Orientador: Nadan Mohan Shukla / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:07:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Coelho_AdelinodeAguiar_M.pdf: 1468755 bytes, checksum: 4956dd81291769b215409d7550e276a9 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Marco-Antonio De Paoli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:19:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castilho_MarciaDezotti_M.pdf: 2343783 bytes, checksum: 8b42678f6d974485fdf7a56f195d377d (MD5) Previous issue date: 1989 / Mestrado

Orientador: Jorge Ivan Cisneros / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T11:24:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cantao_MauricioPereira_M.pdf: 3535641 bytes, checksum: 3a424241e2ad8a5c80674e73274aa76a (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: A liga silício-nitrogênio-hidrogênio foi preparada na forma de filmes finos pelo processo de Pulverização Catódica Reativa de Rádio Frequência. A cada deposição mudaram-se as condições de preparo. Visando obter amostras com diferentes composições: a razão entre o conteúdo atômico de nitrogênio e o de sílicio, nos filmes, variou entre 0 e ~2. Através de espectroscopia óptica de transmissão nas faixas do visível-ultravioleta próximo (0,5 a 6,7 eV ) e infravermelho (0,05 a 0,5 eV ) foram determinados o coeficiente de absorção, índice de refração, espessura, gap óptico e densidades de ligações. A partir destas últimas pudemos estimar a composição das amostras e confrontá-las com resultados de fotoemissão. Observamos que o gap óptico aumenta com o conteúdo de nitrogênio; os valores encontrados para o gap variaram entre 1,9 e 5,3 eV. Uma transição brusca semicondutor ® isolante ocorre a uma certa composição, devido a perda de conectividade entre os átomos de sílicio. Com o tratamento térmico verificamos que o hidrogênio evolui das amostras, levando a uma diminuição do gap e contração dos filmes. Dois parâmetros de desordem foram analisados, em função da composição e da temperatura de recozimento. Os parâmetros apresentaram comportamento diverso, revelando que a desordem se manifesta sob diferentes aspectos, no material estudado / Abstract: The silicon-nitrogen-hydrogen amorphous alloy was prepared as thin films by the Reactive Radio-Frequency Sputtering process. The preparation conditions were changed to obtain samples with different compositions: the nitrogen to silicon atomic content radio the films varied between 0 to ~2. By means of optical transmission spectroscopy in visiblenear ultraviolet and infrared ranges we determined the absorption coefficient, reflective index, thickness, optical gap and bond densities. The bond densities allowed us to estimate the composition of the samples, which was compared with photoemission results. It has been observed that the optical gap increases with the nitrogen content; the values for the gap varied between 1.9 and 5.3 eV. An abrupt semiconductor ® insulator transmition takes place at a certain composition, due to the loss of silicon atoms conectivity. We verified that the hydrogen evolution from samples during annealing decreases the optical gap and contracts the films. Two disorder parameters were analysed, as function of compositions and anneling temperature. The parameters showed diverse behaviors, revealing that disorder manifests in different way in this material / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:26:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Constantino_Cesar_D.pdf: 1573780 bytes, checksum: 2f844cbc8dd475b9254a9a7a2902983d (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) que o fazem adequado às aplicações como camada anti-refletora e eletrodo transparente. Os nitretos de silício são obtidos com gap óptico variável entre 1.8 e 2.2 eV e podem ser eficientemente dopados do tipo p, sendo indicados como material "de janela" em estruturas pin. Foram fabricadas células tipo Schottky, utilizando as junções paládio-silício amorfo e óxido de estanho-silício amorfo. A interface Sn02/a-Si:H apresenta reduzida velocidade de recombinação superficial para os portadores foto-gerados, mas uma altura de barreira menor que a estrutura Pd/a-Si:H. Obteve-se uma eficiência de conversão de 0.46% que se acredita estar limitada essencialmente pelas impurezas no material / Abstract: We study tin oxide, hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon nitride thin semiconductor films for photovoltaic applications. Highly conductive and transparent tin oxide films were prepared by the chemical spray method at a temperature as low as 275 ºC. Off stoichiometric silicon nitride intrinsic and boron doped films with variable nitrogen content (Eg = 1.8 - 2.2 eV) were prepared. They can be used as window material in photovoltaic devices. Pd-amorphous silicon and SnO2-amorphous silicon Schottky-type solar cells were made. The SnO2/a-Si:H interface presents a reduced surface recombination velocity and a lower barrier height. A conversion efficiency of 0.46% was obtained for the Pd/a-Si:H structure which appears to be limited by impurities in the material / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Wolney Luiz Stolf / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Odontologia de Piracicaba / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:30:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Comerio_Cibele_M.pdf: 1002647 bytes, checksum: 77981d08ffd6f39a0f13c91bf2ce6ee8 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Estudou-se a propriedade fisica - dureza superficial - de 4 ligas de Ni-Cr para métalo-ceramica, sendo 3 nacionais e uma de fabricação norte-americana. As condições escolhidas para essa análise foram "como recebida" incluiu-se em acrílico a liga como fornecida pelo fabricante, na forma de pastilhas ¿Observação: O resumo, na íntegra poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The purpose of this research was to investigate one mechanical property- Knoop hardness - of 4 metalo - ceramic nickel-chromium alloys, 3 of national and one of USA manufacture. The conditions chosen for this research were "as cast" and "after casting" ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Materiais Dentarios / Mestre em Odontologia

Orientador: Franco Decker / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T18:48:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_JorgeLuisS._M.pdf: 826577 bytes, checksum: d4b56029dc4d394ce6ca337d810f5800 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Não informado / Abstract: In this work the photoelectrochemical behavior of p-type Si in various aqueous solutions is studied. Reduction reaction are analyzed, which are promoted by electrons from the semi-conducting electrode. Dark reactions are distinguished from reactions which occur under illumination. The electrodeposition of a metal layer onto the semiconductor is studied as well. Finally, we show the use of a photoelectrochemical cell with p-Si as electrode for solar energy conversion / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:47:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Monassi_Vitor_M.pdf: 12557613 bytes, checksum: 18995fec957e58618c996595237c62ef (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Este trabalho tem por objetivo estudar o comportamento de cadeias de isoladores de vidro, utilizadas em linhas de transmissão de 138 kV, quando elas apresentam unidades danificadas. Quando um ou mais isoladores danificados passa a integrar a composição de uma cadeia, a suportabilidade dessa cadeia varia com o número de unidades danificadas e com o posicionamento que elas ocupam. O estudo do comportamento dielétrico de uma cadeia com isoladores de vidro com unidades danificadas é de grande interesse prático, pois está associado ao desempenho do sistema elétrico e a execução de manutenções com lina energizada ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: When one or more broken units are present in the insulator string, its voltage strength changes with the location and distribution of broken units in the string. In generaI the broken or damage insuIators may affect the performance of the transmission Iines. On the other hand, it infIuences the Iive Iine maintenance safety conditions. This work studies the dielectric bchavior of the glass insulator strings of 138 kV transmission Iines with broken units under switching and Iightning impulse voltages and industrial frequence (60 Hz) voltage. Brief comments are made on Iive Iine maintenance tools and methods, as welI as some expected overvoltages on transmission Iines. The behavior of the gaps with and without insulator strings in them are also discussed and commented ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Luiz Vasconcellos da Rocha / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Alimentos / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:53:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leitao_AntonioMachado_M.pdf: 2571183 bytes, checksum: 403274234e275b4a081d108c4371245c (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: A pimenta-do-reino (Piper nigrum L.) e um condimento muito apreciado e de grande interesse mundial apresentando boas condições de produção no Brasil especialmente na região norte. É uma planta trepadeira perene que pertence à família Piperaceae, oriunda da Costa do Malabar na Índia, não apresentando na sua literatura maiores informações disponíveis principalmente sobre o produto colhido. No presente trabalho procurou-se estudar algumas Características físicas e mecânicas da pimenta-do-reino preta, variedade Kahluvally, tais como: pesos específicos real e aparente, dimensão e peso de cem grãos, porcentagem de grãos Chochos, classificação por tamanho, umidade de equilíbrio, teor de ácidos graxos fixos, velocidade terminal, perda de carga e angulo de talude. Aos dados obtidos procurou-se sempre aplicar analises matemáticas e estatísticas para melhor caracterização e descrição dos fenômenos. O conteúdo deste trabalho pode oferecer dados de interesse em aplicações práticas para o estudo de operações que vão desde a colheita da matéria-prima ate a sua transformação para consumo como condimento / Abstract: Black pepper (Piper nigrum L.) is a well appreciated condiment exibint good conditions for its production in Brazil, mainly in the Northern region. It is climber perennial vine which belongs to the Piperaceae family origineted from the Malabar Cost, India. The literature does not disclose much information about the quality of the harvested product. The present work attempts to study some physical and mechanical properties of the black pepper, Kalluvaly variety, such as bulk density and specific weight, dimensions and weight of 100 grains, percentage of light grains, classification by size, equilibrium moisture content, non-volatile ether extract content, terminal velocity, pressure drop and angle of repose. It was attempted to apply statistics and mathematical analysis to the data obtained to better characterize the description of the phenomena. The content of this research work can offer data of interest to practical applications to study the operations understood since the harvesting to the final processing as condiments / Mestrado / Mestre em Tecnologia de Alimentos

Orientador: Kamal A. R. Ismail / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:37:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_SinfronioBrito_M.pdf: 2764340 bytes, checksum: 54db451462a3427a60fd08680a2bdd45 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: O estudo proposto neste trabalho está baseado num estudo de parâmetros influentes no processo de gaseificação ascendente ou Contra-Corrente. O gaseificador utilizado foi um prototipo modular. O módulo inferior com diâmetro externo de 50cm e diâmetro interno 42cm devido ao refratário e às paredes duplas para o pré-aquecimento do ar de entrada ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The research subject proposed in this study is based on an examination of the parameters significant for the process of ascendent and counter-current gasification. The gasifier which was utilized was a module prototype. The lower module has an exterior diameter of 50cm and an internal diameter of 42cm, owing to the refractory and to the double walls designed for the heating of the incoming air ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Termica e Fluidos / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Iris C. L. de Torriani / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:15:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fantini_MarciaCarvalhodeAbreu_D.pdf: 7232482 bytes, checksum: 5b52d680c668a52d6e944deb202a161c (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor foram produzidos pelo método convencional de vaporização sobre substrato de vidro Corning 7059. As propriedades óticas elétricas dos filmes foram determinadas como função da temperatura de substrato (200 - 490ºC) e da concentração de dopante na solução básica de vaporização. A transmitância no visível e infravermelho próximo, como também a resistividade elétrica dos filmes decresceu com o aumento da concentração do flúor. As melhores propriedades eletro-óticas (transmitância média de 75% resistividade elétrica de 10-3 Wcm) foram obtidas para 250ºC £ Ts £ 350ºC e concentrações de flúor na solução de vaporização em torno de 2 at.% F: Sn. A textura superficial dos filmes foi investigada por microscopia ótica e eletrônica de varredura. A concentração de flúor nas amostras foi investigada por SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy) and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). A análise por difratometria de raios X mostrou que os filmes depositados com Ts ³ 250ºC são policristalinos. Observou-se uma mudança sistemática das linhas de difração de raios X como função da concentração de flúor. Foram realizados cálculos teóricos dos fatores de estrutura associados à rede do SnO2 introduzindo-se átomos de flúor em posições substitucionais e intersticiais. A presença do dopante não intencional Cl foi também investigada e seu papel nos filmes de SnO2 : F sugerido / Abstract: Thin films of tin dioxide doped with fluorine were produced by the conventional spraying method using 7059 Corning Glass substrates. The electrical and optical properties of these films were determined as a function of the substrate temperature(200 - 450ºC) and dopant concentration in the basic spraying solution. The visible and near infrared transmittance, as well as the electrical resistivity of the films decreased with the increase in fluorine concentration. The best electro-optical properties (an average transmittance of 75% and an electrical resistivity of 10-3 Wcm) were achieved for 250ºC £ Ts £ 350ºC and fluorine concentration in the spraying solution of around 2 at.% F:Sn. The films surface texture was investigated by scanning electron microscopy and optical microscopy. Fluorine content of the samples was investigated. by SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). The x-ray diffractometric analyses showed that the films deposited at Ts ³ 250ºC are polycrystalline. A systematic chance in the intensity of the diffraction lines as a function of the fluorine content was observed. Theoretical calculations of the structure associated to the SnO2 lattice introducing fluorine atoms in substitutional and interstitial positions were performed. The presence of the non intentional dopant Cl was also investigated and its role in SnO2: F films suggested. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências