Zur Beschreibung elektronischer Systeme hat SystemC inzwischen eine festen Platz in der Entwurfslandschaft gefunden. Ein wesentlicher Vorteil eines SystemC-Modells ist die bereits vorhandene Möglichkeit einer Simulation. Neben der rein funktionalen Simulation zur Entwurfsvalidierung ergeben sich für eine Simulation mit injizierten Fehlern zusätzliche Herausforderungen. In dieser Arbeit werden diverse Techniken zur Fehlerinjektion in SystemC vorgestellt. Einige vergleichende Experimente helfen diese Techniken zu bewerten. Anschließend werden einige Modelle präsentiert, die es gestatten, SystemC auch auf niederen Ebenen des Hardwareentwurfs einzusetzen. Mit den vorgeschlagenen Methoden eröffnet sich hiermit die Möglichkeit einer genauen Untersuchung zur Auswirkung von Hardwarefehlern in digitalen Schaltungen mit Hilfe von SystemC.

Topic of the thesis is the production of unipolar digital circuits by means of mass-printing technologies. For this purpose accumulation-mode and depletion-mode field-effect transistors have been used. To realize depletion-mode field-effect transistors charges are injected and stored in the gate-dielectric. Consequently, the charge transport on the semiconductor-dielectric interface is influenced and the threshold voltage can be controlled. To inject charges into the dielectric different technologies have been used and will be discussed in terms of their process parameters. Finally, fully-printed digital circuits with enhanced performance are introduced. / Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die drucktechnische Herstellung von unipolaren digitalen Schaltungen durch eine Kombination von organischen Feldeekttransistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp. Zur Realisierung von Transistoren vom Verarmungstyp werden Überschussladung in den Gate- Isolator eingebracht und gespeichert, wodurch der Ladungstransport im Transistorkanal insbesondere die Schwellspannung beeinflusst wird. Es werden verschiedene Aufladungstechnologien und deren Prozessparameter diskutiert. Abschließend werden vollständig mit Massendruckverfahren prozessierte, digitale Schaltungen mit verbesserter Signalübertragungscharakteristik vorgestellt.

Zur Beschreibung elektronischer Systeme hat SystemC inzwischen eine festen Platz in der Entwurfslandschaft gefunden. Ein wesentlicher Vorteil eines SystemC-Modells ist die bereits vorhandene Möglichkeit einer Simulation. Neben der rein funktionalen Simulation zur Entwurfsvalidierung ergeben sich für eine Simulation mit injizierten Fehlern zusätzliche Herausforderungen. In dieser Arbeit werden diverse Techniken zur Fehlerinjektion in SystemC vorgestellt. Einige vergleichende Experimente helfen diese Techniken zu bewerten. Anschließend werden einige Modelle präsentiert, die es gestatten, SystemC auch auf niederen Ebenen des Hardwareentwurfs einzusetzen. Mit den vorgeschlagenen Methoden eröffnet sich hiermit die Möglichkeit einer genauen Untersuchung zur Auswirkung von Hardwarefehlern in digitalen Schaltungen mit Hilfe von SystemC.

Topic of the thesis is the production of unipolar digital circuits by means of mass-printing technologies. For this purpose accumulation-mode and depletion-mode field-effect transistors have been used. To realize depletion-mode field-effect transistors charges are injected and stored in the gate-dielectric. Consequently, the charge transport on the semiconductor-dielectric interface is influenced and the threshold voltage can be controlled. To inject charges into the dielectric different technologies have been used and will be discussed in terms of their process parameters. Finally, fully-printed digital circuits with enhanced performance are introduced. / Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die drucktechnische Herstellung von unipolaren digitalen Schaltungen durch eine Kombination von organischen Feldeekttransistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp. Zur Realisierung von Transistoren vom Verarmungstyp werden Überschussladung in den Gate- Isolator eingebracht und gespeichert, wodurch der Ladungstransport im Transistorkanal insbesondere die Schwellspannung beeinflusst wird. Es werden verschiedene Aufladungstechnologien und deren Prozessparameter diskutiert. Abschließend werden vollständig mit Massendruckverfahren prozessierte, digitale Schaltungen mit verbesserter Signalübertragungscharakteristik vorgestellt.