Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T10:00:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nogueira_JoseFranciscoVieira_M.pdf: 9844575 bytes, checksum: 4a58fd92265679a4eca883492b2b18c4 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Os principais parâmetros de uma célula de um transistor VDMOS de potência são: a tensão de transição, a tensão de ruptura, a resistência de condução e as capacitâncias parasitárias que surgem na estrutura. Apresenta-se a conceituação teórica destes parâmetros, bem como modos de otimizar seus valores. Desta forma, um modelo tridimensional para a difusão térmica é discutido e outros fenômenos que influenciam tal difusão são analisados. Técnicas de terminação de junções são ilustradas. Finalmente é apresentado um procedimento de projeto e sua otimização / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-19T00:15:23Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-09T01:50:00Z : No. of bitstreams: 1 153032.pdf: 2103764 bytes, checksum: d9ef8237fcfbbffd7fd37a1f9e8c18b1 (MD5) / Estudo de controle digital em eletrônica de potência utilizando um microcontrolador especial PIC17C756 em um pré-regulador para correção ativa do fator de potência. O enfoque principal é dado no controle da malha de corrente do conversor elevador utilizado. Parte-se da caracterização do microcontrolador e seus periféricos e prossegue-se através do projeto do conversor BOOST. São apresentadas as técnicas de projeto de controle utilizando um algoritmo PID e a técnica de controle por erro complementar. O trabalho é concluído com a apresentação dos resultados experimentais obtidos em laboratório através da implementação de um protótipo para uma potência de 500W com tensão de saída de 400V e freqüência de comutação de 10kHz.

La investigación tuvo como objetivo general: determinar en qué nivel el análisis de flujo de potencia por incremento de carga influye en la prospectiva energética del transformador T4 de 20 MVA en la planta cementera Unacem, Condorcocha, provincia de Tarma – Junín, y los objetivos específicos: identificar el nivel de la distorsión armónica en relación al análisis del flujo de potencia en el transformador T4 de 20 MVA, determinar y analizar el nivel de eficiencia del cos ø (Coseno de phi) en relación al análisis del flujo de potencia en el transformador T4 de 20 MVA y estimar el nivel del resultado esperado por el análisis del flujo de potencia por incremento de carga en el transformador T4 de 20 MVA en la planta cementera Unacem, Condorcocha, provincia de Tarma – Junín.

Orientador : Carlos Alberto Canesin / Banca: Hélio Leães Hey / Banca: Domingos Sávio Lyrio Simonetti / Banca: José Carlos Rossi / Banca: Falcondes Jose Mendes de Seixas / Resumo: Este trabalho apresenta novos reatores eletrônicos com controle de luminosidade, elevados fatores de potência e elevados rendimentos, aplicados a sistemas de iluminação com múltiplas lâmpadas fluorescentes tubulares. Um novo modelo estático para lâmpadas fluorescentes tubulares que operam em elevadas freqüências é concebido, com o intuito de propiciar condições para a proposição de uma nova metodologia de projeto para filtros ressonantes LCC, empregados nos estágios de saída SPLRI (Series-Parallel Loaded Resonant Inverter) de reatores eletrônicos. Os estágios retificadores dos reatores eletrônicos propostos são baseados em uma nova célula de comutação ZCS (Zero-Current-Switching)-PWM (Pulse-Width-Modulation), a qual proporciona a entrada em condução ZCS e bloqueio ZCZVS (Zero-Current-Zero-Voltage-Switching) para os interruptores ativos. Além disso, os diodos desta célula de comutação entram em condução em ZVS (Zero-Voltage-Switching) e têm seus efeitos de recuperação reversa, que aparecem sobre os interruptores ativos, minimizados. Em função do emprego destas técnicas de comutações não-dissipativas, o rendimento dos estágios de entrada é elevado. O controle dos estágios de entrada para os reatores propostos é desenvolvido através da técnica de controle por valores médios instantâneos de corrente, resultando em estruturas com reduzida taxa de distorção harmônica na corrente de entrada e, consequentemente, elevado fator de potência, atendendo às restrições impostas pela norma IEC 61000-3-2. São apresentadas análises das interferências eletromagnéticas conduzidas, para as estruturas implementadas, projetando-se filtros de entrada para o pleno atendimento às normas de EMC (Electromagnetic Compatibility) EN55011, classe A, grupo 1. Os estágios de saída dos reatores são compostos por clássicos inversores ressonantes ZVS em meia ponte e em ponte completa, sendo controlados através do ... / Doutor

Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-17T19:31:00Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2014-09-25T18:59:18Z : No. of bitstreams: 1 152466.pdf: 3289800 bytes, checksum: 3b727b001899f0f5d4184adaf6dc1ad3 (MD5) / Nesta dissertação o Despacho Hidrotérmico de Curto Prazo na Presença de Transações Bilaterais de Potência (DHCPCT), é formulado como um problema de otimização e resolvido através de um método de Pontos Interiores tipo Primal-Dual. Considerando-se que o mercado de energia siga o modelo pool-bilateral, no modelo são representadas as perdas totais associadas à demanda do pool e a cada transação bilateral. São apresentadas três formas distintas de se operar o sistema: (i) despacho conjunto da potência do pool e dos contratos bilaterais; (ii) despacho com priorização das transações bilaterais e (iii) despacho com priorização da demanda do pool. São analisadas as conseqüências de cada estratégia de operação.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. / Made available in DSpace on 2012-10-16T00:23:30Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T15:26:01Z : No. of bitstreams: 1 262624.pdf: 16761462 bytes, checksum: 818d03a2756ef66cff6035009a5b5987 (MD5)

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Florianópolis, 1989. / Made available in DSpace on 2013-12-05T20:02:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 83274.pdf: 11127020 bytes, checksum: def12c3fb28e7213f0d426cf9a999ffe (MD5) Previous issue date: 1989 / Este trabalho consiste do estudo e realização de um inversor monofásico de tensão e de um sistema de comando para os interruptores com modulação por largura de pulso PWM otimizada à três níveis. A tensão de saída do inversor deve ser constante, independentemente das variações da carga e da tensão de alimentação. A regulação é feita através da escolha apropriada de padrões armazenados em memória EPROM, previamente calculados de modo a otimizar o espectro harmônico da tensão de saída do inversor. Com auxílio de um circuito lógico lê-se os padrões, estabelecendo-se tempos mortos entre as comutações dos interruptores. Cabe ao circuito de regulação e controle a escolha do padrão adequado, através do erro instantâneo resultantes da comparação da tensão na carga com uma tensão senoidal de referência. Apresentam-se estudos dos circuitos de comando isolados dos interruptores, e do filtro necessário para eliminar os harmônicos resultantes na saída do inversor. Realizou-se um protótipo de 300 VA e apresentam-se os principais resultados experimentais.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-20T17:31:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 199272.pdf: 552182 bytes, checksum: a544d6cb611a37d14145c24b14fa691a (MD5) / Este trabalho apresenta análise dos efeitos da saturação da velocidade dos portadores e do campo elétrico transversal na corrente de dreno do transistor MOS, utilizando equacionamento e parâmetros físicos do modelo ACM (Advanced Compact MOSFET). É mostrada a influência da velocidade de saturação em parâmetros essenciais do transistor, como as transcondutâncias de porta e fonte, capacitâncias intrínsecas e freqüência de transição. São feitas comparações entre o modelo da saturação de velocidade utilizado em ACM e por outros autores. Diretrizes de projeto bem como a inclusão dos efeitos de saturação de velocidade numa ferramenta de projeto (MOSVIEW) desenvolvida recentemente para um caso específico de um amplificador de estágio simples são abordadas. Usando MOSVIEW é realizado um projeto de um amplificador para RF com ganho de 20dB, impedância de entrada de 50 W para operação em 2GHz utilizando tecnologia de integração de 100nm. Para comprovação do funcionamento do amplificador foram realizadas simulações computacionais utilizando o programa SMASH.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2004 / Made available in DSpace on 2012-10-22T03:03:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 272843.pdf: 1311139 bytes, checksum: 5279132701c08fd5e1326122e7b055ae (MD5) / Este trabalho tem por objetivo apresentar o estudo e o desenvolvimento de um amplificador de potência comutado classe D para alimentar um atuador piezoelétrico, com aplicação no controle de vibrações acústica em compressores de condicionadores de ar. Atualmente muitos esforços têm sido feitos na tentativa de cancelar vibrações, não só em compressores, assim como em muitos lugares que apresentam estruturas vibratórias, causando desconforto e problemas de saúde para as pessoas. Primeiramente, são apresentadas as principais características do piezoelétrico. Em seguida uma análise das estruturas de potência que podem ser utilizadas na implementação do amplificador. Posteriormente, são abordadas as estratégias de modulações que melhor se encaixem para realização do amplificador alimentando um atuador piezoelétrico. Finalmente, os resultados de simulações e experimentais são apresentados para comprovação do funcionamento do amplificador.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-22T05:48:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 224243.pdf: 5032661 bytes, checksum: 5e4027d65b4d1927554cbc8ac3986494 (MD5)