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N-HYDROXYLAMINES PYRROLIQUES : PRECURSEURS DE BIS(PYRROLYL)ALCANES NON SYMETRIQUES ET DE a-N-HYDROXYAMINO ESTERSTsogo Onana (murat), Marie Laure 05 November 2010 (has links) (PDF)
Le pyrrole est un hétérocycle souvent présent dans les produits naturels et les composés biologiquement actifs. Son étude intensive en synthèse organique est donc d'un grand intérêt. Ainsi, la première réaction acido-catalysée de pyrroles sur des nitrones, reportée par notre équipe, a conduit selon les conditions expérimentales employées, soit aux 2,2-bis(pyrrolyl)alcanes symétriques, soit aux N-benzylhydroxylamines pyrroliques de façon sélective. Les N-hydroxylamines pyrroliques sont des composés intéressants et ont été le point de départ des deux études méthodologiques développées dans ce manuscrit. Les bis(pyrrolyl)alcanes non symétriques ont pu être synthétisés efficacement et avec une bonne diversité, en une étape, par réaction entre des N-hydroxylamines pyrroliques et des pyrroles. La méthode a aussi permis la préparation de ter(pyrrolyl)alcanes symétriques et non symétriques. Une application de cette méthodologie a été la préparation de marqueurs de fluorescence F-Bodipy® non symétriques. Ces derniers ont été obtenus pour la première fois et avec de bons rendements, directement à partir de 2,2'-bis(pyrrolyl)alcanes non symétriques. De plus, un F-Bodipy® présentant une chiralité axiale a pu être synthétisé. Nous avons également étudié l'accès aux acides a-N-hydroxyaminés, analogues N-hydroxylés des acides a-aminés. Une réaction hautement diastéréosélective entre le pyrrole et une nitrone cyclique chirale a donné accès à une hydroxylamine pyrrolique. Une séquence en trois étapes a permis d'obtenir un a-N-hydroxyamino ester avec un bon rendement et un bon excès énantiomère de 80%. La méthode a ensuite été appliquée à d'autres hétéroaromatiques pyrroliques, indoliques et furaniques. Aucun acide a-N-hydroxaminé comportant l'un de ces hétérocycles n'était décrit précédemment dans la littérature. Les rendements globaux obtenus sont bons (36-62%) et les excès énantiomères peuvent atteindre des valeurs ≥ 98%.
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Late First-Row Transition Metals in Weak Ligand Fields - Correlating High-Spin Electronic Structure and ReactivitySazama, Graham Thomas 16 September 2013 (has links)
High spin has been shown to be necessary for optimal reactivity of transition metal complexes toward the activation and functionalization of C-H bonds. This thesis presents our examination of the weak-field, tripodal, trianionic tris(pyrrolyl)ethane (tpe) ligand and its complexes. Outer-sphere oxidation of the manganese, iron, cobalt, nickel and zinc complexes of tpe were performed by electrochemical and chemical methods. Electrochemical oxidation occurred at the same potential for each species, suggesting a ligand-based oxidation. The reaction product of chemical oxidation of iron showed oxidation of a pyrrole unit followed by H-atom abstraction to form a dichelated species. Density functional theory calculations confirm these results, and in silico oxidation of the complexes is entirely ligand-based. These results establish that tpe complexes are oxidized at the pyrrolide subunits in outersphere electron transfers, and elucidate minimal metal-ligand electronic communication. The more reactive \([(tpe)Fe(THF)]^−\) anion exhibits rapid binding of three equivalents of tert-butyl isonitrile, while reaction with excess carbon monoxide induces ligand fragmentation to form a species wherein two molecules of carbon monoxide have been reductively coupled. A mechanism based on the observed isonitrile species is proposed. The use of inner-sphere oxidant reagents allows for several stable iron (III) complexes of tpe to be isolated and characterized. Alkyl peroxides and alkyl disulfides, organic azides, and diphenyldiazomethane are all shown to oxidize iron by a single electron. Reaction with organic azides results in the formation of iron (III) amide species, likely as a result of Hatom abstraction. The weak-field of tpe creates a high propensity for forming high-spin iron (III) complexes, to the extent that diphenyldiazoalkane acts as a redox-active ligand and provides a one-electron reservoir to reveal a high-spin \(Fe^{3+}\). Spectroscopic and computational studies were undertaken to rigorously assign the physical oxidation state of iron in all cases. Given the outer-sphere redox liability of the tpe ligand, and the capability for inner-sphere oxidation local to iron, tpe complexes of iron represent a new class of metal-ligand redox activity, wherein the metal and ligand form two separate redox reservoirs, accessible via different mechanisms. / Chemistry and Chemical Biology
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Atividades antibacteriana e citotóxica de um complexo de Au(III) contendo ligante pirrolil-imina / Antibacterial and cytotoxic activities of a Au(III) complex with pyrrolyl-imine ligandProfirio, Daniel de Moraes, 1989- 25 August 2018 (has links)
Orientador: André Luiz Barboza Formiga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Química / Made available in DSpace on 2018-08-25T06:44:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Profirio_DanieldeMoraes_M.pdf: 7198649 bytes, checksum: 018efc71d59b6427976118e0cc5f772a (MD5)
Previous issue date: 2014 / Resumo: Neste trabalho realizou-se a síntese de três ligantes contendo a unidade pirrolil-imina e de um complexo de Au(III). Os ligantes foram sintetizados partindo-se do pirrol-2-carboxaldeído e etilenodiamina ou orto-fenilenodiamina, obtendo-se assim o N,N'-bis(pirrol-2-il-metileno) etano-1,2-diamina (pyren), o N,N'-bis(pirrol-2-il-metileno)benzeno-1,2-diamina (bis-pyrophen), o N-(pirrol-2-il-metileno)benzeno-1,2-diamina (monopyrophen) e o complexo [Au(pyren)]PF6 como produtos. Os compostos foram caracterizados por análise elementar, MS, espectroscopia no IV e UV-Visível, RMN de H, C e HMBC H-N, cálculos teóricos por DFT e TD-DFT. Foram realizados também ensaios antibacterianos e citotóxicos com o complexo [Au(pyren)] e com o ligante pyren, sendo que o complexo apresentou maior atividade em ambos os ensaios comparado ao ligante. Com isso um mecanismo de ação via interação com o DNA foi investigado por estudos de fluorescência, ensaios de competição com brometo de etídio e espectroscopia de dicroísmo circular, revelando que o DNA é um possível alvo biológico do complexo / Abstract: In this work the syntheses of three ligands containing the pyrrolyl-imine unit and a Au(III) complex were performed. The ligands were synthesized starting from pyrrole-2-carboxaldehyde and ethylenediamine or ortho-phenylenediamine, to obtain N,N¿-bis (pyrrol-2-yl-methylene)ethane- 1,2-diamine (pyren), N,N¿-bis(pyrrol-2-yl-methylene)benzene-1,2-diamine (bis-pyrophen), N-(pyrrol-2-yl-methylene)benzene-1,2-diamine (mono-pyrophen) and the complex [Au(pyren)]PF6 as products. The compounds were characterized by elemental analysis, MS, IR, UV-Visible, H, C and (H-N) HMBC NMR spectroscopies and theoretical calculations by DFT and TD-DFT. Cytotoxic and antibacterial assays with [Au(pyren)] and the free ligand pyren were performed, and the complex showed a higher activity in both cases in comparison to the ligand. A mechanism of action via interaction with DNA was investigated by fluorescence techniques, competition studies with ethidium bromide and circular dichroism spectroscopy, showing that DNA is a potential biological target for the complex / Mestrado / Quimica Inorganica / Mestre em Química
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Entwicklung und Charakterisierung eines Prozesses zur thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium mit in-situ Messtechnik / Development and characterisation for a thermal activated atomic layer deposition process of ruthenium via in-situ measurement techniquesJunige, Marcel 11 March 2011 (has links) (PDF)
Ruthenium und sein elektrisch leitfähiges Rutheniumdioxid sind viel versprechende Kandidaten als Elektrodenmaterial in MIM (Metall-Isolator-Metall-)Kondensatoren mit Dielektrika hoher Permittivität der nächsten Generation von DRAM-Speichern, als Metall-Gate-Elektroden in p-Kanal-MOS-Transistoren mit Dielektrika hoher Permittivität, oder als Keimschicht für das direkte elektrochemische Abscheiden von Kupfer-Verbindungsleitungen.
Die ALD (Atomic Layer Deposition) wächst Materiallagen mit weniger als einem Zehntel Nanometer Dicke, indem sie gasförmige Reaktanden abwechselnd, getrennt durch spülende Pulse, in die Reaktionskammer einleitet. Dadurch wird mit jeder zyklischen Wiederholung idealerweise selbstbeendender Gas-Festkörper-Reaktionen stets die gleiche Materialmenge abgeschieden, bis eine gewünschte Schichtdicke erreicht ist.
Wie sich die Oberfläche aufgrund der Materialabscheidung während der ALD verändert, kann mit der in-situ SE (Spektroskopische Ellipsometrie) beobachtet werden. Die Ellipsometrie misst die Änderung eines Polarisationszustands bzgl. Amplitude und Phase, nachdem ein einfallender Lichtstrahl von einer (schichtbedeckten) Oberfläche reflektiert und/ oder durch diese transmittiert wurde. Die ellipsometrischen Daten stehen im direkten Zusammenhang mit optischen Materialparametern und sind somit physikalisch interpretierbar – oder sie werden in eindimensionale strukturelle Größen, wie die Schichtdicke übersetzt.
In dieser Arbeit wurden Schichten aus Ruthenium und Rutheniumdioxid aus dem Präkursor ECPR, [(Ethylcyclopentadienyl)(Pyrrolyl)Ruthenium(II)], und molekularem Sauerstoff per ALD gewachsen. Die chemischen Teilreaktionen wurden während der ALD von Ruthenium und Rutheniumoxid auf frisch abgeschiedenen Schichtoberflächen per in-situ SE, on-site QMS (Quadrupol-Massenspektrometrie) und XPS (Röntgen-Photoelektronenspektroskopie) ohne Vakuumunterbrechung untersucht. Weiterhin wurden Experimente zum Schichtwachstum auf frisch abgeschiedenen Schichten sowie einer Ausgangssubstratoberfläche per in-situ und Echtzeit SE durchgeführt, wobei die folgenden Prozessparameter variiert wurden: die jeweilige Reaktanden Dosis, die Spülpulsdauern, die Substrattemperatur und der Prozessdruck. / Ruthenium and its conductive dioxide are promising candidates as electrodes in MIM (metal-insulator-metal) capacitors with high-k dielectrics of next generation DRAM (dynamic random access memory) devices, as metal-gate electrodes in pMOS-Transistors with high-k dielectrics, and as seed layer for direct electrochemical plating of copper interconnects.
ALD (atomic layer deposition) grows material layers with less than a tenth of a nanometer thickness, pulsing gaseous reactants alternately into the reaction chamber, separated by purging pulses. Hence, every cyclic recurrence of ideally self-limiting gas-solid reactions deposits a fixed material amount, until the desired film thickness is achieved.
So, the surface’s chemical composition changes through material deposition during ALD, observable by in-situ SE (spectroscopic ellipsometry). Ellipsometry measures the polarization state’s change in amplitude and phase, reflecting an incident light beam from and/ or transmitting it through a (film covered) surface. The ellipsometric data can be directly related to optical material parameters and are thus physically interpretable – or they are translated into one-dimensional structural values, like film thickness.
In this work, ruthenium and ruthenium dioxide films were grown from ECPR, [(ethylcyclopentadienyl)(pyrrolyl)ruthenium(II)], and molecular oxygen. Reaction mechanisms during the ALD of ruthenium and ruthenium dioxide were studied on the as-deposited film surface by in-situ SE, on-site QMS (quadrupole mass spectrometry), as well as XPS (x-ray photoelectron spectroscopy) without vacuum break. Additionally, film growth experiments were performed on the as-deposited film and the initial substrate surface by in-situ and real-time SE, varying the process parameters: reactant doses, purging times, substrate temperature and total pressure.
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Entwicklung und Charakterisierung eines Prozesses zur thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium mit in-situ MesstechnikJunige, Marcel 27 January 2011 (has links)
Ruthenium und sein elektrisch leitfähiges Rutheniumdioxid sind viel versprechende Kandidaten als Elektrodenmaterial in MIM (Metall-Isolator-Metall-)Kondensatoren mit Dielektrika hoher Permittivität der nächsten Generation von DRAM-Speichern, als Metall-Gate-Elektroden in p-Kanal-MOS-Transistoren mit Dielektrika hoher Permittivität, oder als Keimschicht für das direkte elektrochemische Abscheiden von Kupfer-Verbindungsleitungen.
Die ALD (Atomic Layer Deposition) wächst Materiallagen mit weniger als einem Zehntel Nanometer Dicke, indem sie gasförmige Reaktanden abwechselnd, getrennt durch spülende Pulse, in die Reaktionskammer einleitet. Dadurch wird mit jeder zyklischen Wiederholung idealerweise selbstbeendender Gas-Festkörper-Reaktionen stets die gleiche Materialmenge abgeschieden, bis eine gewünschte Schichtdicke erreicht ist.
Wie sich die Oberfläche aufgrund der Materialabscheidung während der ALD verändert, kann mit der in-situ SE (Spektroskopische Ellipsometrie) beobachtet werden. Die Ellipsometrie misst die Änderung eines Polarisationszustands bzgl. Amplitude und Phase, nachdem ein einfallender Lichtstrahl von einer (schichtbedeckten) Oberfläche reflektiert und/ oder durch diese transmittiert wurde. Die ellipsometrischen Daten stehen im direkten Zusammenhang mit optischen Materialparametern und sind somit physikalisch interpretierbar – oder sie werden in eindimensionale strukturelle Größen, wie die Schichtdicke übersetzt.
In dieser Arbeit wurden Schichten aus Ruthenium und Rutheniumdioxid aus dem Präkursor ECPR, [(Ethylcyclopentadienyl)(Pyrrolyl)Ruthenium(II)], und molekularem Sauerstoff per ALD gewachsen. Die chemischen Teilreaktionen wurden während der ALD von Ruthenium und Rutheniumoxid auf frisch abgeschiedenen Schichtoberflächen per in-situ SE, on-site QMS (Quadrupol-Massenspektrometrie) und XPS (Röntgen-Photoelektronenspektroskopie) ohne Vakuumunterbrechung untersucht. Weiterhin wurden Experimente zum Schichtwachstum auf frisch abgeschiedenen Schichten sowie einer Ausgangssubstratoberfläche per in-situ und Echtzeit SE durchgeführt, wobei die folgenden Prozessparameter variiert wurden: die jeweilige Reaktanden Dosis, die Spülpulsdauern, die Substrattemperatur und der Prozessdruck.:1 Einleitung
I Theoretischer Teil
2 Ruthenium in der Mikroelektronik
2.1 Eigenschaften
2.2 Verwendung
3 Atomlagenabscheidung
3.1 Definition
3.2 Ablauf
3.3 Hauptmerkmale
3.4 Weit verbreitete Irrtümer
3.5 Vorteile und Grenzen
4 Massenspektrometrie
4.1 Definition
4.2 Verwendung
4.3 Aufbau und Funktionsweise von Massenspektrometern
4.4 Massenspektrometrische Methodik
5 Ellipsometrie
5.1 Definition
5.2 Vorteile und Grenzen
5.3 Physikalische Grundlagen
5.4 Messprinzip
5.4.1 Bestimmen ellipsometrischer Rohdaten
5.4.2 Interpretieren ellipsometrischer Spektren
5.4.3 Optisches Modellieren
II Praktischer Teil
6 Chemische Reaktionen bei der thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium und Rutheniumoxid
6.1 Vorbemerkungen
6.2 Untersuchungsmethoden
6.3 Beobachtungen mit Auswertung
6.3.1 Prozessgasanalyse per Quadrupol-Massenspektrometrie
6.3.2 In-situ und Echtzeit Spektroskopische Ellipsometrie
6.3.3 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie ohne Vakuumunterbrechung
6.4 Formulieren vermuteter Teilreaktionen für das Ru Schicht-auf-Schicht Wachstum
6.4.1 Sauerstoff-Puls
6.4.2 Präkursor (ECPR)-Puls
6.4.3 ALD-Zyklus
6.5 Schlussfolgerungen für die ALD von Rutheniumoxid
6.6 Zwischenfazit und Ausblick
7 Spektroskopische Ellipsometrie in-situ und in Echtzeit während der thermischen Atomlagenabscheidung
7.1 Vorbemerkungen
7.2 Datenaufnahme
7.2.1 Messtechnische Eckdaten
7.2.2 Echtzeit-Begriff bei der Atomlagenabscheidung
7.2.3 Nasschemisches Vorbehandeln zum Zwecke definierter Ausgangssubstrate
7.2.4 Temperieren der Substrate
7.3 Interpretieren ellipsometrischer Spektren
7.4 Optisches Modellieren zur Datenauswertung
7.5 Fehlerabschätzung
8 Prozessentwicklung der thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium
8.1 Vorbemerkungen
8.2 Untersuchungsmethoden
8.2.1 Schichtherstellung
8.2.2 Schichtcharakterisierung
8.3 Kennlinien der thermischen Ru-ALD
8.3.1 Zyklenanzahl
8.3.2 ECPR-Puls
8.3.3 Sauerstoff-Puls
8.3.4 Spülpulse
8.3.5 Substrattemperatur
8.3.6 Prozessdruck
8.4 Formulieren einer optimierten ALD-Prozesssequenz
8.5 Schichteigenschaften
9 Zusammenfassung und Ausblick
III Anhang
A Theoretische Grundlagen verwendeter Messtechnik
B Parametereinflüsse im monomolekularen Wachstumsmodell
C Weitere Abbildungen / Ruthenium and its conductive dioxide are promising candidates as electrodes in MIM (metal-insulator-metal) capacitors with high-k dielectrics of next generation DRAM (dynamic random access memory) devices, as metal-gate electrodes in pMOS-Transistors with high-k dielectrics, and as seed layer for direct electrochemical plating of copper interconnects.
ALD (atomic layer deposition) grows material layers with less than a tenth of a nanometer thickness, pulsing gaseous reactants alternately into the reaction chamber, separated by purging pulses. Hence, every cyclic recurrence of ideally self-limiting gas-solid reactions deposits a fixed material amount, until the desired film thickness is achieved.
So, the surface’s chemical composition changes through material deposition during ALD, observable by in-situ SE (spectroscopic ellipsometry). Ellipsometry measures the polarization state’s change in amplitude and phase, reflecting an incident light beam from and/ or transmitting it through a (film covered) surface. The ellipsometric data can be directly related to optical material parameters and are thus physically interpretable – or they are translated into one-dimensional structural values, like film thickness.
In this work, ruthenium and ruthenium dioxide films were grown from ECPR, [(ethylcyclopentadienyl)(pyrrolyl)ruthenium(II)], and molecular oxygen. Reaction mechanisms during the ALD of ruthenium and ruthenium dioxide were studied on the as-deposited film surface by in-situ SE, on-site QMS (quadrupole mass spectrometry), as well as XPS (x-ray photoelectron spectroscopy) without vacuum break. Additionally, film growth experiments were performed on the as-deposited film and the initial substrate surface by in-situ and real-time SE, varying the process parameters: reactant doses, purging times, substrate temperature and total pressure.:1 Einleitung
I Theoretischer Teil
2 Ruthenium in der Mikroelektronik
2.1 Eigenschaften
2.2 Verwendung
3 Atomlagenabscheidung
3.1 Definition
3.2 Ablauf
3.3 Hauptmerkmale
3.4 Weit verbreitete Irrtümer
3.5 Vorteile und Grenzen
4 Massenspektrometrie
4.1 Definition
4.2 Verwendung
4.3 Aufbau und Funktionsweise von Massenspektrometern
4.4 Massenspektrometrische Methodik
5 Ellipsometrie
5.1 Definition
5.2 Vorteile und Grenzen
5.3 Physikalische Grundlagen
5.4 Messprinzip
5.4.1 Bestimmen ellipsometrischer Rohdaten
5.4.2 Interpretieren ellipsometrischer Spektren
5.4.3 Optisches Modellieren
II Praktischer Teil
6 Chemische Reaktionen bei der thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium und Rutheniumoxid
6.1 Vorbemerkungen
6.2 Untersuchungsmethoden
6.3 Beobachtungen mit Auswertung
6.3.1 Prozessgasanalyse per Quadrupol-Massenspektrometrie
6.3.2 In-situ und Echtzeit Spektroskopische Ellipsometrie
6.3.3 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie ohne Vakuumunterbrechung
6.4 Formulieren vermuteter Teilreaktionen für das Ru Schicht-auf-Schicht Wachstum
6.4.1 Sauerstoff-Puls
6.4.2 Präkursor (ECPR)-Puls
6.4.3 ALD-Zyklus
6.5 Schlussfolgerungen für die ALD von Rutheniumoxid
6.6 Zwischenfazit und Ausblick
7 Spektroskopische Ellipsometrie in-situ und in Echtzeit während der thermischen Atomlagenabscheidung
7.1 Vorbemerkungen
7.2 Datenaufnahme
7.2.1 Messtechnische Eckdaten
7.2.2 Echtzeit-Begriff bei der Atomlagenabscheidung
7.2.3 Nasschemisches Vorbehandeln zum Zwecke definierter Ausgangssubstrate
7.2.4 Temperieren der Substrate
7.3 Interpretieren ellipsometrischer Spektren
7.4 Optisches Modellieren zur Datenauswertung
7.5 Fehlerabschätzung
8 Prozessentwicklung der thermischen Atomlagenabscheidung von Ruthenium
8.1 Vorbemerkungen
8.2 Untersuchungsmethoden
8.2.1 Schichtherstellung
8.2.2 Schichtcharakterisierung
8.3 Kennlinien der thermischen Ru-ALD
8.3.1 Zyklenanzahl
8.3.2 ECPR-Puls
8.3.3 Sauerstoff-Puls
8.3.4 Spülpulse
8.3.5 Substrattemperatur
8.3.6 Prozessdruck
8.4 Formulieren einer optimierten ALD-Prozesssequenz
8.5 Schichteigenschaften
9 Zusammenfassung und Ausblick
III Anhang
A Theoretische Grundlagen verwendeter Messtechnik
B Parametereinflüsse im monomolekularen Wachstumsmodell
C Weitere Abbildungen
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