Nós analisamos incentivos de repagamento em uma economia competitiva de horizonte infinito onde os agentes não podem se comprometer com contratos financeiros. Nós seguimos Bulow e Rogoff (1989) ao assumir que um agente que deu default é excluído da possibilidade de empréstimo para sempre mas mantém a possibilidade de poupança. Hellwig e Lorenzoni (2009) fornecem um importante resultado de caracterização ao mostrarem que limites à dívida endógenos são auto-sustentados e não muito restritos se, e somente se, eles formam uma bolha racional no sentido que podem ser exatamente rolados até o infinito. Nossa contribuição é técnica. Nós provemos uma prova rigorosa e correta desse resultado sem impor nenhuma condição ad-hoc nos limites à dívida endógenos. Nesse sentido, nós estendemos o resultado de Bidian e Bejan (2014).
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Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em SiSilva, Douglas Langie da January 2004 (has links)
Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com Ti<Tamb bolhas planas são formadas após recozimento a 400°C por 600s. Recozimentos a 800°C durante o mesmo tempo levam ao colapso das estruturas planas e à formação de um sistema de cavidades esféricas cujas características são dependentes dos estágios iniciais de implantação. No intervalo onde Ti>Tamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.
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Caracterização da implantação de Ne em Si (100)Peripolli, Suzana Bottega January 2007 (has links)
Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada com o objetivo de modificar a microestrutura potencializando aplicações para aprisionamento de impurezas, corte preciso, relaxação de estruturas, entre outras. A maior parte dos trabalhos conhecidos na literatura considera a implantação de He ou uma combinação de He e H em Si. Nessa tese serão explorados os efeitos da implantação de Ne em Si e as modificações estruturais ocasionadas quando parâmetros de implantação e de tratamentos térmicos posteriores são variados. Os estudos foram realizados considerando: i) substrato mantido à temperatura ambiente e com diferentes fluências de implantação, ii) substrato mantido em 250°C e diversas fluências, e iii) mais altas temperaturas de implantação e fluência fixa. Após tratamentos térmicos investigou-se como os defeitos pontuais formam defeitos estendidos e a sua evolução para discordâncias. A comparação entre as técnicas de implantação com feixe de íons monoenergéticos e plasma de íons de Ne, também foi investigada. O estudo apresenta uma descrição detalhada das interações entre o sistema de bolhas e defeitos pontuais e estendidos. Esse estudo foi feito utilizando as técnicas de espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS/C) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM), bem como com a técnica de espalhamento de raios X em incidência de ângulo rasante (GISAXS) para investigar a morfologia do sistema de bolhas. O conteúdo de gás no sistema foi estudado com as técnicas de espectroscopia de dispersão em comprimento de onda (WDS) e detecção do recuo elástico (ERD). O valor experimental do conteúdo foi comparado com o volume livre existente no sistema de bolhas considerando modelos de equilíbrio termodinâmico e a equação de estado de gás ideal e gás real. Além disso, a evolução do sistema de bolhas foi discutida em termos das características de distribuição em tamanhos. Os principais resultados permitiram concluir que: i) mesmo em altas temperaturas de implantação e recozimento ocorre a presença de bolhas, ii) o conteúdo de gás se conserva, iii) esta conservação implica que as bolhas estão superpressurizadas ou é necessário adotar um maior valor para a densidade de energia de interface, ou ainda, que além das bolhas o gás pode estar dissolvido na matriz. As bolhas e os defeitos interagem entre si, e a presença do gás nas amostras também afeta diretamente o crescimento das mesmas. Das imagens de TEM que mostram as diferentes distribuições em tamanhos das bolhas em função da profundidade verificou-se a perda de memória dos processos de nucleação e crescimento das bolhas após tratamentos térmicos. Tal perda é associada ao tamanho médio atingido pelas bolhas após tratamentos térmicos que mostra ser independente do sistema inicial, após implantações a diferentes temperaturas. Este estudo permitiu, portanto, desenvolver uma visão mais abrangente da evolução da microestrutura de amostras de Si implantadas com Ne e discutiu os processos de formação e dissolução de defeitos no Si. / In the present work the results of a study on the formation and evolution of cavities, bubbles and defects created by implantation of Ne in crystalline Si are presented. The inert gas implantation in Si have been investigated because it has some potential applications such as impurity gettering, smart cut process, relaxation of structures, etc. The majority of these studies is related to He (or a He and H combination) implanted in Si. In this work, the neon implantation in silicon is investigated at different conditions of fluence, implantation temperatures and post-annealing. The extension of these studies to heavier inert gases introduce the possibility of modify the concentration of point defects and therefore may bring new advances in the understanding of bubble formation and damage accumulation process in Si. We have considered: i) neon implantation in Si at room temperature and with different fluences, ii) sample at 250°C and different fluences, and iii) higher sample temperature and fixed fluence. After post-annealing, we studied the coarsening of bubbles in the samples, and how the point defects create extended defects and finally evolute to dislocation defects. The results from ion beam and plasma-based implantation of neon into silicon are compared. The study shows a detailed description about the bubbles and the extended defects system interactions. The micro-structure evolution of the bubbles and the defects system is investigated by using Rutherford Backscattering Spectrometry under channeling conditions (RBS/C), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering (GISAXS) techniques to describe the bubble system morphology. The neon retained behavior was studied by Wavelenght Dispersive Spectrometry (WDS) and Elastic Recoil Detection (ERD). The experimental values for the neon quantity retained in the sample was compared to the free volume cavity, in the thermodynamic equilibrium framework, and the equation of state for ideal and real gases. Furthermore, the bubble system evolution was described in terms of the bubble size distribution characteristics. Our results show that: i) a dense bubble system is presented at high implantation temperatures, ii) the neon is retained in the samples, iii) the neon amount measured implies that either: the bubbles are over-pressurized, or a higher value for the surface-specific energy than the one found in literature should be used in this case, or the neon content is distributed both in bubbles and in the Si crystal. The defects and bubbles formation and evolution depend on the neon amount and we may conclude that high-temperature Ne implantation lead to the formation of a condensed system of rather stable nano-bubbles. Regarding the post-annealed samples, the bubble coarsening and growth process looses its memory, as can be observed by the mean bubble diameter from TEM images. At different implantation temperature, we verified that the final bubble size distribution is independent from the initial system configuration. The study provides a general overview about the bubbles and defects formation process with Ne implantation in Si.
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Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em SiSilva, Douglas Langie da January 2004 (has links)
Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com Ti<Tamb bolhas planas são formadas após recozimento a 400°C por 600s. Recozimentos a 800°C durante o mesmo tempo levam ao colapso das estruturas planas e à formação de um sistema de cavidades esféricas cujas características são dependentes dos estágios iniciais de implantação. No intervalo onde Ti>Tamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.
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Caracterização da implantação de Ne em Si (100)Peripolli, Suzana Bottega January 2007 (has links)
Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada com o objetivo de modificar a microestrutura potencializando aplicações para aprisionamento de impurezas, corte preciso, relaxação de estruturas, entre outras. A maior parte dos trabalhos conhecidos na literatura considera a implantação de He ou uma combinação de He e H em Si. Nessa tese serão explorados os efeitos da implantação de Ne em Si e as modificações estruturais ocasionadas quando parâmetros de implantação e de tratamentos térmicos posteriores são variados. Os estudos foram realizados considerando: i) substrato mantido à temperatura ambiente e com diferentes fluências de implantação, ii) substrato mantido em 250°C e diversas fluências, e iii) mais altas temperaturas de implantação e fluência fixa. Após tratamentos térmicos investigou-se como os defeitos pontuais formam defeitos estendidos e a sua evolução para discordâncias. A comparação entre as técnicas de implantação com feixe de íons monoenergéticos e plasma de íons de Ne, também foi investigada. O estudo apresenta uma descrição detalhada das interações entre o sistema de bolhas e defeitos pontuais e estendidos. Esse estudo foi feito utilizando as técnicas de espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS/C) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM), bem como com a técnica de espalhamento de raios X em incidência de ângulo rasante (GISAXS) para investigar a morfologia do sistema de bolhas. O conteúdo de gás no sistema foi estudado com as técnicas de espectroscopia de dispersão em comprimento de onda (WDS) e detecção do recuo elástico (ERD). O valor experimental do conteúdo foi comparado com o volume livre existente no sistema de bolhas considerando modelos de equilíbrio termodinâmico e a equação de estado de gás ideal e gás real. Além disso, a evolução do sistema de bolhas foi discutida em termos das características de distribuição em tamanhos. Os principais resultados permitiram concluir que: i) mesmo em altas temperaturas de implantação e recozimento ocorre a presença de bolhas, ii) o conteúdo de gás se conserva, iii) esta conservação implica que as bolhas estão superpressurizadas ou é necessário adotar um maior valor para a densidade de energia de interface, ou ainda, que além das bolhas o gás pode estar dissolvido na matriz. As bolhas e os defeitos interagem entre si, e a presença do gás nas amostras também afeta diretamente o crescimento das mesmas. Das imagens de TEM que mostram as diferentes distribuições em tamanhos das bolhas em função da profundidade verificou-se a perda de memória dos processos de nucleação e crescimento das bolhas após tratamentos térmicos. Tal perda é associada ao tamanho médio atingido pelas bolhas após tratamentos térmicos que mostra ser independente do sistema inicial, após implantações a diferentes temperaturas. Este estudo permitiu, portanto, desenvolver uma visão mais abrangente da evolução da microestrutura de amostras de Si implantadas com Ne e discutiu os processos de formação e dissolução de defeitos no Si. / In the present work the results of a study on the formation and evolution of cavities, bubbles and defects created by implantation of Ne in crystalline Si are presented. The inert gas implantation in Si have been investigated because it has some potential applications such as impurity gettering, smart cut process, relaxation of structures, etc. The majority of these studies is related to He (or a He and H combination) implanted in Si. In this work, the neon implantation in silicon is investigated at different conditions of fluence, implantation temperatures and post-annealing. The extension of these studies to heavier inert gases introduce the possibility of modify the concentration of point defects and therefore may bring new advances in the understanding of bubble formation and damage accumulation process in Si. We have considered: i) neon implantation in Si at room temperature and with different fluences, ii) sample at 250°C and different fluences, and iii) higher sample temperature and fixed fluence. After post-annealing, we studied the coarsening of bubbles in the samples, and how the point defects create extended defects and finally evolute to dislocation defects. The results from ion beam and plasma-based implantation of neon into silicon are compared. The study shows a detailed description about the bubbles and the extended defects system interactions. The micro-structure evolution of the bubbles and the defects system is investigated by using Rutherford Backscattering Spectrometry under channeling conditions (RBS/C), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering (GISAXS) techniques to describe the bubble system morphology. The neon retained behavior was studied by Wavelenght Dispersive Spectrometry (WDS) and Elastic Recoil Detection (ERD). The experimental values for the neon quantity retained in the sample was compared to the free volume cavity, in the thermodynamic equilibrium framework, and the equation of state for ideal and real gases. Furthermore, the bubble system evolution was described in terms of the bubble size distribution characteristics. Our results show that: i) a dense bubble system is presented at high implantation temperatures, ii) the neon is retained in the samples, iii) the neon amount measured implies that either: the bubbles are over-pressurized, or a higher value for the surface-specific energy than the one found in literature should be used in this case, or the neon content is distributed both in bubbles and in the Si crystal. The defects and bubbles formation and evolution depend on the neon amount and we may conclude that high-temperature Ne implantation lead to the formation of a condensed system of rather stable nano-bubbles. Regarding the post-annealed samples, the bubble coarsening and growth process looses its memory, as can be observed by the mean bubble diameter from TEM images. At different implantation temperature, we verified that the final bubble size distribution is independent from the initial system configuration. The study provides a general overview about the bubbles and defects formation process with Ne implantation in Si.
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Detecção de nêutrons rápidos devido a radiação espalhada em aceleradores lineares / Detection of fast neutrons due to scattered radiation in linear acceleratorsNascimento, Débora Siqueira 20 July 2018 (has links)
Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq / Linear accelerators of high energy beams have been used to treat tumors in radiotherapy. Some questions about the protection of the patient and occupationally exposed workers have been arisen because high energy bundles generate scattered radiations that are undesirable in treatment. A possible radiation type generated due to the interaction of the beam with accelerator elements is the neutron, mainly fast neutrons. Such radiation can cause serious problems for patients besides cause damage to devices used by them. This work aims investigate the presence of fast neutrons around a mobile accelerator dedicated to intraoperative radiotherapy (IORT) using high energy electron beams. The aim is to detect the possible fast neutrons and further evaluate their distribution within phantom irradiated. For this study a mobile accelerator (LIAC), for electron beams, and a conventional accelerator (Elekta), for the photon beam, were used. Neutron measurements were made using bubble detectors (C-318) which are sensitive only to fast neutrons. In order to simulate the patient two polymethylmethacrylate (PMMA) phantoms, with a volume of 62 x 29 x 24 cm3 and 80 x 30 x 20 cm3, were used. Three detectors were positioned around the LIAC accelerator to measure the fast neutrons radiation generated by the accelerator elements. The measurements inside the phantom were made with three detectors positioned at three different depths, 5, 10 and 15 cm; 1, 5 and 10 cm. Moreover, two distances with respect to the central axis were chosen to the phantons irradiated by LIAC and Elekta: 0 and 4 cm; 0 and 30 cm, respectively. The results from the measurements around the LIAC demonstrate the abscense of fast neutrons. The results for both, LIAC and Elekta, showed that the dose of fast neutrons is mainly concentrated in the central axis and a decrease of 60% and 99%, respectively, in relation to off-axis doses. The highest values found for the different energies of 12, 10 and 8 MeV were 2.44, 1.14 and 0.59 uSv / Gy, respectively, for the LIAC. While the highest values for energies of 15, 10 and 6 MeV for Elekta were 2.98, 1.08 and 0.15 mSv/Gy, respectively. These results also showed the increasing ratio of dose to energy, both for Elekta and for LIAC. The relation between dose and depth also was discussed. It was found that in some cases the neutron attenuation increases with depth as expected while in others the ratio is not clear. The comparison between the doses established in each accelerator showed a difference around 10−3. The data presented in this work, therefore, demonstrate that the LIAC minimally generates fast neutrons within the phantom, when compared with the Elekta, and around were not detected for the LIAC. The neutrons generated by both accelerators presented similar behaviour within the phantom in relation to the energy variation, depth and central axis distance. / Aceleradores lineares de feixes de alta energia são utilizados para tratamento de tumores em radioterapia. Isso tem gerado algumas questões sobre a proteção do paciente e dos trabalhadores ocupasionalmente expostos, pois feixes de alta energia geram radiações espalhadas que são indesejáveis no tratamento. Uma das possíveis radiações geradas devido à interação do feixe com elementos do acelerador é o nêutron, principalmente nêutrons rápidos. Essa radiação pode causar sérios problemas para pacientes caso interajam com o mesmo e ainda podem causar danos a dispositivos utilizados pelo paciente. A proposta desse estudo foi investigar a presença de nêutrons rápidos ao redor de um acelerador móvel dedicado, LIAC, para radioterapia intraoperatória (RT-IO) que utiliza feixes de elétrons de alta energia. Busca-se detectar os possíveis nêutrons rápidos e ainda avaliar a sua distribuição dentro de objeto simulador irradiado. Para este estudo foram utilizados tanto um acelerador móvel (LIAC), para feixes de elétrons, quanto um acelerador convencional (Elekta), para feixe de fótons. As medidas dos nêutrons foram feitas utilizando detectores de bolhas (C-318) que são sensíveis apenas a nêutrons rápidos. Para simular o paciente foram utilizados dois phantons de polimetilmetacrilato (PMMA) com volume de 62 x 29 x 24 cm3 e 80 x 30 x 20 cm3. Em cada posição escolhida, três detectores foram posicionados ao redor do acelerador LIAC para medir a radiação de nêutrons rápidos que eram gerados pelos elementos constituintes do acelerador. As medidas dentro do phantom foram feitas com três detectores posicionados em três profundidades diferentes, 5, 10 e 15 cm; 1, 5 e 10 cm e duas distâncias em relação ao eixo central, 0 e 4 cm; 0 e 30 cm para os phantons irradiados pelo LIAC e Elekta, respectivamente. Os resultados das medidas ao redor do LIAC demonstraram a ausência de nêutrons rápidos. Os resultados tanto para o LIAC quanto para o Elekta mostraram que a dose de nêutrons rápidos é principalmente concentrada no eixo central do feixe e uma queda de 60%, a 4 cm do eixo, e 99%, a 30 cm do eixo, respectivamente. Os maiores valores encontrados para as diferentes energias de 12, 10 e 8 MeV foram 2,44, 1,14 e 0,59 uSvGy para o LIAC, respectivamente. Enquanto que os maiores valores para energias de 15, 10 e 6 MeV para o Elekta foi de 2,98, 1,08 e 0,15 mSVGy, respectivamente. Esses resultados ainda mostraram a relação crescente da dose com a energia, tanto para Elekta quando para LIAC. Outra relação que foi discutida é da dose com a profundidade, porque em alguns casos é nítida a atenuação de nêutrons com o aumento da profundidade e em outros não se demonstra tão regular. A comparação entre as doses estabelecidas em cada acelerador mostrou uma diferença em torno de 10−3. Os dados apresentados nesse trabalho, portanto, demonstram que o LIAC gera minimamente nêutrons rápidos dentro do phantom, se comparado com o Elekta, e ao redor do LIAC não foram detectados. O nêutrons gerados por ambos aceleradores apresentaram comportamento parecido dentro do phantom em relação a variação de energia, profundidade e distância do eixo central. / São Cristóvão, SE
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Transdutores eletromecânicos de eletretos poliméricos com bolha de ar termoformada / Electromechanical transducers of polymeric electrets with thermo-formed air bubbleClaudio Vara de Aquino 15 May 2007 (has links)
A sensibilidade eletromecânica dos transdutores de eletretos poliméricos resulta em muitas aplicações na engenharia, que motivaram a produção industrial de um filme não homogêneo e eletricamente carregado, denominado filme eletromecânico ou EMFi (ElectroMechanical Film). Um dispositivo alternativo a este EMFi, produzido em nosso laboratório, foi o resultado de uma bolha de ar homogênea termoformada, unida por dois filmes de teflon FEP. Este dispositivo possui uma estrutura similar ao EMFi, mas permite cavidades homogêneas a serem predefinidas e distribuídas no momento em que o dispositivo é produzido, diferindo das células no EMFi com tamanhos diversos e dispersas no interior do filme industrial. A possibilidade de controlar a geometria das bolhas de ar tornou possível o desenvolvimento de um modelo, empregado como uma ferramenta de projeto. A resposta eletromecânica deste transdutor foi modelada e então apresentada neste trabalho. Este modelo analítico avalia o desempenho destes transdutores com somente uma bolha termoformada, para efeitos de simplificação, baseado em capacitores em série, em função da deformação mecânica e da carga elétrica retida no polímero. São representados dinamicamente com parâmetros elétricos e mecânicos, definidos à medida que operam como sensores ou atuadores, com respeito ao limites impostos pela aplicação especificada. O gráfico da resposta em freqüência mostra a freqüência de ressonância e a largura da faixa para meia-amplitude que determina o coeficiente de amortecimento que não pode ser obtido diretamente do modelo analítico. Este gráfico também permite comparar a freqüência natural obtida graficamente com aquela calculada pelo modelo, tornando mais confiável o modelo desenvolvido para o transdutor. Finalmente, melhorias na instrumentação e em condições mais adequadas para os testes são sugeridas, bem como métodos alternativos para trabalhos futuros. / The electromechanical sensibility of polymeric electrets transducers yields many engineering applications which have motivated industrial production of a non-homogeneous and electrically charged film, the so-called electromechanical film (EMFi). An alternative device for this EMFi that has been produced in our laboratory was a homogeneous thermo-formed air bubbles bonded with two teflon FEP films. This device has a structure similar to the EMFi, but allows the homogeneous voids to be pre-defined and distributed at the moment the device is produced, differing the EMFi voids with diverse sizes and dispersed into the industrial film. The possibility to control the air bubbles geometry makes possible the development of a model to be used as a design tool. The electromechanical response of this transducer has been modeled and is presented in this work. Such analytical model evaluates the transducers performance using just a single thermo-formed bubble for simplification purposes, based on series capacitors, which are function of the mechanical deformation and electrical charge trapped in the polymer. They are represented dynamically, with electrical and mechanical parameters being defined as they work as sensors or actuators, regarding the limits imposed by the specified application. A frequency response plot shows the resonance frequency and the bandwidth for the half amplitude, which determines the damper coefficient that cannot be obtained directly from the analytical model. This plot also allows comparison of the natural frequency obtained graphically with the calculated one using the model, making more reliable the transducer model developed. Finally, instrumentation improvements and more suitable test conditions are suggested, as well as alternative methods for future works.
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Modelagem e simulação fluidodinâmica de sistemas gás-líquido-sólido em leitos de lama usando CFD : síntese de metanol / Fluid dynamic modelling and simulation of gas-liquid-solid slurry systems using CFD : methanol synthesisSilva Júnior, João Lameu da, 1986- 17 July 2015 (has links)
Orientador: Milton Mori / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Química / Made available in DSpace on 2018-08-27T18:43:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2015 / Resumo: Nesta pesquisa investigou-se numericamente as características fluidodinâmicas de colunas de bolhas em leito de lama operando sob diferentes regimes de escoamento e concentrações de sólido particulado empregando a técnica CFD. A síntese de metanol em duas etapas (carbonilação e hidrogenação catalítica) também foi estudada numericamente em um reator em leito de lama. Na análise fluidodinâmica, o papel das interações entre as diferentes fases, a turbulência induzida pelas bolhas e o balanço populacional destas foram estudados. As predições das simulações foram validadas com dados experimentais obtidos da literatura. Na análise fluidodinâmica e cinética, os fenômenos de transferência de massa e de calor entre fases e as taxas das reações químicas foram avaliadas e os resultados foram comparados a dados experimentais de composição da fase líquida e de conversão do gás de síntese obtidos da literatura. As interações disperso-contínuo (arrastes gás-líquido e sólido-líquido) mostraram ser fundamentais na modelagem correta de sistemas trifásicos. As interações entre as fases dispersas (arraste gás-sólido e interação sólido-sólido) apresentaram influências significativas sob certas condições operacionais. O modelo de balanço populacional não-homogêneo promoveu bons resultados para a condição operacional estudada. A turbulência induzida pelas bolhas também demonstrou ser essencial na modelagem correta do escoamento de sistemas gás-líquido-sólido. Os modelos fluidodinâmicos com expressões cinéticas do tipo Langmuir-Hinshelwood para a síntese de metanol representaram bem o sistema reativo estudado. Em síntese, os modelos CFD propostos e simulados foram capazes de predizer o comportamento do escoamento de colunas de bolhas em leito de lama nas condições estudadas / Abstract: In the present work, numerical simulations using CFD were performed to study the fluid dynamic characteristics of a slurry bubble column operating under different flow regimes and particulate solid concentrations. The two-step methanol synthesis (carbonylation and catalytic hydrogenolysis) was also numerically investigated in a slurry bubble column reactor. In the fluid dynamic analysis, the role of phase interactions, bubble induced turbulence and population balance for bubbles were evaluated. The simulations were validated with experimental data from literature. In the fluid dynamic with chemical reactions analysis, mass and heat transfer between phases and reaction rates were evaluated and the results were compared with experimental data of liquid compositions and syngas conversion. Dispersed-continuous interactions (gas-liquid and solid-liquid drag forces) showed to be fundamental to model correctly three-phase systems. Dispersed-dispersed interactions (gas-solid drag force and solid-solid interactions) exhibited expressive influences under certain operating conditions. The inhomogeneous population balance model promoted good results for the operating conditions studied. Bubble induced turbulence is also an essential feature in the modelling of gas-liquid-solid systems. The fluid dynamic model with Langmuir-Hinshelwood-type rate expressions for the methanol synthesis represented well the reaction system studied. The proposed CFD models were capable to predict flow behaviour of slurry systems in the investigated operating conditions / Doutorado / Engenharia Química / Doutor em Engenharia Química
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Mercado de capitais brasileiro: discussão sobre a eficácia dos mecanismos de proteção dos acionistas minoritários não qualificados nos processos de IPO (Initial Public Offering) na Bovespa, no período de 2004 a 2007Silva, José Milton Almeida da 05 October 2009 (has links)
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Previous issue date: 2009-10-05 / The central goal of this research was to increase the debating about efficacy from rules,
legal actions and Corporate governance to protect the non qualified minority
shareholders in the Brazilian IPOs (Initial Public Offering) programs. The theme has
showed growing interest, because the number of personal investors and the Bovespa s
(São Paulo Stock Exchange) IPO market has been in progress strongly. The event study
was the methodology used to measure the abnormal returns in the portfolio s samples
with between 23 and 98 shares from 106 IPOs going public in 2004-07, using de market
price from January, 2004 to June, 2008. Further, four statistic tests were applied to
detect if the speculative bubble dynamic affected the Bovespa from January, 1999 to
June, 2008. The empiric results from event study evidenced the overpricing
phenomenon measured from the offering price to the market price at the end of the first
day of trading estimated between 4,80% and 9,26%, and a underpricing phenomenon in
the sequel. The cumulative average abnormal returns, ruled out of the first day return,
achieved -11,52% at the end of the 6º month, -16,60% at the end of the 12º month and
-35,74% at the end of the 24º month, presented a underperfomance phenomenon with
economic and statistic significance, widely documented by the academy, specially on
the north American capital market. The empiric results from four statistic tests showed,
with statistic significance, that speculative bubble dynamic affected the Ibovespa (Index
of São Paulo Stock Exchange) in the period from January, 1999 to June, 2008. Thus,
evidences were found of the minority shareholders that bought shares in the Bovespa s
IPOs programs in the studied period were induced by market anomalies to overpay the
share s portfolios. Consequently, the research suggests that actions to improve the
rules, legal actions and Corporate governance is necessary to protect of the non
qualified minority shareholders in the Brazilian capital market / Esta pesquisa teve como objetivo central ampliar as discussões quanto à eficácia das
normas, procedimentos e Governança Corporativa na proteção dos acionistas
minoritários não qualificados nos processos de IPO s (Initial Public Offering) ou
abertura de capital das companhias no mercado de capitais brasileiro. O tema apresenta
importância crescente em face do recente aumento do número de investidores
individuais e do forte incremento do mercado de IPO s na Bolsa de Valores de São
Paulo (Bovespa). A metodologia empregada foi um estudo de evento para a
identificação da presença de retornos anormais em carteiras compostas por uma amostra
entre 23 e 98 ações de um total de 106 IPO s realizados na Bovespa entre 2004 e 2007,
abrangendo as cotações das ações no período entre janeiro de 2004 e junho de 2008.
Também foram realizados quatro testes estatísticos visando detectar indícios da
presença da dinâmica de bolha especulativa na Bovespa no período entre janeiro de
1999 e junho de 2008. Os resultados empíricos do estudo de evento demonstraram
evidências de sobre-valorização nos preços das ações no primeiro dia de negociação,
com retornos anormais entre 4,80% e 9,26%, seguida de significativas quedas nas
cotações subseqüentes. Os retornos anormais médios acumulados, excluído o retorno do
1° dia, atingiram -11,52% no final do 6º mês, -16,60% no final do 12º mês e -35,74% no
final do 24º mês, evidenciando relevantes perdas de valor das carteiras analisadas no
período, tanto em termos econômicos quanto em nível de significância estatística,
caracterizando o fenômeno da underperformance, amplamente documentado pela
academia, notadamente no mercado de capitais norte-americano. Os resultados dos
testes estatísticos demonstraram indícios, com significância estatística, da presença da
dinâmica de bolha especulativa na formação do Índice da Bolsa de Valores de São
Paulo (Ibovespa) no período entre janeiro de 1999 e junho de 2008. Desse modo, foram
encontradas evidências de que os acionistas minoritários que participaram dos processos
de IPO s na Bovespa no período estudado foram induzidos, por anomalias de mercado,
ao pagamento de valores acima dos preços justos das carteiras de ações. Como
conseqüência, a pesquisa sugere a necessidade do aperfeiçoamento dos mecanismos de
proteção dos acionistas minoritários não qualificados no mercado de capitais brasileiro
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Comunicação e crise na era da cibercultura: lógica mediática da hipervolatilização financeira contemporâneaTomaz, Tales Augusto Queiroz 15 December 2011 (has links)
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Previous issue date: 2011-12-15 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The present Dissertation focuses on the relation between glocal phenomenon and financial hypervolatilzation of the cybercultural capitalism. Glocal phenomenon is the hybridization between local context and global satellized culture, inextricable mix articulated and modulated by instantaneous communication and deepened by the proliferation of technologies of virtual. It is therefore the very mediatic logic of contemporary civilization. Glocal phenomenon experiences sociotechnological trajectory of progressive prominence in social and cultural contemporary history, to become the default condition in cyberculture, understood here as the contemporary social-historical configuration grounded on and through the digital technologies and nets. Along with postindustrial processes, late capitalist economy acquires specific characteristics, among which the financial hypervolatilization, to which news constantly refer as financial bubbles and crises . In this scenario, the present reflection proposes as research problem the following questions: how is glocal inserted in the reproduction of the financial hypervolatilization in today s economy? What s the social-historical signification of the glocalized hypervolatility? These are the hypotheses designed to those questions: [1] communication massive and interactive media, hereafter converging in the transnational informational vector radicates in the basis of the economy transition to the flexible regime of accumulation and of the financial hypervolatilization in these times, articulated by human life glocalization; and [2] hypervolatilization, as sine qua non condition of contemporary economy, articulates the very mode of accumulation of the late capitalism, which becomes virtualized, denoting also in this area the presence of the crisis of the materiality of existence emerged in the development of the mediatic nets. The objectives of the research are, apart from apprehending the socio-structural mode of glocal operation, to investigate the relation between its presence in economy and the existence of the financial hypervolatilization. This research aims to accomplish these objectives by an exclusively theoretical methodology based on progressive revision of bibliography in the following perspectives: Paul Virilio s sociodromology and its late unfoldings by Eugênio Trivinho, with the concepts of glocal, mediatic visibility and cyberculture; the theoretical post-modernism, according to Fredric Jameson, Perry Anderson and Ciro Marcondes Filho; the financialization of the post-modern capitalism, as explained by David Harvey, Robert Reich and Zygmunt Bauman; and the simulation of real by signical-mediatic saturation, as in Jean Baudrillard s studies. By such characteristics, the research aims to contribute to the development of the studies in cyberculture and communications in Brazil / A presente Dissertação versa sobre a relação entre o fenômeno glocal e a hipervolatilização financeira do capitalismo cibercultural. Fio condutor da reflexão, o fenômeno glocal é a hibridação entre contexto local e cultura mundial satelitizada, mescla inextricável articulada e modulada pela comunicação instantânea e aprofundada com a proliferação das tecnologias do virtual. É, portanto, a própria lógica mediática da civilização contemporânea. O fenômeno glocal cumpre trajetória sociotecnológica de progressiva proeminência na história social e cultural contemporânea, até tornar-se condição padrão na cibercultura, encarada como categoria de época, atinente à configuração social-histórica atual, alicerçada nas e pelas tecnologias e redes digitais. Na esteira dos processos pós-industriais, a economia capitalista avançada adquire características diferenciadas, entre as quais destaca-se a hipervolatilização financeira, à qual o noticiário alude constantemente como bolhas e crises financeiras . Diante desse quadro, a presente reflexão propõe, como problemática de pesquisa, as seguintes questões: como o fenômeno glocal se põe na reprodução da hipervolatilização financeira atual? Qual a significação social-histórica da hipervolatilização mediática dos valores? A tais questões, sucedem-se estas hipóteses: [1] a comunicação mediática de massa e interativa, doravante confluentes no vetor informacional transnacional radica na base da transição da economia para o regime de acumulação flexível e (na base) da hipervolatilização financeira dos tempos atuais, articulada pela glocalização da vida humana; e [2] a hipervolatilização, como condição sine qua non da economia contemporânea, articula o próprio modo de acumulação dessa fase do capitalismo, que se torna virtualizado, indicando a presença, também nesse campo da vida humana, da crise da materialidade da existência desencadeada na formação das redes mediáticas. Os objetivos da pesquisa são, além de apreender o modo socioestrutural de operação do glocal, investigar a relação entre a sua presença na economia e a existência da hipervolatilização financeira. Para atingir esses objetivos, a pesquisa, de base exclusivamente teórica, adotou metodologia embasada em revisão bibliográfica progressiva, no âmbito das seguintes perspectivas: a sociodromologia de Paul Virilio, levada adiante nos estudos de Eugênio Trivinho sobre glocal, visibilidade mediática e cibercultura; o pós-modernismo teórico, conforme Fredric Jameson, Perry Anderson e Ciro Marcondes Filho; a financeirização do capitalismo pós-moderno, segundo David Harvey, Robert Reich e Zygmunt Bauman; e a simulação do real por saturação sígnico-mediática, nos termos de Jean Baudrillard. Com tais características, a pesquisa pretende contribuir para o desenvolvimento dos estudos sobre cibercultura e comunicação no Brasil
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