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Equaliza??o concorrente de canais no dom?nio freq??ncia para sistemas multiportadoras

D'Agostini, F?bio 27 April 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 392289.pdf: 3017753 bytes, checksum: 0ca27d271856789bdc545e8b325b7d56 (MD5) Previous issue date: 2007-04-27 / Receptores para sistemas wireless OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing) usualmente realizam a estima??o e compensa??o do canal atrav?s de s?mbolos piloto inseridos em portadoras cujas posi??es ao longo do espectro do canal s?o conhecidas. As fun??es de transfer?ncia calculadas a partir dos sinais piloto s?o interpoladas para determinar as fun??es de transfer?ncia em todas as portadoras que compreendem o espectro do canal. Varia??es do canal ao longo do tempo s?o compensadas atrav?s de interpola??o entre as sucessivas estima??es do canal numa mesma portadora. No entanto, n?o raramente, a ocorr?ncia de varia??es bruscas limita a capacidade de atua??o dos interpoladores temporais este ? o caso dos receptores m?veis. Nesta disserta??o apresentaremos uma nova t?cnica de compensa??o de canal utilizando a opera??o concorrente entre dois algoritmos baseados no gradiente estoc?stico: um que minimiza a fun??o de custo atrav?s da dispers?o de energia do sinal recebido e outro que minimiza a dist?ncia euclidiana entre os s?mbolos da modula??o digital recebidos e aqueles na constela??o de refer?ncia atribu?da a cada subcanal OFDM. Os resultados mostram uma significativa melhora na performance da etapa de estima??o e compensa??o do canal quando esta ? submetida a r?pidas varia??es, permitindo uma consider?vel redu??o na taxa de erro do demodulador mesmo quando este opera em um cen?rio sujeito a intenso multipercurso din?mico.
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Desconvolu??o autodidata concorrente para beamformers n?o supervisionados em antenas controladas por reat?ncia

Ortolan, Leonardo 27 April 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 392290.pdf: 2449610 bytes, checksum: e98cfa50388a7a3f744c3841c0b5837e (MD5) Previous issue date: 2007-04-27 / A ESPAR (Electronically Steerable Parasitic Array Radiator) ? uma antena adaptativa, utilizada para recep??o de sinais digitais. Esta antena, diferentemente das demais antenas inteligentes, necessita de apenas um downconverter no elemento central ativo. Todos os outros elementos da antena s?o parasitas e modelam o diagrama de irradia??o atrav?s do ajuste independente de reat?ncias control?veis. Estas reat?ncias s?o ajustadas por meio de um algoritmo adaptativo. O objetivo deste algoritmo ? buscar um conjunto de valores para as reat?ncias, tal que o diagrama de irradia??o seja modelado de modo a anular sinais interferentes. Neste trabalho s?o propostos dois novos algoritmos baseados no Gradiente Estoc?stico, para controle de antenas controladas por reat?ncias, tal como a ESPAR. O primeiro algoritmo aplica o princ?pio de opera??o do Processo de Desconvolu??o Autodidata Concorrente (PDAC) ao algoritmo Maximum Moment Criterion (MMC). J? o segundo algoritmo utiliza a arquitetura original do PDAC. Esses processos avaliam n?o apenas a energia do sinal recebido (amplitude), mas tamb?m a fase do sinal, sem necessidade de transmiss?o de qualquer seq??ncia de treino. Os resultados obtidos demonstram que os algoritmos que utilizam a arquitetura concorrente n?o s? resultam em um menor erro m?dio quadr?tico em rela??o ? constela??o de refer?ncia da modula??o digital, como tamb?m resultam em uma melhor rela??o sinal-interfer?ncia
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Desenvolvimento de um sistema de verifica??o da press?o arterial atrav?s do m?todo oscilom?trico

Pereira, L?o Fabr?cio 30 March 2006 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 346861.pdf: 1247028 bytes, checksum: 6cdf9feef272bc4395446fc3f7de312a (MD5) Previous issue date: 2006-03-30 / A verifica??o da medida de press?o arterial ? de grande import?ncia para o diagn?stico de doen?as cardiovasculares e principalmente para o acompanhamento de interven??es terap?uticas, por?m os m?todos invasivos hoje utilizados s?o caros e principalmente agressivos ao paciente, reduzindo por estes motivos sua aplica??o. Este estudo pretende obter, por m?todos n?o-invasivos, a medida da press?o arterial de pacientes humanos. Isto consiste na aquisi??o das press?es sist?licas, diast?licas e m?dias de forma "simultaneamente" bem como a apresenta??o destas num visor. Os valores adquiridos pelo m?todo n?o-invasivo ser?o comparados a dados resultantes da aquisi??o invasiva da press?o arterial por carater intra-a?rtico que ? considerado padr?o-ouro. Os sinais obtidos de maneira n?o-invasiva ser?o acondicionados diretamente no computador ap?s serem captados por uma placa de aquisi??o junto ao sensor que est? localizado no manguito do aparelho. J? os dados obtidos de maneira convencional est?o localizados em um monitor os quais tamb?m ser?o transferidos para o computador. Este trabalho n?o tem como objetivo realizar testes em seres humanos. Assim, para validar o sistema proposto, ser?o realizados testes em pacientes virtuais com uma amostragem de dez medidas para diferentes n?veis de press?o, tanto para o caso de pacientes adultos quanto para neonatais.
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Controle por realimenta??o linear de vari?veis de estado com modelo interno senoidal aplicado a fontes ininterruptas de energia

Naz?rio, Cristiano Zanini 30 July 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 395024.pdf: 4205635 bytes, checksum: 4ff717d6f44bb5107e794fe791c50d37 (MD5) Previous issue date: 2007-07-30 / A evolu??o dos componentes eletr?nicos de pot?ncia das ?ltimas d?cadas, seguida de diferentes estrat?gias de controle desenvolvidas para conversores de pot?ncia est? resultando em diferentes aplica??es dos conversores de pot?ncia. Uma fam?lia destes conversores ? utilizada como parte do projeto de uma Fonte Ininterrupta de Energia comercial. Esta disserta??o apresenta uma estrat?gia alternativa para controlar uma Fonte Ininterrupta de Energia ou do Ingl?s UPS Uninterruptible Power Supply. Um controle com Modelo Interno Senoidal ? utilizado para realimenta??o da tens?o de sa?da, enquanto uma Realimenta??o Linear da Vari?vel de Estado corrente do Indutor, ? utilizada para melhorar as caracter?sticas din?micas do UPS. Os resultados obtidos s?o comparados com um controlador PID cl?ssico, sendo ambos os controles aplicados a um UPS comercial.
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Desenvolvimento de dispositivos org?nicos eletrocr?micos de transmiss?o

Guedes, Andr? Felipe da Silva 07 December 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 427903.pdf: 145951 bytes, checksum: 25c3a345abd5cb93a9f65fefaf947924 (MD5) Previous issue date: 2010-12-07 / A s?ntese e a aplica??o de novos materiais org?nicos, nanoestruturados, para o desenvolvimento de tecnologia em dispositivos org?nicos tem despertado grande interesse na comunidade cient?fica. Atualmente encontram-se no mercado os primeiros produtos eletr?nicos polim?ricos (materiais org?nicos semicondutores), entre esses h? os dispositivos eletrocr?micos, os quais s?o chamados de janelas inteligentes. Os principais aspectos funcionais de dispositivos eletrocr?micos para aplica??o na ind?stria arquitet?nica e automotiva s?o o controle da passagem de luz e de temperatura para o conforto t?rmico e visual. Podem ser flex?veis e muito finos, al?m de n?o conter metais pesados. Os dispositivos org?nicos s?o formados por camadas de materiais org?nicos depositados em diversas arquiteturas. Neste trabalho, a partir dos materiais org?nicos eletrodepositados, no caso Polianilina, PANI, que apresenta estabilidade nos par?metros ?pticos e el?tricos, desenvolveram-se prot?tipos de dispositivos org?nicos eletrocr?micos. As t?cnicas utilizadas na caracteriza??o desses materiais foram: espectroscopia de absor??o ultravioleta-vis?vel (UV-Vis), microscopia ?ptica, microscopia eletr?nica de varredura (MEV), medida de espessura e medidas el?tricas. O objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de dispositivos org?nicos eletrocr?micos de transmiss?o (DETs) que apresentem o Poli(3,4-etilenodioxitiofeno), PEDOT, como eletrodo de trabalho e o Pent?xido de Van?dio, V2O5, como contra-eletrodo. A arquitetura proposta neste trabalho utiliza o eletr?lito de LiClO4/PC/PMMA para separar o contra-eletrodo de PANI/V2O5 do eletrodo de PEDOT. A an?lise dos resultados obtidos com a caracteriza??o ?ptica e el?trica revelaram que o DET apresentou mudan?a na absor??o ?ptica, quando submetidos a diferen?a de potencial, e um decr?scimo de tr?s ordens de grandeza na resistividade el?trica. Estes resultados demonstraram a viabilidade para a confec??o de dispositivos eletrocr?micos que apresentam o PEDOT como eletrodo de superf?cie e o PANI/V2O5 como contra-eletrodo de superf?cie
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Influ?ncia da irradia??o com ?ons leves na forma??o de nanoporos em policarbonato pelo m?todo de track etching

Thomaz, Raquel Silva 04 March 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 429538.pdf: 4802472 bytes, checksum: d319fc8b81132abbc2f53c759f518856 (MD5) Previous issue date: 2011-03-04 / Cavidades e poros micro e nanom?tricos podem ser produzidos quando superf?cies polim?ricas s?o bombardeadas por ?ons energ?ticos e expostas a agentes qu?micos apropriados. Neste trabalho foi investigado o efeito da irradia??o de pr?tons sobre o tamanho dos poros produzidos por ?ons de ouro no policarbonato, bem como as poss?veis diferen?as advindas da seq??ncia de irradia??o. Folhas de 12 μm de policarbonato Makrofol KG foram irradiadas com pr?tons de 2 MeV em v?cuo (~10-6 Torr) com flu?ncias entre 5x1012 e 5x1014 ?ons/cm2 ? temperatura ambiente. As irradia??es foram realizadas antes ou ap?s a forma??o das trilhas i?nicas por bombardeio de Au+7 de 18 MeV. As amostras foram atacadas com solu??o de NaOH 6 M em temperatura de 60?1?C em diferentes tempos (1-3 min). Os resultados obtidos mostram que a irradia??o com pr?tons em baixas flu?ncias causa uma redu??o nos di?metros dos poros, quando comparados com amostras irradiadas apenas por ?ons de Au. Esse comportamento ocorre independentemente da ordem de irradia??o. A redu??o m?xima do di?metro dos poros acontece para flu?ncias de 2 a 5x1013 ?ons/cm2. Essa diminui??o foi atribu?da ? exist?ncia de dois efeitos competitivos que predominam em diferentes faixas de flu?ncias. O decr?scimo do di?metro dos poros em baixas doses ? induzido pelo aumento da cristalinidade. Em flu?ncias mais altas a amorfiza??o e cis?o de cadeias s?o os efeitos dominantes, induzindo um leve crescimento dos poros. Assim, a irradia??o com pr?tons pode ser utilizada para controlar o di?metro dos poros formados no policarbonato.
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Simula??o num?rica de transporte e dep?sito de sedimentos em suspens?o em canal inclinado

Dalpiaz, Diego 29 August 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 462338.pdf: 6932658 bytes, checksum: 002a8671d2441b25bba6d1226ae0b910 (MD5) Previous issue date: 2014-08-29 / Gravity currents begin when two fluid bodies, with different densities, collides one against other, starting a relative movement in both, being these processes responsible for the transport of sediment from the continental shelf into the deep ocean and the marine construction relief. When the density of sediments transported by rivers exceeds the density of the ambient fluid, it can plunge and form a submerged current, called hyperpycnal plume. The purpose of this research is to investigate, using Direct Numerical Simulation (DNS), the plunge point dynamics of these currents, being employed the Immersed Boundary Method (IBM) to simulate the slope of the continental shelf. Are investigated the influence of the fall velocity of the particle, the initial concentration of suspended sediment, the declivity of the slope in plunge point formation and consequently in the dynamics of particle sedimentation. These results were compared qualitatively with experimental case found in the literature. Quantitative discrepancies were found arising from the use of two-dimensional configuration, and also uncertainty as to the experiment data. The two-dimensional cases showed that the initial concentration of particles and the slope of the platform directly affects the position of plunge point and so little the sediment deposits profile, as the fall velocity shows opposite behavior. The 2D configuration was inefficient for low Ri numbers, showing the necessity of three-dimensional simulations. / Correntes de gravidade tem in?cio quando corpos fluidos de diferentes densidade se encontram, dando in?cio a um movimento relativo entre eles, sendo estes processos respons?veis pelo transporte de sedimento das plataformas continentais para o oceano profundo e constru??o do relevo marinho. Quando a densidade dos sedimentos trasportados pelos rios excede a densidade do fluido ambiente, a corrente gerada pode afundar, gerando uma corrente submersa, denominada pluma hiperpicnal. A inten??o desta pesquisa ? investigar, atrav?s da Simula??o Num?rica Direta (DNS), a din?mica do mergulho destas correntes, sendo empregado o m?todo das fronteiras imersas (IBM), para simular a inclina??o da plataforma continental. S?o investigadas a influ?ncia da velocidade de queda da part?cula, da concentra??o inicial de sedimentos em suspens?o, da declividade da encosta na forma??o do ponto de mergulho e consequentemente na din?mica de sedimenta??o das part?culas. Estes resultados foram comparados qualitativamente com um caso experimental encontrado na literatura. Discrep?ncias quantitativas foram encontradas decorrentes da limita??o bidimensional empregada aos casos, e tamb?m das incertezas quanto aos dados do experimento. Os casos bidimensionais mostraram que a concentra??o inicial de part?culas e a inclina??o da plataforma afeta diretamente a posi??o do ponto de mergulho e pouco o perfil de dep?sito de sedimentos, j? a velocidade de queda mostra comportamento contr?rio. A configura??o 2D mostrou-se ineficiente para baixos n?meros de Ri, mostrando a necessidade da realiza??o de simula??es tridimensionais.
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Simula??o por din?mica molecular de efeitos induzidos pela irradia??o i?nica de filmes moleculares ultrafinos

Gutierres, Leandro Iz? 04 March 2015 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 466225.pdf: 8821107 bytes, checksum: 29eac7664f9d5e8636f822b7baf681b7 (MD5) Previous issue date: 2015-03-04 / In this work, molecular dynamics (MD) simulations were carried out to study the ion-irradiation induced effects on ultrathin molecular films. The energy deposited by the ions is computationally simulated using a simple thermal spike with particles interacting via the Lennard-Jones potential. It was investigated the effect of thin and ultrathin (2 60 nm) films thickness variation in the dimensions of the defects created on the surface crater s diameter (Dc) and depth (Cd) and ridge (rim) volume. Crystalline and amorphous systems were modeled, and different radius and temperature combinations were investigated for the simulated cylindrical track. Qualitative and quantitative results obtained from crystalline and amorphous samples were compared. The analysis of the system s dynamics after the track energy got transferred into atomic motion allowed to identify the mechanisms responsible for the formation of the surface defects. Crater size is mostly determined by evaporation and melt flow from the hot track, while the rim size is determined both by melt flow and coherent displacement of particles due to the large pressure developed in the excited track. We find a large dependence on the dimensions of the surface defects, and in the number of sputtered particles, with the film thickness (h) below a critical value hcr?tico. The critical thickness for the rim volume, more sensitive to the confinement of the film, was found to be higher than the hcr?tico for Dc, since mechanisms involved in the formation of both effects are different. Also from a critical h on, the sputtering yield got smaller as the film thickness decreased. The sputtered particles depth of origin zorigem was obtained as a function of h. As a result from simulations with amorphous films it was obtained zorigem<h/2. Results from simulations were compared to recent experimental data. / Neste trabalho, simula??es por din?mica molecular (MD) foram empregadas para estudar efeitos induzidos pela irradia??o i?nica de alta energia em filmes moleculares ultrafinos. A energia depositada pelos ?ons ? computacionalmente simulada usando um modelo simples de thermal spike com part?culas interagindo pelo potencial de Lennard-Jones. Foi investigado o efeito da varia??o da espessura de filmes ultrafinos (2 60 nm) nas dimens?es dos defeitos criados na superf?cie - di?metro (Dc) e profundidade (Cd) da cratera e volume da protuber?ncia (rim). Foram modelados sistemas cristalino e amorfo, e investigadas diferentes combina??es de raio e temperatura da trilha de excita??o gerada pelos ?ons. Os resultados qualitativos e quantitativos obtidos usando os s?lidos cristalino e o amorfo foram comparados. A an?lise da din?mica do sistema ap?s a energia da trilha i?nica ser transferida para movimento at?mico permitiu identificar os mecanismos respons?veis pela forma??o dos defeitos de superf?cie. O tamanho da cratera ? determinado principalmente pela eje??o de material e pelo fluxo de material fundido da trilha superaquecida, enquanto o rim tem origem tanto no fluxo de material derretido quanto no deslocamento coerente de um pulso de press?o oriundo do centro da trilha excitada. Foi encontrada uma forte depend?ncia entre as dimens?es dos defeitos de superf?cie, e no n?mero de part?culas ejetadas (sputtering), quando a espessura do filme (h) ? menor que um valor cr?tico hcr?tico. A espessura cr?tica para o volume do rim, mais sens?vel ao confinamento do filme, foi maior que para o Dc, devido aos diferentes mecanismos envolvidos. O sputtering foi cada vez menor com a redu??o de h a partir tamb?m de um valor cr?tico de h. Tamb?m foram obtidas a profundidade de origem zorigem das part?culas ejetadas, e o sputtering em fun??o de h. Para os filmes amorfos se obteve zorigem<h/2. Resultados das simula??es foram comparados com dados experimentais recentes. Os melhores resultados das simula??es obtiveram ?tima correla??o qualitativa para Dc e para o volume do rim.
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Desenvolvimento e estudo in vitro de implante biorreabsorv?vel em poli (L-lact?deo) (PLLA) para artrodese de coluna lombar

Sim?es, Marcelo Simoni 25 April 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 392095.pdf: 8066982 bytes, checksum: 885e520a0346e48e1e77c1dd4610477e (MD5) Previous issue date: 2007-04-25 / Os implantes para artrodese intersom?tica da coluna utilizados atualmente protegem o enxerto do carregamento mec?nico, podendo induzir uma consolida??o ?ssea falha. O comportamento ideal desses implantes seria manter a resist?ncia at? a consolida??o ?ssea e, ap?s, ser eliminados, deixando que o tecido ?sseo assuma as cargas. O poli(L-?cido l?tico) (PLLA) ? um poli?ster alif?tico biocompat?vel e biorreabsorv?vel, j? utilizado como mat?ria-prima em implantes ortop?dicos. Com os objetivos de obter dados sobre o comportamento deste pol?mero, bem como de desenvolver uma metodologia que possa auxiliar na escolha de mat?rias-primas para novos estudos, visando uma futura aplica??o cl?nica, foram realizados o projeto e produ??o de um implante para artrodese intersom?tica lombar em PLLA, juntamente com a avalia??o do seu comportamento de degrada??o in vitro pelo per?odo de um ano. O implante foi desenvolvido em um programa de projeto assistido por computador (CAD), ensaiado computacionalmente por an?lise de elementos finitos (FEA) e produzido por inje??o em maquin?rio industrial. Ensaios de cromatografia de permea??o em gel (GPC), calorimetria explorat?ria diferencial (DSC), compress?o mec?nica e microscopia eletr?nica de varredura (MEV) foram realizados nos implantes n?o degradados e a cada tr?s meses de degrada??o. A perda de massa dos implantes em degrada??o tamb?m foi acompanhada. O implante apresentou resist?ncia e ductlidade excelentes durante todo o per?odo testado, suportando compress?es acima de 10000N. A degrada??o no per?odo observado foi, entretanto, muito baixa, havendo pouqu?ssima altera??o na massa do implante e no tamanho das cadeias do pol?mero, conforme avaliado por ensaios de perda de massa e GPC. Embora a baixa degrada??o tenha provado que o PLLA n?o ? o pol?mero mais adequado para a aplica??o pretendida, o trabalho alcan?ou seus objetivos de validar a metodologia utilizada e testar um modelo inicial, obtendo os par?metros para utiliza??o em uma nova fase da pesquisa.
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Filmes finos de SiO2 nanoporosos produzidos por irradia??o i?nica : depend?ncia com a energia de irradia??o e propriedades refletoras

Dallanora, Ar?cia Oliveira 07 August 2007 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 393356.pdf: 3379386 bytes, checksum: bad8f06e377a810f014c94a0e2d3e258 (MD5) Previous issue date: 2007-08-07 / ?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? &#8776;150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de &#8776;85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de &#8776;20% para 4%. Para (dE/dx)e &#8805; 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento.?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? &#8776;150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de &#8776;85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de &#8776;20% para 4%. Para (dE/dx)e &#8805; 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento. Em baixas energias, aglomerados de defeitos s?o pouco prov?veis e a trilha de danos n?o ? revel?vel (isto ?, n?o gera poro). Em energias intermedi?rias, flutua??es na deposi??o de energia ocorrem, resultando na forma??o de trilhas descont?nuas e uma alta dispers?o de tamanhos nas cavidades processadas. C?lculos baseados no modelo "thermal spike" reproduziram satisfatoriamente os valores encontrados para os (dE/dx)limiar, se a forma??o de uma zona fundida ao longo da trilha i?nica ? usada como crit?rio de produ??o de trilhas revel?veis. As propriedades refletoras das camadas de SiO2/Si nanoestruturadas por bombardeio i?nico foram investigadas na regi?o espectral de 350 - 1300 nm. Resultados preliminares indicam valores de reflet?ncia menores que as camadas sem poros e pr?ximos de 15%.

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