A Aproximação de Massa Efetiva para a função evnvelope multi-componente, na presença de uma interface, desenvolvida por Marques e Sham, será utilizada aqui, para materiais de gap estreito do grupo II-VI, da seguinte maneira: A) A forte interação entre bandas de condução e valência, nestes materiais, é justificada em um Hamiltoniano de Kane (6x6) modificado, contendo todas as ondas de Bloch propagantes e evanescentes. Na presença de uma interface, a função de onda eletrônica, &#936, é composta de uma onda de Bloch incidente, uma refletida e duas evanescentes, com a mesma energia E e momento paralelo k. Já que a estrutura da maioria dos isolantes utilizados são desconhecidos, a interface semicondutor-isolante por ser considerada como uma barreira infinita, de modo que, &#936, se anule na interface. Existe uma fina região de espessura &#945 na interface, onde o decaimento das ondas evanescentes é indispensável. Distante desta região, as ondas evanescentes possuem um papel insignificante e eventualmente anulam-se. O limite de &#945 &#8594 0 determina as condições de contorno para cada componente da função de onda envelope na interface. B) As condições de contorno são usadas para computar a estrutura de subbandas e o potencial auto-consistente para o Hg1-xCdxTe. A mais interessante característica é o afastamento dos estados de spin duplamente degenerados. Estes resultados serão utilizados para encontrarmos a dependência da energia das subbandas com um campo magnético perpendicular à interface. C) A magneto-condutividade longitudinal é calculada como função do campo magnético B &#8869. Efeitos das interações elétron-elétron e elétrons-impureza são levadas em conta nas aproximações de Hartee-Foch e auto-consistente de Born, respectivamente. Para uma interação elétron-impureza finita, encontram-se fatores de preenchimentos críticos dos níveis de Landau, onde transições de fase são observadas. Estes resultados explicam as descontinuidades presentes, em medidas experimentais, na magneto-resistividade longitudinal e transversal (Hall), em MISFET de Hg (Cd)Te. / The Effective Mass Approximation for multi-component envelope wave function in the presence of an interface in the MOSFET system, developed by Marques and Sham, will be used here, for II-VI narrow-gap semiconductors, in the following way: A) The strong interaction between conduction and valence bands, in these materials, is justified. The (6x6) Kane type modified Hamiltonian is used and the total wave function contains every propagating and evanescent waves. For an interface, the total function, &#936, is composed of one incident and one reflected and two evanescent Bloch waves, with energy E and parallel wave-vector k. Since the band structure of the most used insulators is usually not well known, the insulator-semiconductor interface can be assumed as an infinite barrier; therefore, the total wave-function there can set to zero. The semiconductor evanescent Bloch waves are indispensable in a thin layer, of thickness &#945, close to this region. Far away from the interface their role are insignificant and can be neglected. In the limit &#945 &#8594 0, the boundary condition for each the limit the total Bloch wave function, are derived. B) These boundary conditions are used to calculate the self-consistent electric subband and potential for MISFET of Hg1-xCdxTe. The subbands present a very important spin splitting, due to the internal electric field. C) The effect of a perpendicular magnetic field is also studied and the longitudinal magneto-conductivity are calculated. The effect of electron-electron and electron-impurity interactions are respectively accounted for in the Hartee-Fock and self-consistent Born approximations. For critical electron-impurity interaction, the Landau level filling shows a phase transition at a given fractional occupation (or magnetic field). These results are experimentally observed in both longitudinal and transverse (Hall) magneto-resistance for Hg(Cd)Te.

A Aproximação de Massa Efetiva para a função evnvelope multi-componente, na presença de uma interface, desenvolvida por Marques e Sham, será utilizada aqui, para materiais de gap estreito do grupo II-VI, da seguinte maneira: A) A forte interação entre bandas de condução e valência, nestes materiais, é justificada em um Hamiltoniano de Kane (6x6) modificado, contendo todas as ondas de Bloch propagantes e evanescentes. Na presença de uma interface, a função de onda eletrônica, &#936, é composta de uma onda de Bloch incidente, uma refletida e duas evanescentes, com a mesma energia E e momento paralelo k. Já que a estrutura da maioria dos isolantes utilizados são desconhecidos, a interface semicondutor-isolante por ser considerada como uma barreira infinita, de modo que, &#936, se anule na interface. Existe uma fina região de espessura &#945 na interface, onde o decaimento das ondas evanescentes é indispensável. Distante desta região, as ondas evanescentes possuem um papel insignificante e eventualmente anulam-se. O limite de &#945 &#8594 0 determina as condições de contorno para cada componente da função de onda envelope na interface. B) As condições de contorno são usadas para computar a estrutura de subbandas e o potencial auto-consistente para o Hg1-xCdxTe. A mais interessante característica é o afastamento dos estados de spin duplamente degenerados. Estes resultados serão utilizados para encontrarmos a dependência da energia das subbandas com um campo magnético perpendicular à interface. C) A magneto-condutividade longitudinal é calculada como função do campo magnético B &#8869. Efeitos das interações elétron-elétron e elétrons-impureza são levadas em conta nas aproximações de Hartee-Foch e auto-consistente de Born, respectivamente. Para uma interação elétron-impureza finita, encontram-se fatores de preenchimentos críticos dos níveis de Landau, onde transições de fase são observadas. Estes resultados explicam as descontinuidades presentes, em medidas experimentais, na magneto-resistividade longitudinal e transversal (Hall), em MISFET de Hg (Cd)Te. / The Effective Mass Approximation for multi-component envelope wave function in the presence of an interface in the MOSFET system, developed by Marques and Sham, will be used here, for II-VI narrow-gap semiconductors, in the following way: A) The strong interaction between conduction and valence bands, in these materials, is justified. The (6x6) Kane type modified Hamiltonian is used and the total wave function contains every propagating and evanescent waves. For an interface, the total function, &#936, is composed of one incident and one reflected and two evanescent Bloch waves, with energy E and parallel wave-vector k. Since the band structure of the most used insulators is usually not well known, the insulator-semiconductor interface can be assumed as an infinite barrier; therefore, the total wave-function there can set to zero. The semiconductor evanescent Bloch waves are indispensable in a thin layer, of thickness &#945, close to this region. Far away from the interface their role are insignificant and can be neglected. In the limit &#945 &#8594 0, the boundary condition for each the limit the total Bloch wave function, are derived. B) These boundary conditions are used to calculate the self-consistent electric subband and potential for MISFET of Hg1-xCdxTe. The subbands present a very important spin splitting, due to the internal electric field. C) The effect of a perpendicular magnetic field is also studied and the longitudinal magneto-conductivity are calculated. The effect of electron-electron and electron-impurity interactions are respectively accounted for in the Hartee-Fock and self-consistent Born approximations. For critical electron-impurity interaction, the Landau level filling shows a phase transition at a given fractional occupation (or magnetic field). These results are experimentally observed in both longitudinal and transverse (Hall) magneto-resistance for Hg(Cd)Te.

Osseointegrated implants have now been proved to be feasible. However, several factors still remain to be explained, particularly because of the large number of manufacturers and models. Although incidence is low, implant fractures are a clinical reality, and therefore researches are conducted in an endeavor to reduce their number. Objective: To test the hypothesis that the reduction in implant diameter reduces the maximum force required to attain the implant yield limit even when it is made in one piece. Materials and Methods: To test this hypothesis, three implant configurations (SIN) (n=10): HER, external hexagonal junction and regular diameter (3.75mm); HEE, external hexagonal junction and narrow diameter (3.25mm) and UNI, narrow one-piece (2.35mm) were tested. The maximum force at yield limit (N) for the implants was evaluated by means of the flexion test, with force applied perpendicular to the long axis of the implant, at the speed of 0.5 mm/min, in a mechanical test machine. The data were assed by means of the analysis of variance (ANOVA) and Tukey B tests for parametric groups (P<0.05). Results: Statistically significant differences were found between UNI and HER and HEE, and there were no statistically significant differences between the latter two. Conclusions: The UNI group presented statistically lower maximum resistance at the yield limit than the groups HEE and HER. / Os implantes osseointegrados são hoje comprovadamente viáveis. No entanto, alguns fatores ainda devem ser esclarecidos, principalmente pelo grande número de fabricantes e modelos. A fratura de implantes é uma realidade clínica, mesmo que de baixa incidência e, portanto suscita pesquisas no sentido de reluzi-las. Objetivo: Testar a hipótese de que a redução do diâmetro do implante reduz a força máxima necessária para atingir o limite de escoamento do implante de junção hexagonal externa e de diâmetro regular para o de junção hexagonal externa e diâmetro estreito e deste para o implante de peça única e diâmetro ainda mais estreito. Materiais e Métodos: Para testar esta hipótese, três configurações de implantes (SIN) (n=10): HER, junção hexagonal externa e diâmetro regular (3,75mm); HEE, junção hexagonal externa e diâmetro estreito (3,25mm) e UNI, peça única estreito (2,35mm) foram testados. A força máxima no limite de escoamento (N) para os implantes foi avaliada por meio do ensaio de flexão, com força aplicada perpendicular ao longo eixo do implante, em máquina de ensaio mecânico na velocidade de 0,5 mm/min. Os dados foram avaliados por meio de teste de análise de variância (ANOVA) e Tukey B, para grupos paramétricos (P<0.05). Resultados: Foram encontradas diferenças estatisticamente significantes entre UNI e HER e HEE, sendo que não houve diferenças estatisticamente significantes entre os dois últimos. Conclusões: O grupo UNI apresentou resistência máxima no limite de escoamento estatisticamente inferior aos grupos HEE e HER. / Mestre em Odontologia

Submitted by Fabricio Malheiros de Miranda Monteiro (drfabriciomalheiros@hotmail.com) on 2018-07-18T02:33:45Z No. of bitstreams: 2 Dissertação final Fabricio - Após defesa PDF.pdf: 2296763 bytes, checksum: ed270b35065a6429cbde4e2e753d6939 (MD5) Verso - Contra capa.pdf: 2579 bytes, checksum: 284cd58d1fec7c9b0fd7c0cc97473d8b (MD5) / Approved for entry into archive by Silvana Alvarez null (silvana@ict.unesp.br) on 2018-07-18T18:10:35Z (GMT) No. of bitstreams: 1 monteiro_fmm_me_sjc.pdf: 2237869 bytes, checksum: 8ae93eb96970a513787047d5630ce786 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-07-18T18:10:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 monteiro_fmm_me_sjc.pdf: 2237869 bytes, checksum: 8ae93eb96970a513787047d5630ce786 (MD5) Previous issue date: 2018-06-25 / O intuito deste estudo in vitro e in silico, foi analisar as microdeformações, geradas pela aplicação de carga vertical, sobre coroas de 3 tipos de materiais restauradores diferentes (Zircônia, Dissilicato de Lítio e Cromo Cobalto), que foram selecionadas, através da biblioteca do software SMART DENT/Exocad (Darmstadt - Germany) e confeccionadas, através da tecnologia cad/cam, suportadas por implantes curtos (8mm), conexão cone morse, com diversos diâmetros (3,5 mm; 4,0 mm e 5,0 mm). Os implantes foram instalados 2mm infraósseo para análise através de elementos finitos e da extensometria. Foram confeccionados 3 blocos de poliuretano: bloco 1 (grupo experimento) no qual foi colocado um implante Titamax CM Neodent 3,5 X 08 mm, bloco 2 (grupo controle) no qual foi colocado um implante titamax CM Neodent 4,0 X 08 mm e bloco 3 (grupo controle) no qual foi colocado um implante titamax CM Neodent 5,0 X 08 mm. Pilares protéticos retos (Base de Titânio 4,5 - Neodent) foram instalados sobre os respectivos implantes sendo instalados 4 extensômetros, na região superior dos blocos ao redor dos implantes. Foi aplicada uma carga vertical de 300N ao redor da abertura de acesso do parafuso protético das coroas. Para a análise por elementos finitos (FEA), o mesmo bloco foi modelado e analisado sob a mesma carga de 300N. Os valores de tensão e deformação foram analisados quanto à correlação com a extensometria. A estatística inferencial consistiu no teste de análise de variância de Friedmann, um fator efeito fixo. Para o nível de significância, foi escolhido o valor convencional de 5%. Os resultados demonstraram haver diferença estatística significante para o fator diâmetro (p = 0,0001) no qual os implantes, com 3,5 mm de diâmetro apresentaram os maiores picos de microdeformações. Quando se analisa o material restaurador, observa-se que não houve diferenças estatísticas significativas (p = 0,783). Dentro das limitações deste estudo, pode-se concluir que a utilização de implantes unitários, curtos e estreitos com conexão cone morse instalados 2 mm infraósseo, são uma opção viável para reabilitações em regiões posteriores independente do material restaurador escolhido. / The aim of this in vitro and in silico study was to analyze the microdeformations generated by the application of vertical load on crowns of 3 different types of restorative materials (Zirconia, Lithium Dissilicate and Cobalt Chromium) that were selected through the software library SMART DENT / Exocad (Darmstadt - Germany), and made using cad / cam technology, supported by short implants (8 mm), cone morse connection with various diameters (3.5 mm, 4.0 mm and 5.0 mm). These were installed 2 mm subcrestal for finite element analysis and extensometry. Three blocks of polyurethane were made; block 1 (experimental group) in which a Titamax CM Neodent 3.5 X 08 mm implant, block 2 (control group) was implanted in which a CM Neodent 4.0 X 08 mm titamax and block 3 (control group) were implanted in which an implant was placed titamax CM Neodent 5.0 X 08 mm. Straight prosthetic abutments (Titanium Base 4.5 - Neodent) were installed on the respective implants and 4 extensometers were installed, in the upper region of the blocks around the implants. A vertical load of 300N was applied around the access opening of the crown prosthetic screw. For the finite element analysis (FEA), the same block was modeled and analyzed under the same 300N load. The stress and strain values were analyzed for correlation with extensometry. The inferential statistics consisted of Friedmann's analysis of variance, a fixed effect factor. For the level of significance, the conventional value of 5% was chosen. The results showed a statistically significant difference for the diameter factor (p = 0.0001) where 3.5 mm diameter implants presented the highest peaks of microdeformations. When analyzing the restorative material, we observed that there were no significant statistical differences (p = 0.783). Within the limitations of this study, we can conclude that the use of short, narrow unit implants with cone morse connection installed 2 mm subcrestal are a viable option for rehabilitation in posterior regions independent of the restorative material chosen.

Made available in DSpace on 2016-04-04T18:31:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CLAUDINEI MARTINS.pdf: 2135890 bytes, checksum: 419e34d778fa576dcea52630975b8c78 (MD5) Previous issue date: 2015-06-30 / Pontif?cia Universidade Cat?lica de Campinas / The intensive use of high-density data applications has driven the relentless pursuit of networks capable to provide high traffic capacity. The transparent optical networks plays an important role in the telecommunications infrastructure core, being able to meet these demands. New technologies to terabits per second networks have created a new stage of development for optical communications. New optical components that allows signal process in addition to just transportation, are needed. The scope of these networks extends from the core of the infrastructure to the end user, reaching the last mile, and recently also end devices such as computers, televisions and Internet. In this context, Silicon Photonics gained momentum in the last decade, as an alternative to the need to take the processing of optical signals to levels similar to those already made by semiconductor technology, in processing electrical signals. In our work, we studied systematically using simulations, ring resonators structure in Silicon Photonics, as technology to build miniaturized devices capable of handling optical signals. In particular, we investigated optical band-pass filter design narrowed than such filters used to the separation channel in wavelength division multiplexing systems, for application in various areas of optical networks such as radio over fiber, multiplexers, all optical encoders and modulators. In this work uses ring resonators structure for construction of these high order filters with reduced size, with a substrate of some micrometers area. Such filters could be built into microchips and integrated with other optical and optical-electronic components, resulting in more complex systems, in the near future. The main result was an optical band-pass filter with 8.6 GHz bandwidth based on asymmetric ring resonators with two sets of three rings, with following radii 5 ?m, 2.5 ?m and 5 ?m using a substrate area of 1840 ?m2 or, 57 ?m x 120 ?m. / O uso intensivo de aplica??es de alta densidade de dados tem impulsionado a busca constante por redes capazes de prover elevada capacidade de tr?fego. As redes ?pticas transparentes s?o capazes de atender a estas demandas e cumprem um papel relevante no n?cleo da infraestrutura de telecomunica??es. As novas tecnologias para redes de terabits por segundo criaram uma nova etapa do desenvolvimento das comunica??es ?pticas e novos componentes com capacidade n?o s? de transporte, mas tamb?m de processamento do sinal ?ptico tornaram-se necess?rios. A abrang?ncia destas redes estende-se do n?cleo da infraestrutura at? o usu?rio final, chegando ? ?ltima milha e, mais recentemente, tamb?m aos dispositivos finais, tais como computadores, televisores e Internet. Neste contexto, a Fot?nica de Sil?cio ganhou impulso, na ?ltima d?cada, como uma alternativa ? necessidade de levar o processamento dos sinais ?pticos a n?veis semelhantes aos j? realizados pela tecnologia de semicondutores no processamento de sinais el?tricos. Em nosso trabalho, pesquisamos de forma sistem?tica, utilizando simula??es, para o projeto de filtros com an?is ressoantes, constru?dos em Fot?nica de Sil?cio, para desenvolvimento de dispositivos miniaturizados capazes de tratar sinais ?pticos. Em particular, investigou-se o projeto de filtros ?pticos passa-faixa, de banda inferior ? utilizada, para separa??o de canais em sistemas de multiplexa??o por divis?o de comprimento de onda, para aplica??o em diversas ?reas das redes ?pticas, tais como r?dio sobre fibra, multiplexadores, moduladores e codificadores totalmente ?pticos. Neste trabalho, utiliza-se estrutura de an?is ressonantes para constru??o destes filtros, de ordem elevada e de tamanho reduzido, em um substrato de alguns micr?metros de ?rea. Tais filtros poder?o ser constru?dos em microchips e integrados com outros componentes ?pticos e ?ptico-eletr?nicos, dando origem a sistemas mais complexos no futuro pr?ximo. O principal resultado obtido foi um filtro ?ptico passa banda com 8,6 GHz de largura de banda, baseado em an?is ressoantes assim?tricos, composto de duas estruturas de tr?s an?is de raios 5 ?m, 2,5 ?m e 5 ?m, utilizando uma ?rea de substrato de 6840 ?m2 ou 57 ?m x 120 ?m.