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El empleo de la derivada en la espectroscopía ultravioleta-visible

Gamboa, Nadia 25 September 2017 (has links)
No description available.
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Comparación de corrección teórica de efecto matriz, análisis de interferencias y corrección por compensación para equipos portátiles de fluorescencia de rayos x en minerales y suelos

Bazaes Casanova, Aliosha Andro W. January 2013 (has links)
Memoria para optar al título profesional de Químico / La determinación de metales pesados en suelos y sedimentos puede presentar dificultad, debido a la alta complejidad que puede tener la matriz. La presencia de materia orgánica, la cual tiende a interferir en las medidas instrumentales, así como la tipología del terreno hacen necesaria la utilización de técnicas de extracción las cuales consumen solventes y tiempo, además de aumentar el número de pasos antes de la medición, lo cual deja el análisis expuesto a la posibilidad de aumentar el error y, por tanto, obtener valores de baja confiabilidad. Es en este esquema, en el que el uso de métodos tales como la fluorescencia inducida por rayos X (FRX), presenta un avance considerable. La escasa o nula preparación de la muestra y la rapidez del análisis complementado con la aparición de equipos de FRX portátiles (pFRX) que permiten el mismo tipo de medición, en terreno, ha posicionado a este método como poderoso en la Química Analítica, tanto en el ámbito comercial como medioambiental. Sin embargo esta técnica, presenta una gran complicación ya que su uso es principalmente semicuantitativo, con una alta presencia de interferencias que ponen en duda su utilización como una metodología determinante, dentro del amplio espectro de métodos utilizables. Es en este aspecto que la utilización de correcciones teóricas de efecto matriz y el uso de coeficientes de influencia, tiene un gran impacto sobre su utilización. La corrección por parámetros fundamentales (FP), normalización Compton y métodos de compensación, son los más utilizados para obtener análisis cuantitativos y confiables, no obstante, estas correcciones teóricas, salvo la utilización de métodos de compensación, dependen netamente del fabricante del equipo, variando de un proveedor a otro y siendo muchas veces parámetros inamovibles de los cuales se entrega poca información. Considerando como hipótesis de estudio, que las correcciones teóricas de efecto matriz de fábrica que traen los equipos, pueden presentar divergencias que afectan las mediciones. ,Se realizó la comparación de un equipo de pFRX Bruker, modelo S1 TURBOSD con otro equipo de pFRX Olympus, modelo Innov-X X-5000, ambos con sus correcciones de efecto matriz de fábrica, para 7 elementos en un amplio rango de concentraciones, la búsqueda de interferencias y sus posibles razones y correcciones por compensación para ambos equipos, de manera de observar si mediante este tipo de corrección se puede lograr una mejor calidad de las mediciones / Heavy metals determination in soils and sediments, may have difficulty due to the high complexity of the matrix may have. The presence of organic matter, which tends to interfere with instrumental measurements, as well as the type of terrain, make it necessary the use of extraction techniques which require solvents and time, well as increasing the number of steps before the measurement, leaving the analysis set out to the possibility of increasing the error, and thus obtain low reliability valueseIn this scheme is that the use of methods such as X-ray fluorescence (XRF) presents a considerable advance. The little or no sample preparation and speed coupled with the emergence of portable equipment (pXRF) that allow the same type of measurement in field, has positioned this as a powerful technique in analytical chemistry, both commercially and environmentally. However, this technique presents a major complication because their use is mainly semiquantitative, with a high presence of interference that cast doubt on its use as a determinant methodology within the broad range of methods which can be used. It is here that the use of theoretical matrix effect corrections and the use of compensation methods have a great impact on their use. The correction by fundamental parameters (FP), Compton normalization and compensation methods are the most used to obtain reliable quantitative analysis, however, these theoretical corrections, except the use of compensation methods, purely depend of the equipment manufacturer, varying from one provider to another and being often immovable parameters of which little information is delivered. Considering as a working hypothesis that the factory theoretical matrix effect corrections that bring the equipment may have differences that affect the measurements. Comparison was performed between of a of pFRX Bruker, model S1 TURBOSD with another pFRX Olympus, model Innov-X X-5000, both with their factory matrix effect corrections, to 7 elements in a wide range of concentrations, the interferences search and their possible sources and a compensation corrections for both equipment, in order to see if using this type of correction can achieve a better quality of measurements
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Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopía Raman

Espinoza Carrasco, Verónica Elsa January 2009 (has links)
En esta tesis se presenta un estudio por espectroscopía Raman de la calidad estructural del cristal y del comportamiento de los modos acoplados en las aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Como se sabe, cuando las impurezas son introducidas en las aleaciones AlxGa1-xAs: Si pueden ser observados los modos acoplados fonón LO-plasmón. La observación de estos modos es posible porque la simetría translacional del cristal es destruida. Como consecuencia, las reglas de selección son violadas o relajadas y las líneas Raman se tornan anchas y asimétricas. El análisis de la posición y la forma de las líneas espectrales nos permite obtener información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Se encontró que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante. Esto sugiere posibles pérdidas en el proceso de evaporación del Silicio o al exceso de tiempo de evaporación. Los resultados fueron verificados también por medidas de Capacitancia versus Voltaje para dos muestras. Este trabajo muestra la validez de la técnica Raman en el estudio de heteroestructuras semiconductoras en vista de que los modos acoplados fonón LO – plasmón son muy sensibles al desorden composicional de las muestras.
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Espectroscopía estelar y solar en el infrarrojo cercano

Pelayo Baldárrago, Mara Elizabeth January 2009 (has links)
El presente trabajo consiste en la determinación de parámetros atómicos fundamentales, Ancho Equivalente y la Fortaleza del Oscilador, para líneas atómicas de absorción de los espectros del Sol y Arcturus en el infrarrojo cercano, banda K, de 1, 8μm a 2, 5 μm . El trabajo comenzó con la identificación de las líneas de absorción de los espectros del Sol y la estrella Arcturus, utilizando: el atlas del espectro solar “An Atlas of the Solar Spectrum in the Infrared from 1850 to 9000 cm−1 (1.1 to 5.4 μm)”1 y el atlas de la estrella Arcturus “Infrared Atlas of the Arcturus Spectrum, 0.9-5.3 μm”2; luego se elaboró una base de datos de las propiedades espectroscópicas de las líneas de absorción de las atmósferas del Sol y Arcturus, en la banda K del infrarrojo cercano. Posteriormente se calculó el ancho equivalente de 357 líneas identificadas, en ambos espectros, correspondientes a los elementos químicos como: Al, C, Ca, Cr, Fe, H, Mg, Na, Ni, S, Sc, Si, Ti, V; utilizando IRAF (Image Reduction and Analysis Facility). Se hicieron gráficos de comparación de las distribuciones de flujo para algunas líneas espectrales del Sol y Arcturus para verificar la similitud de sus atmósferas.
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Espectroscopía estelar y solar en el infrarrojo cercano

Pelayo Baldárrago, Mara Elizabeth, Pelayo Baldárrago, Mara Elizabeth January 2009 (has links)
El presente trabajo consiste en la determinación de parámetros atómicos fundamentales, Ancho Equivalente y la Fortaleza del Oscilador, para líneas atómicas de absorción de los espectros del Sol y Arcturus en el infrarrojo cercano, banda K, de 1, 8μm a 2, 5 μm. El trabajo comenzó con la identificación de las líneas de absorción de los espectros del Sol y la estrella Arcturus, utilizando: el atlas del espectro solar “An Atlas of the Solar Spectrum in the Infrared from 1850 to 9000 cm−1 (1.1 to 5.4 μm)”1 y el atlas de la estrella Arcturus “Infrared Atlas of the Arcturus Spectrum, 0.9-5.3 μm”2; luego se elaboró una base de datos de las propiedades espectroscópicas de las líneas de absorción de las atmósferas del Sol y Arcturus, en la banda K del infrarrojo cercano. Posteriormente se calculó el ancho equivalente de 357 líneas identificadas, en ambos espectros, correspondientes a los elementos químicos como: Al, C, Ca, Cr, Fe, H, Mg, Na, Ni, S, Sc, Si, Ti, V; utilizando IRAF (Image Reduction and Analysis Facility). Se hicieron gráficos de comparación de las distribuciones de flujo para algunas líneas espectrales del Sol y Arcturus para verificar la similitud de sus atmósferas. / Tesis
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Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopía Raman

Espinoza Carrasco, Verónica Elsa, Espinoza Carrasco, Verónica Elsa January 2009 (has links)
En esta tesis se presenta un estudio por espectroscopía Raman de la calidad estructural del cristal y del comportamiento de los modos acoplados en las aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Como se sabe, cuando las impurezas son introducidas en las aleaciones AlxGa1-xAs: Si pueden ser observados los modos acoplados fonón LO-plasmón. La observación de estos modos es posible porque la simetría translacional del cristal es destruida. Como consecuencia, las reglas de selección son violadas o relajadas y las líneas Raman se tornan anchas y asimétricas. El análisis de la posición y la forma de las líneas espectrales nos permite obtener información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Se encontró que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante. Esto sugiere posibles pérdidas en el proceso de evaporación del Silicio o al exceso de tiempo de evaporación. Los resultados fueron verificados también por medidas de Capacitancia versus Voltaje para dos muestras. Este trabajo muestra la validez de la técnica Raman en el estudio de heteroestructuras semiconductoras en vista de que los modos acoplados fonón LO – plasmón son muy sensibles al desorden composicional de las muestras. / Tesis
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Uso y abuso del equipo de absorción atómica en el análisis químico

Ochoa Luna, Rómulo 25 September 2017 (has links)
No description available.
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Estudio de superficies por espectroscopía Mössbauer

Dávalos, Juan, Gancedo, Ramón, Gracia, Mercedes, Marco, José Francisco 25 September 2017 (has links)
No description available.
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Determinación espectrofotométrica de plomo (II) con ditizona en solución micelar aniónica

Acuña Ruiz, Víctor Andrés January 2012 (has links)
La determinación espectrofotométrica de Pb(II), en el rango visible, es posiblerealizar mediante la identificación del complejo plomo – ditizonato; pero su insolubilidad en medios acuosos, hace necesario el uso de solventes organoclorados. En el presente trabajo, para determinar la concentración de Pb(II) se solubilizó el complejo en un sistema micelar acuoso, formado porel surfactante aniónicododecil sulfato de sodio (SDS). Una muestra de alambre comercial de plomo fue utilizado para la determinación directa de su concentración, en forma de complejo, a 520 nm empleando el espectrofotómetro VIS modelo Spectronic 20 Genesys. El rango derespuesta lineal fue de 0,16 a 10 ppm de Pb(II),ellímite de detección del método Cm obtenido fue 0,026ppmysu coeficiente de absortividad molar promedio 1,68x104L mol‐1cm‐1. Al comparar los resultados obtenidos por espectroscopia molecular visible, para el complejo plomo – ditizonato, se observa que estos son comparables con los valores reportados por Espectroscopía de Absorción Atómica,para el ion Pb(II), auna longitud de onda de 283,31 nmy usando un espectrómetro Perkin‐Elmer modelo Analyst200. Se tiene, entonces, que el método propuesto es realizabley fácil de ser implementado; dado que la espectroscopia molecular visible es de fácil manejo y mediante el uso de surfactantes es posible prescindir del uso de agentes organoclorados; con la consiguiente reducción del costo del análisis y riesgo para la salud.
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Estudio de los modos de un laser de He-Ne mediante técnicas de espectroscopía interferencial

Celdrán Mallol, Adolfo 01 April 1977 (has links)
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