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Efeito de dopantes em nanoestruturas semicondutoras e seu impacto no desempenho fotocatalíticoCarvalho Junior, Waldemir Moura de January 2017 (has links)
Orientador: Prof. Dr. Fabio Leandro de Souza / Tese (doutorado) - Universidade Federal do ABC, Programa de Pós-Graduação em Nanociências e Materiais Avançados, 2017. / Esta tese de doutorado é divida em três partes, (i) definição dos parâmetros de síntese de fotoanodos de óxidos de ferro na fase hematita; modificação dos filmes de hematita com (ii) Sn e (iii) W. (i) Na primeira parte do trabalho foram sintetizados filmes de hematita de 2 a 24 horas, tendo sua fase confirmada por difração de raios x após o tratamento térmico a 750 ºC. Alem disso, os filmes após o tratamento térmico as 750 °C apresentaram a orientação preferencial no plano de maior condutividade da hematita, o plano (110). Todos os filmes exibiram uma boa estabilidade eletroquímica, sendo o filme de 2 horas o de maior fotocorrente. (ii) Na segunda os fotoanodos de hematita tiveram sua superfície modificada com solução contendo Sn4+. A modificação com Sn4+ aumentou a fotocorrente de todos os fotoanodos de hematitas quando comparados com os puros, mantendo a melhor fotocorrente nos filmes de 2 horas. A melhoria na fotocorrente pela adição de Sn4+ foi atribuída a maior área superficial decorrente da superfície mais hidrofílica, favorecendo a reação química na interface sólido/líquido e provavelmente reduzindo pontos de recombinação. No entanto, resultados ainda superiores poderiam ser alcançados se o Sn4+ atuasse como dopante, ao invés de ter formando uma fase adicional identificada pela análise MET/EDX. Esses resultados abrem caminho para novas perspectivas para explicar o efeito da adição de Sn4+ como uma sobre camada na superfície de eletrodos de hematita. (iii) Na terceira parte foi adicionado pela primeira vez W6+ diretamente na síntese dos filmes de hematita tratados a 550 ou 750 ºC. A modificação com W6+ aumentou a fotocorrente e mantendo-se a mesmas estáveis em ambas as temperaturas de tratamento térmico. Por outro lado, a adição de W6+ fez com que os nanobastões perdem-se o leu alinhamento perpendicular ao substrato e a orientação preferencial no plano (110). Os resultados de XPS mostraram a presença de W6+, possível somente na forma de óxido, sugerindo que o tungstênio tenha segregado de forma a estabilizar na superfície da hematita. A segregação na superfície também corrobora com as medidas eletroquímicas, a densidade de carga (ND) praticamente inalterada e a melhora no desempenho catalítico evidenciado pelas medidas fotoeletroquímica com H2O2. / This doctoral thesis is divided into three parts, (i) synthesis parameters definition of iron oxide photoanodes in hematite phase and modification of the hematite with (ii) Sn and (iii) W. (i) In the first part, hematite photoanodes were synthesized from 2 to 24 hours, this phase was confirmed by x-ray diffraction after annealing at 750 ° C. In addition, the photoanodes showed a preferred orientation in the hematite higher conductivity plane, (110), after annealing at 750 ° C. All photoanodes were electrochemical stable, with the 2 hour photoanode having the highest photocurrent. (ii) In the second part, the hematite photoanodes had their surface modified with Sn4+ containing the solution. The Sn modification increased the photocurrent of all hematite photoanodes when compared to the pure ones, maintaining the 2 hours photoanode as the best photocurrent. The Sn4+ photocurrent improvement was attributed to the larger surface area resulting from the more hydrophilic surface (high water affinity), favoring the chemical reaction at the solid/liquid interface and probably reducing recombination sites. However, even higher results could be achieved if the Sn4+ can act as a dopant, rather than forming an additional phase identified by the TEM / EDX analysis. These results pave the way for new perspectives to explain the effect of Sn4+ addiction as an overlayer on the hematite electrodes surface. (iii) In the third part, W6+ was first added directly during the hematite synthesis by the first time and annealed at 550 or 750 ºC. The W modification increased the photocurrent keeping it stable at both annealing temperatures. On the other hand, the W6+ addition made the nanorods lose their substrate perpendicular alignment and the (110) plane preferential orientation. The XPS results confirmed the W6+ presence, possible only in the oxide form, suggesting that the tungsten has segregated in order to stabilize on the hematite surface. Surface segregation also corroborates with electrochemical measurements, the almost unchanged charge density (ND) values and its catalytic performance improvement shown on the electrochemical measurements with H2O2.
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Tecnologias e a mulher atletaSilveira, Viviane Teixeira January 2013 (has links)
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Filosofia e Ciências Humanas. Programa de Pós-Graduação Interdisciplinar em Ciências Humanas, Florianópolis, 2013 / Made available in DSpace on 2013-12-05T22:53:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2013 / O objetivo da presente pesquisa foi analisar relações entre corpos de mulheres atletas e novas tecnologias. Buscamos saber como produções discursivas da mídia, da ciência e do establishment esportivo sobre a condição do feminino promovem rupturas e propõem novas concepções corporais e na sexualidade. Trabalhando com inspiração metodológica em trabalhos de Michel Foucault, em especial no que ele propõe como arqueologia, analisamos práticas e formações discursivas na descrição de enunciados. Os discursos oficiais da Agência Mundial Antidoping (WADA) e das Federações e Confederações de Atletismo (IAAF e CBAt) e da Natação (FINA e CBDA) foram analisados como dispositivos biopolíticos, mostrando-se por que e como o doping continua a ser condenado. A escolha por esses dois esportes deu-se, fundamentalmente, em função dos casos das atletas Rebeca Gusmão e Caster Semenya. Os conceitos de biopolítica e de governamentalidade foram empregados para analisar as políticas transnacionais de doping, que visam governar corpos dopados e não dopados. Traçamos nossa reflexão a partir da análise de um conjunto de políticas da WADA, tais como os testes fora de competição e o Programa Passaporte do Atleta.Em outro momento o enfoque foi para a entrada do doping nos discursos, entendendo que ele é identificado/relacionado à produção de atletas mulheres com outros tipos de feminilidades, que fogem do padrão heterossexual. Analisamos o caso da nadadora brasileira Rebeca Gusmão, centrando nossa reflexão no Painel Antidoping dessa atleta, dando ênfase na transformação corporal pela qual passou e pela repercussão que o caso teve na imprensa. Levamos em conta, juntamente com o material presente no site da Federação, os discursos da imprensa sobre a atleta, antes e depois da comprovação e divulgação do doping, para refletirmos sobre como se constroem as relações entre corpo e performance esportiva, visto que Rebeca excedeu a norma de um ?corpo feminino?. Retomamos a história da Política de Verificação de Gênero, que surge com as preocupações em torno do doping, e analisamos o caso da atleta sul-africana Caster Semenya. Semenya foi protagonista de um grande investimento da mídia tanto por causa de sua aparência, fora dos padrões heteronormativos, quanto por suas capacidades atléticas, muito superiores às das adversárias. Sugerimos que a WADA é constituída não com base em sua capacidade de resolução de assuntos esportivos, mas sim em sua capacidade de apresentar qualquer dispositivo necessário para preservar as reivindicações de fair play e de outros ditames do esporte moderno, como, por exemplo, a manutenção do território esportivo classificatório, baseado também na separação dos sexos. O antidoping não é apenas uma questão específica de esportes, mas um exemplo de como os valores da heterossexualidade dominante estão implicados na sociedade. Ao analisarmos os discursos da mídia e do campo esportivo pudemos verificar que o doping tem implicações com formas e aparências de algumas mulheres estigmatizadas e julgadas por isso, já que não são somente as suas performances que interessam, mas a afirmação/confirmação/repressão de que são, ?de fato?, mulheres. <br>
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Caracterização microestrutural, morfológica e óptica de filmes anódicos de ZrO2 / Microstructural, morphological and optical characterization of anodic zro2 filmsStrixino, Francisco Trivinho 17 December 2007 (has links)
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Previous issue date: 2007-12-17 / Universidade Federal de Sao Carlos / In this work, we described some of the anodic ZrO2 properties such as microstructure, morphology and luminescence. The microstructural analysis during the breakdown process reveals that the oxide nature is similar to those oxides prepared by other methods. Nevertheless, a transition in the breakdown region is associated with the presence of crystallographic phases not stable at ambient temperature (tetragonal metastable phase). These results were explained in terms of changes in the crystallite size and microstructural of the oxide during the breakdown process. The morphology of the anodic oxides reveals a surface contained a high distribution of blisters structure. The adsorption of oxygen gas originated from the electrolysis of water modifies the oxide morphology at that spots location. A broad emission band between 350-600 nm is observed in ZrO2 films when excited at 325 nm. The origin and nature of this emission is proposed to be related to the existence of structure defects (F-centers and Zr3+ ions) inside the oxide generated during the breakdown process. Theories about the breakdown mechanism and the analyses of the Rapid Thermal Annealing and EPR data reinforced this proposition. The work was finalized with the production of anodic doped ZrO2 with Eu3+. The microstructural analysis reveals that these luminescent ions are located inside the oxide matrix and the anodic doping was explained in terms of the breakdown process. / Neste trabalho descrevemos algumas das propriedades do ZrO2 anódico, entre elas sua microestrutura, sua morfologia e sua luminescência. O estudo da microestrutura deste óxido anódico durante o processo de ruptura revelou que sua natureza é semelhante àqueles obtidos por outros métodos de síntese. Entretanto, uma transição na região de ruptura demonstra o aparecimento de fases não estáveis em temperatura ambiente (fase tetragonal metaestável). Estes resultados foram explicados em termos de variações no tamanho de cristalito e na microdeformação dos óxidos durante o processo de ruptura. A morfologia dos filmes de óxido de zircônio revelou uma superfície distribuída por estruturas semelhantes a bolhas que surgem após uma determinada densidade de carga. A adsorção de bolhas de oxigênio proveniente da eletrólise da água modifica a morfologia do óxido formado nestes locais. Uma banda larga de emissão entre 350 e 600 nm é observada nos filmes de ZrO2 quando excitados em 325nm. A natureza e a origem desta emissão é proposta como sendo conseqüência da existência de defeitos estruturais (centros-F e íons Zr3+) gerados durante a ruptura eletrolítica. As teorias sobre o mecanismo de ruptura e as interpretações de medidas de Rapid Thermal Annealing (RTA) e REP reforçaram estas propostas. O trabalho foi finalizado com a obtenção do ZrO2 dopado anodicamente com íons Eu3+. A análise microestrutural destes óxidos revelou que estes íons luminescentes estavam incorporados na matriz do óxido e sua dopagem foi explicada em termos do mecanismo de dopagem anódica.
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Estudo da ruptura dielétrica durante a anodização de zircônio e o seu efeito sobre o processo de dopagem anódica de ZrO2Santos, Janaina Soares 09 May 2012 (has links)
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Previous issue date: 2012-05-09 / Universidade Federal de Minas Gerais / In this work the fundamental aspects of electrolytic breakdown in ZrO2 films were investigated. The electrolytic breakdown is a type of dielectric breakdown that occurs during galvanostatic growth of anodic oxides. To perform this investigation, the study was divided in two parts: (i) the modification of ZrO2 films by anodic doping and (ii) characterization of the electrical discharges (sparks) that appears on the electrode surface during zirconium anodization. The anodic doping study aimed to monitor the system and analyze the influence of current density, temperature and dopant concentration on the electrochemical, morphological and microstructural properties of ZrO2 films doped with calcium and niobium ions. The factorial design technique was used to optimize the number of experiments and quantify the effects of experimental variables on the responses. The results showed that all variables influenced the electrochemical response, leading to changes in morphology and microstructural properties of the ZrO2 doped films. This result was observed because these variables can affect the mobility of ionic species, ionic transport inside the oxide, the electrolyte resistivity and the dissolution process of the oxide. The spark characterization study aimed to investigate the evolution of electrical discharges during the experiment and correlate them with the processes observed in the anodization curve of zirconium. Hence, the electrode surface was recorded during the experiments using a high definition and high speed video camera. The image analysis allowed the calculation of the size, quantity and lifetime of the sparks discharges. Due to the enormous amount of data, it was necessary to develop a new methodology to analyzing the results. The methods used were based on techniques of imaging processing and multivariate data analysis. The use of these techniques coupled to electrochemical ones provided new insights that elucidated some aspects of the breakdown phenomenon. Furthermore, it provided guidelines for the implementation of future work. / Neste trabalho foram investigados aspectos fundamentais do fenômeno de ruptura eletrolítica do ZrO2, que é um tipo de ruptura dielétrica observada durante o crescimento galvanostático de óxidos anódicos. Para isso foram feitos dois estudos dirigidos, um sobre a modificação do ZrO2 por dopagem anódica e outro de caracterização das descargas elétricas (sparks) visualizadas na superfície do eletrodo durante a anodização do Zr. O objetivo desse primeiro estudo foi mapear o sistema, analisando a influência da densidade de corrente, temperatura e concentração do dopante sobre o comportamento eletroquímico e sobre as propriedades morfológicas e microestruturais dos filmes de ZrO2 dopados com íons cálcio e nióbio. A técnica de planejamento fatorial foi utilizada com o intuito de otimizar o número de experimentos e quantificar os efeitos das variáveis de preparação sobre as respostas investigadas. Os resultados mostraram que todas as variáveis de preparação investigadas afetaram as respostas eletroquímicas, visto que influenciaram a mobilidade das espécies iônicas, o transporte de íons dentro do óxido, a resistividade do meio e a dissolução do óxido, levado a modificações nas propriedades morfológicas e microestruturais dos filmes formados. Já o estudo de caracterização dos sparks teve como objetivo estudar a evolução das descargas elétricas ao longo do experimento e correlacioná-las com os processos observados na curva de anodização do zircônio. Desta forma, a superfície do eletrodo foi filmada durante os experimentos, em definição e alta velocidade de captura de imagens, o que permitiu o cálculo do tamanho, quantidade e tempo de duração dos sparks. Devido à enorme quantidade de dados gerados, foi necessário o desenvolvendo de novas metodologias para a análise dos resultados, que foram baseadas em técnicas de tratamento de imagens e análise multivariada de dados. A utilização dessas técnicas acopladas às técnicas eletroquímicas, forneceram novos insights que auxiliaram na elucidação de alguns aspectos do fenômeno de ruptura eletrolítica no ZrO2. Além disso, forneceram diretrizes para a execução de trabalhos futuros.
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Influência dos íons Cu2+ nas propriedades ópticas dos pós de (Ca1-x Cux)TiO3 preparados por métodos químicos / Influence of Cu2+ ions in the optical properties of (Ca1-xCux)TiO3 powders synthesized by chemical soft methodsOliveira, Larissa Helena de 29 October 2012 (has links)
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Previous issue date: 2012-10-29 / Universidade Federal de Sao Carlos / The influence of Cu2+ doping as well as the preparation methods on the structural, morphological and optical properties of (Ca1-xCux)TiO3 powders with (x= 0; 0,01; 0,02; 0,04 and 0,10) of Cu2+ were studied in this work. The copper ions has been chose to replace the A site in the CaTiO3 perovskite, by the fact that structural defects related to covalent character of Cu-O linkages are created in the CaTiO3 crystalline structure. This effect is able to change the polarization or charge density of CaO12 and TiO6 clusters in the matrix, influencing its optical properties. The studied systems were synthesized by the microwave assisted hydrothermal method (HM) and Polymeric precursor method (PPM). These powders were structurally and morphologically characterized by X-ray diffraction (XRD), Rietveld refinement, micro-Raman (MR) spectroscopy, volumetric gas adsorption of Brunauer, Emmett e Teller (BET) method and field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). Finally, their optical properties were investigated by ultraviolet-visible (UV-vis) absorption and photoluminescence (PL) measurements. XRD patterns, Rietveld refinement indicated that these crystals present a perovskite-type CaTiO3 orthorhombic structure and space group Pbnm. MR spectroscopy indicated the presence of strtuctural defects which are associated to the introduction of Cu2+ ions in the A site of the perovskite.The presence of structural defects which are able to modify the polarization and/or charge density into the lattice, influencing its optical properties. Moreover, the reduction in band gap (Egap) observed for these systems is also related to them. The defects and distortions into lattice at medium- and short-range on the [CaO12]/[TiO6] clusters promotes the structural order-disorder responsible for the intense PL properties of these systems. The powders morphology are also influenced by the experimental procedure employed in the systems preparation. These materials are promising candidates for future applications in optical devices. / Neste trabalho foi estudado a influência da dopagem do íon Cu2+ e dos métodos de síntese nas propriedades estruturais, morfológicas e ópticas dos pós de (Ca1-xCux)TiO3 contendo x= 0; 0,01; 0,02; 0,04 e 0,10 mol de Cu2+. Este íon foi escolhido para substituir o sítio A do CaTiO3 por ser um dopante que pode causar uma mudança na polarização ou densidade eletrônicas dos clusters CaO12 e TiO6 na estrutura do titanato de cálcio, o que pode gerar defeitos e distorções no material influenciando suas propriedades ópticas. Os materiais estudados foram sintetizados pelo método hidrotérmico assistido por micro-ondas (MH) e método dos precursores poliméricos (MPP). Os pós foram analisados estrutural e micro-estruturalmente pelas técnicas de difração de raios X (DRX), refinamento estrutural de Rietveld, espectroscopia de micro-Raman (MR), Método Volumétrico de Adsorção de Gases de Brunauer, Emmett e Teller (BET) e Microscopia eletrônica de varredura de alta resolução (MEV). As propriedades ópticas foram analisadas por meio das técnicas de espectroscopia de absorção na região do UV-vis (UV-vis) e espectroscopia de fotoluminescência (FL). Os resultados de DRX refinamento de Rietveld indicaram que os pós cristalizam-se em uma estrutura ortorrômbica de CaTiO3 e grupo espacial Pbnm. As análises de MR indicaram a presença de defeitos estruturais na estrutura cristalina o CaTiO3 relacionadas à quebra de simetria dos clusters CaO12 e TiO6 causada pela introdução do Cobre no sítio A da perovskita. Estes defeitos estruturais podem modificar a densidade de cargas ou polarização na estrutura cristalina do CaTiO3 influenciando sua emissão fotoluminescente. Os sistemas apresentaram uma tendência a redução do valor do gap óptico (Egap) destes materiais pode estar relacionada com a presença dos íons Cu2+ na estrutura cristalina CaTiO3. Os defeitos estruturais na rede cristalina a médio e curto alcance nos clusters [CaO12]/[TiO6] são responsáveis pela emissão fotoluminescente dos pós preparados. A morfologia dos pós também é fortemente influenciada pelo método de síntese empregado. Os materiais preparados mostraram potencial aplicação em dispositivos ópticos.
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Dopagem tipo-n em estruturas SIMOXOliveira, Roana Melina de January 2007 (has links)
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As implantações de As+ foram feitas com a energia de 20 keV e doses de 5x1014cm-2 ou 2x1015cm-2. Um perfil em forma de platô foi implantado em algumas amostras por implantação com tripla energia. Recozimentos térmicos rápidos e convencionais foram aplicados para a ativação dos dopantes e cobertura dos danos de implantação. A caracterização física e elétrica foi feita através de RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), TEM (Transmission Electron Microscopy), MEIS (Medium Energy Ion Scattering) e medidas elétricas por efeito Hall. Os resultados são discutidos considerando a profundidade de amorfização alcançada pela implantação de dopantes e a cobertura dos danos após recozimentos e sua influência na ativação elétrica dos dopantes.As amostras completamente amorfizadas apresentaram maiores valores de resistência de folha e menor percentagem de ativação dos dopantes em comparação com as amostras que não tiveram a completa amorfização do filme de Si. Os resultados mostram claramente a necessidade de evitar a amorfização total do filme de Si em SIMOX durante a implantação iônica, possibilitando a formação de uma boa estrutura cristalina com boas características elétricas após o recozimento. / The re-crystallization and electrical activation of As (n-type dopant) implanted in SIMOX (Separation by IMplanted OXygen) were studied. Two SIMOX structures with different Si overlayers and buried oxide thicknesses were used. The As+ implantations were performed with energy of 20 keV to doses of 5x1014cm-2 or 2x1015cm-2 in both substrates. A plateau-like profile was achieved in an additional set of SOI samples by triple energy implantation. Rapid thermal and conventional furnace annealing were applied for dopant activation and recovery of the implantation damage. The physical and electrical characterizations were done by RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), TEM (Transmission Electron Microscopy), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), sheet resistance measurements and Hall Effect measurements. The results are discussed considering the amorphization depth reached by dopant implantation and the crystal recovery process via thermal treatment and the influence in the electrical activation of the dopants. The completely amorphized samples presented higher values of sheet resistance and lower electrical activation percentage compared with the samples that did not have the complete top Si film amorphized. These results clearly show the need for avoiding total amorphization of the Si film during ion implantation in SIMOX, so that it is possible to achieve good crystal and electrical characteristics after thermal processing.
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Magneto-transporte e magnetização em sistemas de carbono : filmes de diamante CVD dopado com boro e grafite HOPG implantado com NaPires, Rafael Fernando January 2009 (has links)
As propriedades magnéticas e de magneto-transporte de filmes finos de diamante dopado com boro e de amostras massivas de grafite pirolítico altamente orientado (HOPG) implantado com sódio foram estudadas experimentalmente em função da temperatura, do campo magnético aplicado e da concentração de impurezas. Os filmes de diamante foram produzidos com a técnica de deposição química a partir da fase vapor (CVD). Os filmes foram crescidos sobre substrato de ZrO2 e são auto-sustentáveis. Fonte sólida de boro foi usada para o processo de dopagem. A introdução de boro produz uma banda de impurezas que domina o transporte elétrico nestes materiais. O mecanismo de condução eletrônica é do tipo salto de alcance variável na presença de um gap de Coulomb. Para uma certa concentração de boro, uma transição metal/isolante induzida pela temperatura foi observada. Nesta amostra, medidas de coeficiente Hall indicam que a concentração é devida a portadores de tipo elétron e de tipo lacuna. A concentração de Na nas amostras de grafite HOPG alcançou 1 e 2 at % na região implantada. Medidas magnéticas nas amostras HOPG mostram a presença de uma fraca contribuição ferromagnética, que se manifesta na configuração de campo magnético aplicado paralelamente aos planos de grafeno. A magnetização de saturação correspondente a essa resposta é significativamente maior nas amostras implantadas que no sistema puro. Oscilações de Schubnikov-de Haas são observadas nas medidas de magnetoresistência efetuadas neste sistema. A partir da dependência em temperatura do fator de Lifchitz-Kosevich foram obtidas as massas efetivas dos portadores de carga relevantes, as quais não dependem da quantidade de impurezas de Na presentes nas amostras. / Magnetic and magneto-transport properties of boron doped-diamond thin films and bulk samples of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) were studied as functions of temperature, applied magnetic field and impurity content. Self-sustained diamond films were prepared by chemical vapor deposition (CVD). Doping was obtained from a solid boron source. Eletrical transport in these films is dominated by a variable range hopping process in the presence of a Coulomb gap. For a givem boron concentration, a temperature induced metal-isulator transition was observed. Measurements of the Hall coefficient in this sample revealed that electron-like and hole-like carriers are present. The Na concentrations in the implanted-HOPG samples attain 1 and 2 at % in the implanted region. Magnetic measurements in the HOPG samples revealed the occurrence of a weak ferromagnetic response when the field is applied parallel to the graphene sheets. The saturation magnetization of the implanted samples is significantly larger than that of the undoped HOPG system. Schubnikov-de Haas oscilations are observed in magneto-resistance measurements. From the temperature dependence of the Lifchitz- Kosevich factor, the effective masses of the relevant carries in HOPG are determined. These masses do not depend on the presence of the Na impurities.
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Incorporação de boro em diamante CVD através de diferentes substratosBrandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira January 2009 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta concentração, a partir do substrato de deposição. Num primeiro grupo de experimentos estudou-se o comportamento dos filmes depositados em zircônia parcialmente estabilizada, traçando procedimentos específicos de pré-tratamento dos substratos. Num segundo grupo de experimentos objetivou-se estudar a incorporação de boro em filmes crescidos em substratos de grafite e substratos compostos de grafite/boro amorfo e grafite/boro cristalino. Num terceiro grupo de experimentos foi testada a deposição dos filmes em substratos de boro amorfo. Foram utilizadas diferentes técnicas de análise, sendo que aqueles filmes crescidos sobre zircônia, além de auto-sustentados, apresentaram boa cristalinidade e alta incorporação de boro. Ainda pôde ser observado nesses filmes: texturização, defeitos cristalinos e segregação de ordem nanométrica. Os filmes oriundos do segundo grupo de análise cresceram fortemente aderidos e nos permitiram caracterizar a região de interface filme-substrato a partir de um ataque químico realizado nos mesmos. Foi identificada uma concentração ótima de boro a ser misturada à grafite no substrato para obter filmes altamente dopados. É indiferente utilizar boro amorfo ou cristalino no processo, como apontado pelos resultados. Para o grupo de substratos de boro amorfo, nas condições estudadas, não foi possível a nucleação de diamante. / This work presents a study about boron doping of diamond films grown by chemical vapor deposition (CVD) and proposes an alternative route of boron incorporation by solid source, in high concentration, from the substrate of deposition. In the first group of experiments the behavior of the films deposited in partially stabilized zirconia was studied, tracing specific procedures of pre-treatment of substrate. In the second group of experiments it was studied the boron incorporation in films grown in substrates of graphite and substrates of graphite/amorphous boron and graphite/crystalline boron. In the third group of experiments the deposition of the films in amorphous boron substrates was investigated. Different techniques of analysis were used, being that those films that had been grown on zirconia, beyond self-supporting, showed good crystallinity and high incorporation of boron. It could be observed in those films: texturization, crystalline defects and segregation of nanometric order. The films deriving from the second group of analysis had grown strongly adhered to substrate and made possible the characterization of region between substrate-film from a chemical treatment realized on them. It was identified a saturation limit of the concentration of boron to be mixed to graphite in the substrate to get highly doped films. It is indifferent to use amorphous or crystalline boron during the process, like showed by the results. To the group of amorphous boron substrates, in the studied conditions, it was not possible to nucleate diamond.
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Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótonsCoelho, Artur Vicente Pfeifer January 2003 (has links)
A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de prótons foram necessárias para se tornar semi-isolantes camadas de GaAs dopadas com C ou com Mg possuindo a mesma concentração de pico de lacunas livres. A estabilidade térmica da isolação nestas amostras foi medida. Diferenças no comportamento de recozimento destas apontaram a formação, provavelmente durante a referida etapa térmica, de uma estrutura diferente de defeitos em cada caso. Medidas de DLTS foram realizadas em amostras de GaAs tipo-n e tipo-p implantadas com prótons de 600 keV. A estrutura de picos observada apresentou, além de boa parte dos defeitos introduzidos para o caso de irradiação com elétrons, defeitos mais complexos. Um novo nível, com energia superior em ~0,64 eV ao valor correspondente ao topo da banda de valência, foi identificado nos espectros medidos em material tipo-p. A variação da concentração dos centros de captura introduzidos com diferentes etapas de recozimento foi estudada e comparada com o comportamento previamente observado para a resistência de folha em camadas de GaAs implantadas com prótons. Simulações foram feitas, indicando que a interpretação adotada anteriormente, associando o processo de isolação diretamente à formação de defeitos relacionados a anti-sítios, pode não estar completa.
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Estudo de métodos de dopagem para obtenção e caracterização de óxido e carbeto de nióbio com cobre e sua aplicação em compósitos sinterizados (Cu-NbC) / Study of doping methods to obtain oxide and niobium carbide with copper and its application in sintered composites (Cu-NbC)Souto, Maria Veronilda Macêdo 22 December 2017 (has links)
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Previous issue date: 2017-12-22 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / O estudo dos métodos de dopagem via úmida e via sólida para a obtenção de óxidos de nióbio
e carbetos de nióbio com cobre (5%Cu e 10%Cu mol/mol), a partir do precursor tri(oxalato)
oxiniobato de amônio hidratado, assim como, uma avaliação das propriedades do compósito
de carbeto de nióbio dopado com cobre (Cu-NbC) sinterizado via SPS (Spark Plasma
Sintering) foram estudados neste trabalho. O óxido CuNb2O6 foi obtido por reação sólidosólido
a temperatura de 1000oC e tempo de 120 min. O carbeto de nióbio foi sintetizado a
baixa temperatura 980oC e tempo de 60 min, em forno tubular e atmosfera gasosa de metano
(CH4) e hidrogênio (H2). Na sinterização via fase líquida do compósito CuNbC, adotou-se os
seguintes parâmetros: temperatura de 1200oC, pressão de compactação de 30 MPa e tempo
reacional de 10 min. Os pós foram caracterizados por difração de raios-x (DRX), microscopia
eletrônica de varredura (SEM), fluorescência de raios-x (FRX), adsorção de nitrogênio pela
técnica Brunauer, Emmet e Teller (BET). Os pós reacionais foram obtidos com tamanhos de
partículas nanométricas, variando entre, aproximadamente, 20 nm e 28 nm, e nas proporções
pretendidas com a pureza desejada. A área superficial específica variou entre,
aproximadamente, 38,0 m²/g e 48,0 m²/g. A morfologia de ambos apresentaram partículas
aglomeradas de tamanhos e formas variadas, predominando o formato esférico. Os menores
desvios composicionais dos pós foram obtidos pelo método via sólida, porém por via úmida
as propriedades foram otimizadas, apresentando menores tamanhos de partículas e maiores
áreas superficiais específicas. O compósito dopado com cobre (CuNbC), foi sinterizado via
SPS (Spark Plasma Sintering) e suas propriedades avaliadas. Essa avaliação foi realizada
através da difração de raios-x, microscopia eletrônica de varredura com mapeamento por
EDS, dureza vickers e densidade (método Arquimedes). Os pós dopados com 10 %Cu e por
via úmida apresentaram os melhores resultados, com dureza vickers de 84,1HV e fator de
empacotamento atômico de 79,3%. / The study of wet doped and solid path doping methods to obtain niobium oxides and niobium
carbides with copper (5% Cu and 10% Cu mol / mol) from the hydrated ammonium trioxalate
oxyniobate precursor, as well as, an evaluation of the properties of copper-doped niobium
(Cu-NbC) composite sintered through SPS (Spark Plasma Sintering) was performed in this
work. Niobium and copper oxide (CuNb2O6) was obtained by solid-solid reaction at 1000 ° C
and duration of 120min. The niobium carbide was synthesized at low temperature (980ºC)
and in short reaction time (60min), in a tubular oven, and in a gas atmosphere of methane
(CH4) and hydrogen (H2). For the liquid phase sintering of the Cu-NbC composite, the
following parameters were adopted: iqual temperature at 1200 ° C, compaction pressure iqual
at 30Mpa, reaction time of 10min. The powders were characterized by X-ray diffraction,
scanning electron microscopy, X-ray fluorescence (FRX), particle size analysis and nitrogen
adsorption by BET technique, as well as crystallite size measurements. The crystallite size
was calculated by the Scherrer method using the X-ray diffraction data. The reaction powders
were obtained with nanometric particle sizes, ranging from approximately 20nm to 28nm, and
in the desired proportions with the desired purity. The specific surface area ranged from
approximately 38.0 m²/g to 48.0 m²/g. The moforlogy of both presented agglomerated
particles of varied sizes and forms, predominating, however, the spherical shape. The lowest
compositional deviations of the powders were obtained by the solid route method, however by
wet method the properties were improved, presenting smaller particle sizes and larger specific
surface areas. The sintered composite was evaluated by XRD, Vickers hardness and density.
Also, measurements were made of Vickers hardness, density by Archimedes, SEM, and EDS
with mapping, in which good dispersion and homogenization of the phases were identified.
The wet doped powders with 10% Cu, after sintering, presented the best results, showing
Vickers hardness (84.1 HV) and density (79.3%).
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