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Fehlerinjektionstechniken in SystemC-Beschreibungen mit Gate- und Switch-Level VerhaltenMisera, Silvio, Sieber, Andre´ 08 June 2007 (has links) (PDF)
Zur Beschreibung elektronischer Systeme hat SystemC inzwischen eine festen Platz in der
Entwurfslandschaft gefunden. Ein wesentlicher Vorteil eines SystemC-Modells ist die bereits
vorhandene Möglichkeit einer Simulation. Neben der rein funktionalen Simulation zur
Entwurfsvalidierung ergeben sich für eine Simulation mit injizierten Fehlern zusätzliche
Herausforderungen. In dieser Arbeit werden diverse Techniken zur Fehlerinjektion in SystemC
vorgestellt. Einige vergleichende Experimente helfen diese Techniken zu bewerten. Anschließend
werden einige Modelle präsentiert, die es gestatten, SystemC auch auf niederen Ebenen des
Hardwareentwurfs einzusetzen. Mit den vorgeschlagenen Methoden eröffnet sich hiermit die
Möglichkeit einer genauen Untersuchung zur Auswirkung von Hardwarefehlern in digitalen
Schaltungen mit Hilfe von SystemC.
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Elektrostatische Aufladung organischer Feldeffekttransistoren zur Verbesserung von gedruckten SchaltungenReuter, Kay 15 November 2012 (has links) (PDF)
Topic of the thesis is the production of unipolar digital circuits by means of mass-printing technologies. For this purpose accumulation-mode and depletion-mode field-effect transistors have been used. To realize depletion-mode field-effect transistors charges are injected and stored in the gate-dielectric.
Consequently, the charge transport on the semiconductor-dielectric interface is influenced and the threshold voltage can be controlled. To inject charges into the dielectric different technologies have been used and will be discussed in terms of their process parameters. Finally, fully-printed digital circuits with enhanced performance are introduced. / Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die drucktechnische Herstellung von unipolaren digitalen Schaltungen durch eine Kombination von organischen Feldeekttransistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp. Zur Realisierung von Transistoren vom Verarmungstyp werden Überschussladung in den Gate- Isolator eingebracht und gespeichert, wodurch der Ladungstransport im Transistorkanal insbesondere die Schwellspannung beeinflusst wird. Es werden verschiedene Aufladungstechnologien und deren Prozessparameter diskutiert. Abschließend werden vollständig mit Massendruckverfahren prozessierte, digitale Schaltungen mit verbesserter Signalübertragungscharakteristik vorgestellt.
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Fehlerinjektionstechniken in SystemC-Beschreibungen mit Gate- und Switch-Level VerhaltenMisera, Silvio, Sieber, Andre´ 08 June 2007 (has links)
Zur Beschreibung elektronischer Systeme hat SystemC inzwischen eine festen Platz in der
Entwurfslandschaft gefunden. Ein wesentlicher Vorteil eines SystemC-Modells ist die bereits
vorhandene Möglichkeit einer Simulation. Neben der rein funktionalen Simulation zur
Entwurfsvalidierung ergeben sich für eine Simulation mit injizierten Fehlern zusätzliche
Herausforderungen. In dieser Arbeit werden diverse Techniken zur Fehlerinjektion in SystemC
vorgestellt. Einige vergleichende Experimente helfen diese Techniken zu bewerten. Anschließend
werden einige Modelle präsentiert, die es gestatten, SystemC auch auf niederen Ebenen des
Hardwareentwurfs einzusetzen. Mit den vorgeschlagenen Methoden eröffnet sich hiermit die
Möglichkeit einer genauen Untersuchung zur Auswirkung von Hardwarefehlern in digitalen
Schaltungen mit Hilfe von SystemC.
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Elektrostatische Aufladung organischer Feldeffekttransistoren zur Verbesserung von gedruckten SchaltungenReuter, Kay 22 May 2012 (has links)
Topic of the thesis is the production of unipolar digital circuits by means of mass-printing technologies. For this purpose accumulation-mode and depletion-mode field-effect transistors have been used. To realize depletion-mode field-effect transistors charges are injected and stored in the gate-dielectric.
Consequently, the charge transport on the semiconductor-dielectric interface is influenced and the threshold voltage can be controlled. To inject charges into the dielectric different technologies have been used and will be discussed in terms of their process parameters. Finally, fully-printed digital circuits with enhanced performance are introduced. / Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die drucktechnische Herstellung von unipolaren digitalen Schaltungen durch eine Kombination von organischen Feldeekttransistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp. Zur Realisierung von Transistoren vom Verarmungstyp werden Überschussladung in den Gate- Isolator eingebracht und gespeichert, wodurch der Ladungstransport im Transistorkanal insbesondere die Schwellspannung beeinflusst wird. Es werden verschiedene Aufladungstechnologien und deren Prozessparameter diskutiert. Abschließend werden vollständig mit Massendruckverfahren prozessierte, digitale Schaltungen mit verbesserter Signalübertragungscharakteristik vorgestellt.
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