O trabalho usa a síntese do leiaute através do ASTRAN em circuitos que foram otimizados através da técnica de SCCG (Static CMOS Complex Gates) visando alcançar reduções em número de transistores. A metodologia apresentada permite a flexibilidade de utilizar células de quaisquer tamanho ou redes de transistores nos circuito otimizados. O trabalho compara estes circuitos otimizados pela método do ASTRAN e circuitos utilizando a metodologia standard cell. O fluxo de síntese é composto pelas etapas de otimização da netlist, verificação/extração e caracterização da células. O trabalho adaptou as tecnologias de fabricação CMOS de 600nm e 180nm para a ferramenta ASTRAN a partir das informações dos design kits das bibliotecas stantard cell XC06 e XC018 da XFAB. A síntese do leiaute das células complexas geradas é realizada pela ferramenta ASTRAN. Os experimentos foram realizados nas tecnologias de 180nm e 600nm para um conjunto de circuitos de bechmarks do ITC’99. As comparações foram realizadas entre a netlist otimizada e duas netlists geradas para cada biblioteca da XFAB. Uma netlist abrange todas as células da biblioteca e a outra tem uma restrição de células que são consideradas complexas (somadores, multiplexadores, XOR/XNOR, AOI e OAI). A netlist com restrições foi elaborada com a motivação de verificar se uma netlist com células complexas geradas exclusivamente para o circuito alvo se tornaria mais benéfico em termos de redução do número de transistores. Os resultados para 180nm apresentaram reduções nos melhores casos em número de transistores com até 15%, em potência dinâmica com até 24% e em potência de leakage com até 22%. Os resultados para 600nm apresentaram reduções nos melhores casos em número de transistores com até 17%, em área com até 14%, em potência dinâmica com até 22%, em potência de leakage com até 29%. Os experimentos mostraram que é possível alcançar reduções em número de transistores ao combinar o uso do ASTRAN com a técnica de otimização pelo uso de SCCG. / The work uses the synthesis of the layout through ASTRAN in circuits that have been optimized through the SCCG technique (Static CMOS Complex Gates) in order to achieve reductions in the number of transistors. The presented methodology allows the flexibility of using cells of any size or transistor networks in the optimized circuits. The work compares these circuits optimized by the ASTRAN method and circuits using the standard cell methodology. The synthesis flow is composed by the netlist optimization, verification / extraction and cell characterization steps. The work adapted 600nm and 180nm CMOS fabrication technologies for the ASTRAN tool from the design information of the XFAB standard cell XC06 and XC018 libraries. The synthesis of the complex cells generated is performed by the ASTRAN tool. The experiments were performed on the 180nm and 600nm technologies for a set of ITC'99 bechmarks circuits. Comparisons were made between the optimized netlist and two netlists generated for each XFAB library. A netlist covers all cells in the library and the other netlist has a restriction of cells that are considered complex (adders, multiplexers, XOR / XNOR, AOI, and OAI). The netlist with restrictions was designed with the motivation to check if a netlist with complex cells generated exclusively for the target circuit would become more beneficial in terms of reducing the number of transistors. The results for 180nm showed reductions in the best cases in the number of transistors with up to 15%, in dynamic power up to 24% and in leakage power with up to 22%. The results for 600nm showed reductions in the best cases in the number of transistors with up to 17%, in an area up to 14%, in dynamic power with up to 22%, in leakage power with up to 29%. The experiments showed that it is possible to achieve reductions in the number of transistors by combining the use of ASTRAN with the optimization technique using SCCG.

Autômatos celulares e suas variações são atualmente utilizados para simulação de diversos processos físicos. De especial interesse para o campo de simulação de processos de micro-fabricação são os autômatos celulares para evolução de frentes circulares e elípticas e os autômatos celulares para corrosão anisotrópica de Si. No presente trabalho é apresentado um autômato celular alternativo para uso na simulação da evolução topográfica de uma superfície. Este autômato celular apresenta diversas vantagens em relação aos autômatos celulares reportados na literatura, como menor vizinhança e melhores resultados para grandes redes de células. Também foi avaliada a viabilidade do uso de um autômato celular multipartículas para simulação de processos de dopagem e oxidação térmica do silício. Este autômato celular multipartículas se mostrou uma alternativa interessante para simulação da dopagem de Si por impurezas. Aqui é apresentado também detalhes do software desenvolvido, o simMEMS, para incorporar estes autômatos celulares em um único ambiente, permitindo assim a simulação do processo de fabricação completo de inúmeros dispositivos como MEMS, MOEMS e dispositivos e circuitos microeletrônicos. São também, como exemplo, o processo de fabricação de um microespelho para projeção digital de luz, uma porta lógica NOR e uma microagulha para uso em uma matriz de eletrodos com aplicações em biologia e medicina. / Cellular automata and their variations are currently used to simulate a large range of physical phenomena. Of special interest to the microfabrication field are cellular automata for the propagation of circular and elliptical fronts as well as cellular automata for the simulation of silicon wet etching. Here an alternative cellular automaton for use in surface propagation is presented. This cellular automaton has several advantages over those reported in the literature, such as a smaller neighborhood e better results in large grid simulations. The results on the study on the viability of using a multiparticle cellular automaton for simulation of reaction diffusion systems in microfabrication simulation are also reported. The multiparticle cellular automaton was used to simulate both dopant diffusion in silicon and silicon thermal oxidation. This multiparticle cellular automaton was found to be of interest to the simulation of dopant diffusion in silicon. Details of the implementation of the software developed to incorporate these cellular automata, called simMEMS, and allow for the simulation of complex MEMS, MOEMS and microelectronic circuits and devices are also presented. The fabrication processes of several complex devices, including a micromirror for digital light projection, a quad NOR logic gate IC and a microneedle for use in a medical electrode array, are presented as an example of the capabilities of the simMEMS software.

Com o objetivo de melhorar a eficiência as células solares de silício do tipo n+pp+, foi desenvolvido um modelo de otimização teórica visando dar subsídios para otimizar convenientemente as diversas etapas envolvidas no processo de fabricação destes dispositivos. Para levar a cabo o estudo teórico foi desenvolvido um programa considerando as características das três regiões que compõe a célula solar n+, base p e emissor posterior p+. O emissor frontal e a base foram analisados através de modelos teóricos com soluções analíticas, enquanto que a região posterior foi analisada através da teoria clássica. Foram otimizados dois tipos de emissores: homogêneos e duplamente difundidos, utilizando parâmetros internos atualizados. Através dos resultados teóricos obtidos, verificou-se o excelente comportamento dos emissores homogêneos, pouco dopados, profundos e passivados. Melhores resultados teóricos foram obtidos com emissores duplamente difundidos, ou seja, compostos por diferentes níveis de concentrações de dopantes nas regiões passivadas e metalizadas. Entretanto, através da comparação entre emissores homogêneos e os duplamente difundidos, verificou-se uma predominância dos homogêneos para aplicações industriais. Assim sendo, a comparação foi seguida de uma análise da dependência dos emissores homogêneos com o fator de sombreamento metálico (Fm). Uma vez realizadas as otimizações teóricas, passou-se ao desenvolvimento tecnológico de células solares com emissores duplamente difundidos e passivados. Visando incrementar o rendimento das células solares, diversas etapas do processo de fabricação foram implementadas e/ou melhoradas, tais como, o uso de aditivos clorados (C33), na limpeza dos fornos e no crescimento da camada passivadora e anti-refletora do dióxido de silício, a texturização química e a pré-deposição de fósforo em tubo aberto. O sistema anti-refletor (superfície texturizada com dióxido de silício) foi utilizado, uma vez que produziu uma significativa redução da reflexão da superfície frontal da célula solar. As células solares desenvolvidas neste trabalho foram caracterizadas utilizando diversas técnicas como curva IxV no escuro e sob iluminação, curvas de corrente de curto-circuito versus tensão de circuito aberto e respostas espectrais ou eficiências quânticas. Os resultados obtidos mostraram a excelente qualidade alcançada pelos emissores desenvolvidos, tanto com relação à eficiência de coleção para curtos comprimentos de onda, como no referente à pouca contribuição à densidade de corrente de recombinação. Das análises teórico-experimentais realizadas concluiu-se que as células desenvolvidas neste trabalho estão limitadas pela recombinação na região de base, devendo ser este um dos caminhos a ser seguido visando melhorar o rendimento destes dispositivos. A célula mais representativa do processo utilizado alcançou uma eficiência de (16,9 ± 0,3)%, uma tensão de circuito aberto de 639,6mV e uma densidade de corrente de curto-circuito de 33,67mA/cm² (medidas realizadas no National Renewable Energy Laboratory (NREL)). / Searching for the improvement of n+pp+ solar cell efficiencies, a theoretical model was developed in order to optimize the emitter parameters and several technological processes were implemented in the fabrication of these devices. Thus, a code considering the characteristics of the different regions n+ emitter, base region and p+ emitter were developed. The emitter n+ and the base region were analyzed by means of the theoretical model with analytical solutions, while the p+ emitter was analyzed considering the classical theory. Using update parameters, a optimization was made for the two kinds of emitters. And by means of the theoretical results, the excellent behavior of homogeneous emitters when moderately doped, relatively thick and passivated. The best theoretical results were found with two-step diffusion emitters. However, comparing the two kinds of emitters a remarkable importance was found for practical applications of homogeneous emitter. Thus, a comparison considering the dependence of homogeneous emitters on the metal-grid shadowing factor (Fm) was fulfilled. The technological development was fulfilled with some innovations in the fabrication process; such as the use of C33 (in the cleaning of high temperature furnaces, as well as for growing the SiO2), chemical texturizations and phosphorus pre-deposition in open tube furnaces. The anti-reflection system was chosen, considering the theoretical-experimental optimizations developed for anti-reflection coatings. The solar cells were characterized by current density versus voltage curve under darkness and illumination, quantum efficiency and so on. The obtained results showed the excellent quality reached for the developed emitters, as for the internal quantum efficiency as for the low recombination current density. Analyzing the theoretical and experimental results, it was found that the base region is limiting the performance of the cells. Thus, this must be a way of improving the efficiency of these cells. The best solar cell has a short-current density of 33.67mA/cm², an open-circuit voltage 639.6mV and efficiency of (16.9 ± 0.3)%, measured by National Renewable Energy Laboratory (NREL).

Turbo códigos têm se tornado um importante ramo na pesquisa de codificação de canal e já foram adotados como padrão para a terceira geração de comunicação móvel. Devido ao seu alto ganho de codificação, os turbo códigos são vistos como fortes candidatos a serem adotados como padrão das futuras gerações de redes sem fio. Esse esquema de codificação é baseado na decodificação iterativa, onde decodificadores de entrada e saída suaves produzem refinamento da informação a cada iteração. Essa dissertação apresenta resultados de um estudo comparativo entre dois esquemas de codificação: turbo códigos de bloco e turbo códigos convolucionais. Os resultados mostram que os dois esquemas de codificação têm desempenho funcional complementar, sendo importante a especificação de um alvo em termos de relação sinal/ruído ou taxa de erro de bits para a escolha do esquema de codificação mais adequado. Com o mesmo modelo em linguagem de programação C foi feita uma exploração do algoritmo visando diminuição do consumo de potência. Essa exploração em parte foi feita segundo uma metodologia de exploração sistemática das possibilidades de transferência e armazenamento de dados (DTSE). Com a exploração, a redução total de consumo de potência para o armazenamento de dados foi estimada em 34%. / Turbo codes have become an important branch on channel coding research and have been adopted as standard in the third generation of mobile communication systems. Due to their high coding gain, turbo codes are expected to be part of the next generations of wireless networks standards. This coding scheme is based on iterative decoding, as soft input/soft output decoders produce an information refinement in each iteration. This dissertation shows the results of a comparative performance study of two different turbo coding schemes: block turbo codes and convolutional turbo codes. The results obtained show that the two schemes have complementary performance. It is necessary to specify a target in terms of bit error rate or signal/noise ratio. With the same C model an exploration aiming at reducing power consumption was done. Part of this exploration was done following a systematic methodology of data transfer and storage exploration (DTSE). With this exploration, a reduction of 34% on power consumption was estimated.

Autômatos celulares e suas variações são atualmente utilizados para simulação de diversos processos físicos. De especial interesse para o campo de simulação de processos de micro-fabricação são os autômatos celulares para evolução de frentes circulares e elípticas e os autômatos celulares para corrosão anisotrópica de Si. No presente trabalho é apresentado um autômato celular alternativo para uso na simulação da evolução topográfica de uma superfície. Este autômato celular apresenta diversas vantagens em relação aos autômatos celulares reportados na literatura, como menor vizinhança e melhores resultados para grandes redes de células. Também foi avaliada a viabilidade do uso de um autômato celular multipartículas para simulação de processos de dopagem e oxidação térmica do silício. Este autômato celular multipartículas se mostrou uma alternativa interessante para simulação da dopagem de Si por impurezas. Aqui é apresentado também detalhes do software desenvolvido, o simMEMS, para incorporar estes autômatos celulares em um único ambiente, permitindo assim a simulação do processo de fabricação completo de inúmeros dispositivos como MEMS, MOEMS e dispositivos e circuitos microeletrônicos. São também, como exemplo, o processo de fabricação de um microespelho para projeção digital de luz, uma porta lógica NOR e uma microagulha para uso em uma matriz de eletrodos com aplicações em biologia e medicina. / Cellular automata and their variations are currently used to simulate a large range of physical phenomena. Of special interest to the microfabrication field are cellular automata for the propagation of circular and elliptical fronts as well as cellular automata for the simulation of silicon wet etching. Here an alternative cellular automaton for use in surface propagation is presented. This cellular automaton has several advantages over those reported in the literature, such as a smaller neighborhood e better results in large grid simulations. The results on the study on the viability of using a multiparticle cellular automaton for simulation of reaction diffusion systems in microfabrication simulation are also reported. The multiparticle cellular automaton was used to simulate both dopant diffusion in silicon and silicon thermal oxidation. This multiparticle cellular automaton was found to be of interest to the simulation of dopant diffusion in silicon. Details of the implementation of the software developed to incorporate these cellular automata, called simMEMS, and allow for the simulation of complex MEMS, MOEMS and microelectronic circuits and devices are also presented. The fabrication processes of several complex devices, including a micromirror for digital light projection, a quad NOR logic gate IC and a microneedle for use in a medical electrode array, are presented as an example of the capabilities of the simMEMS software.

Neste trabalho, foram fabricados guias de onda ARROW (Anti-Resonant Reflecting optical waveguides), através da utilização de filmes finos, de materiais amorfos, obtidos pelas técnicas de Deposição Química a vapor assistida por plasma (PECVD) e Sputtering. Pelo fato de o funcionamento destes guias ser bastante dependente da geometria e das propriedades ópticas dos materiais, foram realizadas simulações utilizando o Método de Matrizes de Transferência (TMM) e o Método de Diferenças Finitas com Reticulado Não Uniforme (NU-FDM) para a determinação dos parâmetros geométricos destas estruturas. Na fabricação, foram utilizados filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) e carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H), depositados por PECVD, à temperatura de 320°C, e filmes de TiOx depositados por Sputtering, para a fabricação das camadas que compõem os guias de onda. Os filmes de a-SiC:H e TiOx foram utilizados como primeira camada anti-ressonante, possuindo espessuras de 0,322 µm e 86,3 nm, respectivamente. A definição das paredes laterais dessas estruturas foi feita através da Corrosão por Plasma Reativo (RIE) utilizando técnicas fotolitográficas convencionais. Os guias de onda ARROW foram caracterizados em termos de perdas por propagação, para o comprimento de onda de 633 nm, utilizando a técnica de clivagem e a técnica de vista superior. As perdas em função do comprimento de onda para a faixa que vai desde o ultravioleta até o infravermelho próximo (200 nm a 1100 nm) também foram medidas utilizando fonte de luz branca, monocromador e medidor de potência óptica. Além disso, a análise modal dos guias de onda foi feita através de imagens obtidas através de uma objetiva de microscópio e de uma câmera CCD (Charge Coupled Device). Os resultados mostram que é possível obter guias monomodo, com baixas atenuações, tendo se conseguido valores entre 0,8 e 3 dB/cm, para o comprimento de onda de 633 nm. Isso possibilita, no futuro, a fabricação de diversos dispositivos, como sensores interferométricos, sensores químicos baseados em absorção óptica, redes de Bragg, entre outros. / In this work, Anti-Resonant Reflecting Optical Waveguides (ARROW) were fabricated using thin amorphous films, obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Sputtering techniques. Since these waveguides are highly dependent on its geometry and on the optical properties of the materials used, simulations using the Transfer Matrix Method (TMM), and the Non-Uniform Finite Difference Method (NU-FDM), were necessary, for the determination of the geometric parameters of these structures. Silicon oxynitride films (SiOxNy), amorphous hydrogenated silicon carbide films (a-SiC:H), both deposited at a temperature of 320°C, and TiOx films, deposited by Sputtering technique, were used in the fabrication of the layers of the waveguides. The a-SiC:H and the TiOx films were used as first ARROW layer, having thicknesses of 0,322 µm and 86,3 nm, respectively. Also, the definition of the sidewalls of the waveguide was achieved using Reactive Ion Etching (RIE) and conventional lithographic techniques. The waveguides were characterized in terms of propagation losses, for working wavelength of 633 nm, by using the cut-back and the top view techniques. The losses as a function of working wavelength, for the ultraviolet, visible and near infrared regions (200 nm to 1100 nm), were also measured using a white light source, a monocromator and an optical power meter. Furthermore, modal analysis was achieved by using images captured by a Charge Coupled Device (CCD) camera, using a microscope objetctive. Results proved the possibility of obtaining single-mode waveguides with relatively low losses, with values around 0.8 and 3 dB/cm, for working wavelength of 633 nm. This are promising results which indicate the possibility of using these waveguides for the fabrication of many devices such as interferometric sensors, chemical sensors based on optical absorption, Bragg gratings, among others.

A microfluídica atua em áreas como controle de fluxo, e \"química e ciências da vida\". Nesta última área encontram-se dispositivos como micro-agulhas, micro-separadores, microdispensadores, micro-reatores e micromisturadores. Em particular, micromisturadores podem estar presentes nas mais variadas aplicações na industria e na ciência, que necessitam de mistura de fluidos. Uma dessas aplicações é a encapsulação de ativos por uma matriz polimérica (micro-esferas poliméricas) para sistemas de liberação controlada. Nos processos convencionais de encapsulação uma das etapas cruciais é a produção de emulsões simples e múltiplas, que é o resultado do processo de mistura de dois líquidos imiscíveis. A introdução de micromisturadores para formação de emulsões é uma alternativa tecnológica que foi explorada neste trabalho. Portanto, foi realizado um estudo de pré-formulação, no qual foram produzidas micro-esferas poliméricas sem nenhum ativo encapsulado através de n misturadores microfluídicos diferentes. Os dispositivos mais eficientes foram identificados através das características das micro-esferas produzidas, tais como: diâmetro médio de partícula, índice de dispersão da distrib uição de partículas e morfologia (forma geométrica). Identificados os dispositivos, parâmetros de processo foram estudados, tais como: vazão e formulação. Os resultados obtidos indicaram que é possível produzir micro-esferas poliméricas com suas principais características controladas: tamanho e índice de dispersão. / Microfluidics actuates in areas as flow control, and \"chemistry and life sciences\". In this latter area appear devices as microneedles, microseparators, microdispensers, micro-reactors and micromixers. In particular, micromixers can be found in several applications in industry and science where it is needed fluid mixing. One of these applications is the asset encapsulation of a polymeric matrix (polymeric microspheres) for controlled release systems. In conventional processes of encapsulation one of crucial steps is the production of simple or multiple emulsions, which is the result of the mixing process of two immiscible liquids. Utilization of micromixers for emulsion preparation is a technological alternative that is explored in this work. Therefore, it was realized a pre-formulation study, for production of polymeric microspheres without any asset encapsulated, through several microfluidic mixers. The more efficient devices were ident ified through characteristic parameters of produced microspheres, such as: particle average diameter, dispersion index of particle size distribution and morphology (geometric shape). After device identification, process parameters were studied, such as: flow rate and formulation. Obtained results indicated that it is possible to produce polymeric microspheres with its main controlled characteristics: size and dispersion index.

Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um fluxo de projeto de circuitos digitais integrados, visando a incluir células geradas automaticamente pela ferramenta ASTRAN. Como parte integrante deste novo fluxo, desenvolveu-se uma nova técnica de comparação entre células, utilizando Redes Neurais Artificiais, para a modelagem das células ASTRAN, esta técnica se mostrou flexível ao se adaptar a diversos tipos de células e com resultados robustos tendo 5% de desvio padrão e 4% para o erro relativo. Também, foi criada uma ferramenta capaz de substituir células comerciais por células ASTRAN, tendo como objetivo melhorar as características de potência consumida e área utilizada pelo circuito, e por fim gerando um circuito misto composto de células comerciais feitas à mão e células ASTRAN geradas automaticamente. O foco principal deste trabalho encontra-se na integração do fluxo de geração de células geradas automaticamente a um fluxo de síntese comercial de circuitos digitais. Os resultados obtidos mostraram-se promissores, obtendo-se ganhos em redução de área e potência dos circuitos analisados. Em média os circuitos tiveram uma redução de 3,77% na potência consumida e 1,25% menos área utilizada. Com um acréscimo de 0,64% por parte do atraso total do circuito. / This work presents the development of a design flow for digital integrated circuits, including cells generated automatically by the ASTRAN tool. Moreover, a new technique, using Artificial Neural Networks, was developed to perform a comparison between two different cells, i.e. commercial and ASTRAN’s cell. This technique proved to be flexible when adapting to several types of cells and with robust results having 5% of standard deviation and 4% for relative error. Also, a new tool was developed, capable of performing cell replacement between ASTRAN and commercial cells, to improve power consumption an used area. Finally a mixed circuit composed of handmade commercial cells and cells automatically generated by ASTRAN was generated. A target was to mix an automatic cell synthesis tool with commercial synthesis tools dedicated to standard cells. Comparisons have shown that our approach was able to produce satisfactory results related area and power consumption. In average the circuits had a reduction of 3.77% in the power consumed and 1.25% less used area. With an increase of 0.64% due to the total delay of the circuit.

Este trabalho aborda o problema de dimensionamento portas lógicas e assinalamento de Vt para otimização de potência, área e temporização em circuitos integrados modernos. O fluxo proposto é aplicado aos conjuntos de circuitos de teste dos Concursos do International Symposium on Physical Design (ISPD) de 2012 e 2013. Este fluxo também é adapatado e avaliado nos estágios pós posicionamento e roteamento global em projetos industriais de circuitos integrados, que utilizam uma ferramenta precisa de análise estática de temporização. As técnicas propostas geram as melhores soluções para todos os circuitos de teste do Concurso do ISPD 2013 (no qual foi a ferramenta vencedora), com em média 8% menos consumo de potência estática quando comparada com os outros concorrentes. Além disso, após algumas modificações nos algoritmos, nós reduzimos o consumo em mais 10% em média a pontência estáticas com relação aos resultados do concurso. O foco deste trabalho é desenvolver e aplicar um algoritmo estado-da-arte de seleção portas lógicas para melhorar ainda mais projetos industriais de alto desempenho já otimizados após as fases de posicionamento e roteamento do fluxo de projeto físico industrial. Vamos apresentar e discutir vários problemas encontrados quando da aplicação de técnicas de otimização global em projetos industriais reais que não são totalmente cobertos em publicações encontradas na literatura. Os métodos propostos geram as melhores soluções para todos os circuitos de referência no Concurso do ISPD 2013, no qual foi a solução vencedora. Considerando a aplicação industrial, as técnicas propostas reduzem a potência estática em até 18,2 %, com redução média de 10,4 %, sem qualquer degradação na qualidade de temporização do circuito. / This work addresses the gate sizing and Vt assignment problem for power, area and timing optimization in modern integrated circuits (IC). The proposed flow is applied to the Benchmark Suites of the International Symposium on Physical Design (ISPD) 2012 and 2013 Contests. It is also adapted and evaluated in the post placement and post global routing stage of an industrial IC design flow using a sign-off static timing analysis engine. The proposed techniques are able to generate the best solutions for all benchmarks in the ISPD 2013 Contest (in which we were the winning team), with on average 8% lower leakage with respect to all other contestants. Also, after some refinements in the algorithms, we reduce leakage by another 10% on average over the contest results. The focus of this work is to develop and apply a state-of-the-art cell selection algorithm to further improve already optimized high-performance industrial designs after the placement and routing stages of the industrial physical design flow. We present the basic concepts involved in the gate sizing problem and how earlier literature addresses it. Several problems found when applying global optimization techniques in real-life industrial designs, which are not fully covered in publications found in literature, are presented and discussed. Considering the industrial application, the proposed techniques reduce leakage power by up to 18.2%, with average reduction of 10.4% without any degradation in timing quality.