Spelling suggestions: "subject:"isolieren""
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Das Polieren von Stahl für den Werkzeug- und Formenbau /Dambon, Olaf. January 2005 (has links)
Techn. Hochsch., Diss., 2005--Aachen.
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Polieren von Werkzeugstählen mit Laserstrahlung /Willenborg, Edgar. January 2006 (has links)
Techn. Hochsch., Diss., 2005--Aachen.
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Agent based diagnostic system for the defect analysis during chemical mechanical polishing (CMP)Kumar, Akhauri Prakash January 2005 (has links) (PDF)
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2005
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Lokale Korrekturpolitur von komplexen Werkzeugformeinsätzen aus Stahl /Wenzel, Christian. January 2006 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2006.
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Reduktion und Oxidation von Ceroxiden /Gathen, David, January 2008 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007.
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Reduktion und Oxidation von CeroxidenGathen, David January 2007 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007
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Oberflächenqualität von vier Nanopartikelkompositen und einem Hybridkomposit nach Anwendung verschiedener Polierverfahren /Anetsmann, Katja. January 2009 (has links)
Zugl.: Giessen, Universiẗat, Diss., 2009.
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Oberflächenstrukturbildung beim Laserstrahlpolieren von StahlwerkstoffenKiedrowski, Thomas January 2009 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009
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Porous Ultra Low-k Material Integration Through An Extended Dual Damascene Approach: Pre-/ Post-CMP Curing ComparisonCalvo, Jesús, Koch, Johannes, Thrun, Xaver, Seidel, Robert, Uhlig, Benjamin 22 July 2016 (has links) (PDF)
Integration of dielectrics with increased porosity is required to reduce the capacitance of interconnects. However, the conventional dual damascene integration approach is causing negative effects to these materials avoiding their immediate implementation. A post-CMP curing approach could solve some of these issues. However, materials with porogens being stable at temperatures of the barrier-seed deposition process are not common, hindering this approach. Here, we report on an extended dual-damascene integration approach which permits post-CMP curing.
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Optimierung des chemisch-mechanischen Polierens von Siliziumwafern mittels stochastischer ModelleWiegand, Susanne 23 July 2009 (has links) (PDF)
Im Rahmen dieser Arbeit wurde der Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) von Siliziumwafern erstmals mittels stochastischer Methoden modelliert und daraus resultierend weiter optimiert. Ziel war es, Erkenntnisse zu ausgewählten, noch nicht vollständig verstandenen Einflussfaktoren zu gewinnen. Der Schwerpunkt lag dabei auf dem Poliertuch. Anhand eines neu entwickelten Modells zur Beschreibung einer konditionierten Tuchoberfläche wurden Zusammenhänge zwischen Konditionier- bzw. Tuchstrukturparametern und resultierender Poliertuchoberfläche herausgearbeitet und somit Möglichkeiten zur exakten Beschreibung und der gezielten Beeinflussung letzterer ermittelt. Weiterhin konnte erstmalig ein lang gesuchter messbarer Parameter benannt werden, mit dem eine ideale Tuchoberfläche charakterisierbar wird. Die Ergebnisse wurden experimentell verifiziert. Abschließend wurde mit einem neuen Abtragsmodell der CMP-Prozess von Siliziumwafern beschrieben, anhand dessen Zusammenhänge zwischen der Tuchrauheit und der Unebenheit der Waferoberfläche mit einer Theorie begründbar wurden.
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