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Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs Struktur und elektronische Eigenschaften /Rudolph, Reiner. January 1999 (has links)
Berlin, Freie Universiẗat, Diss., 1999. / Dateiformat: zip, Dateien im PDF-Format.
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Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften /Fritsche, Rainer. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2004--Darmstadt.
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Quasi-van-der-Waals-Epitaxie von II-VI-Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-OberflächenWisotzki, Elmar. Unknown Date (has links)
Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Darmstadt.
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Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen Präparation, Morphologie und elektronische EigenschaftenFritsche, Rainer Unknown Date (has links)
Techn. Univ., Diss., 2004--Darmstadt
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