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Transport in nicht-hermiteschen niedrigdimensionalen Systemen / Transport in Non-Hermitian Low-Dimensional SystemsBendix, Oliver 20 September 2011 (has links)
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Das elektrochemische Potential auf der atomaren Skala: Untersuchung des Ladungstransports eines stromtragenden zweidimensionalen Elektronengases mit Hilfe der Raster-Tunnel-Potentiometrie / The electrochemical potential on atomic scale: Investigation of the charge transport of a current-carrying two-dimensional electron gas by means of Scanning Tunneling PotentiometryHomoth, Jan 03 July 2008 (has links)
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Théorie et simulation du transport quantique dans les nanostructuresDarancet, Pierre 05 December 2008 (has links) (PDF)
Ce travail théorique est consacré à l'étude du transport électronique dans les nanostructures. Nous nous sommes placés dans le cadre des approches de Landauer et post-Landauer. Dans celles-ci, la bonne description du problème de transport réside dans le calcul des self-énergies, censées décrire les effets de résistance de contact ainsi que les interations dans le dispositif. Dans ce travail, nous nous sommes tour à tour intéressés à ces deux aspects. Afin de décrire les mécanismes de résistance de contact, nous avons développé une méthode basée sur la notion de canaux effectifs de conduction. Le calcul de ces canaux par récursion matricielle, associé à la dérivation d'une nouvelle formule de la conductance, permet la détermination exacte des effets des contacts. Nous avons de plus mis au point une méthodologie \textit{ab initio}, permettant d'inclure les interactions électron-électron dans le transport quantique, au travers de l'approximation $GW$ d'Hedin sur la self-énergie. La seconde partie de ce travail porte sur l'analyse des propriétés de transport du graphène. Nous avons tout d'abord expliqué les caractéristiques expérimentales de magnéto-résistance du graphène épitaxié par un mécanisme consécutif à la juxtaposition de plans. Enfin, nous avons calculé la conductance de dispositifs composés de nanostructures de graphène. Nous avons montré que de telles structures présentent de forts effets de résistance de contact, pouvant s'interpréter en termes de diffraction d'électrons. Nous avons alors introduit la notion de barrière de diffraction, qui permet d'extraire les caractéristiques de conductance, sans procéder à un calcul de structure électronique.
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Elektronentransport in Graphen-Nanobändern mit KantenrauheitRodemund, Tom 07 December 2018 (has links)
Diese Arbeit untersucht die Auswirkungen von Kantendefekten auf die Leitfähigkeit von Graphen-Nanobändern (GNRs). Es werden die Kantenatome von zigzag- und armchair-GNRs zufällig umverteilt. Mittels Tight-Binding-Verfahren und rekursivem Greenfunktions-Formalismus werden die Transmissionsspektren der Systeme berechnet und mit Landauer-Formalismus die Leitfähigkeit bei variierter Länge bestimmt. Aus der Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Länge wird die Lokalisierungslänge nach Anderson ermittelt. Es wurde berechnet, dass die Lokalisierungslänge bei rauhen zigzag-GNRs gegen einen konstanten Wert strebt. Bei armchair-GNRs wurde ein linearer Abfall der Lokalisierungslänge bei zunehmender Rauheit vorgefunden.:1. Einleitung
2. Physikalische Grundlagen
2.1 Graphen
2.2 Landauer-Formalismus
2.3 Tight-Binding-Verfahren
2.4 Greenfunktions-Formalismus
2.5 Anderson-Lokalisierung
3. Methoden
3.1 Bandstrukturen
3.2 Strukturerzeugung
3.2.1 Allgemeines
3.2.2 zigzag-GNRs
3.2.3 armchair-GNRs
3.3 Rauheitsparameter
3.4 Leitfähigkeit
3.5 Lokalisierungslänge
4. Ergebnisse
4.1 Atomumverteilung
4.2 Transmissionsspektren
4.3 Leitfähigkeit
4.4 Lokalisierungslängen
4.5 Weitere Rauheitsmaße
5. Zusammenfassung und Ausblick
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