There are many potential areas for the utilization of GaN-based nitride materials, including ultraviolet photodetectors. Ultraviolet photodetectors are used in the military for missile plume detection and space communications. Medically, ultraviolet photodiodes are used in monitoring skin cancer. Schottky barrier metal-semiconductor contacts are choice devices for the manufacture of ultraviolet photodiodes due to higher short wavelength sensitivity and fast response. They also require simple fabrication technology; suffer lower breakdown voltages, and record larger leakage currents at lower voltages as compared to p-n structures of the same semiconductor material. Thus the formation of a Schottky contact with high barrier height, low leakage current, and good thermal stability in order to withstand high temperature processing and operation are some of the most important factors in improving the performance of Schottky barrier photodiodes to be used for ultraviolet detection. The first stage of this study was to establish a chemical cleaning and etching technique. It was found that KOH was suitable in reducing C from the surface and that (NH4)2S further reduced the surface oxides. The next phase of the work was to select a metal that will allow UV light to pass through at a high transmission percentage: a combination of annealed Ni/Au was found to be ideal. The transmission percentage of this alloy was found to be above 80%. The next phase was the fabrication of Ni/Au Schottky barrier diodes on GaN to study the electrical characteristics of the diodes. Electrical characterization of the diodes showed that the dominant current transport mechanism was thermionic emission, masked by the effects of series resistance, which resulted from the condition of the GaN surface. Finally, we fabricated GaN UV photodiodes and characterized them in the optoelectronic station designed and produced during this research. Device responsivity as high as 31.8 mA/W for GaN and 3.8 mA/W for AlGaN were recorded. The calculated quantum efficiencies of the photodiodes were 11 % for GaN and 1.7 % for AlGaN respectively. / Thesis (PhD)--University of Pretoria, 2010. / Physics / unrestricted

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(理学) / 甲第18070号 / 理博第3948号 / 新制||理||1569(附属図書館) / 30928 / 京都大学大学院理学研究科物理学・宇宙物理学専攻 / (主査)教授 佐々木 節, 教授 田中 貴浩, 教授 畑 浩之 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Science / Kyoto University / DGAM

Les amplificateurs paramétriques Josephson (JPA) se sont révélés être un outil indispensablepour l’étude expérimentale de dispositifs quantiques dans le régime micro-onde ; car ilsrajoutent uniquement le minimum de bruit imposé par la mécanique quantique[1]. Cependant,ces amplificateurs sont beaucoup plus difficiles à utiliser et optimiser que leurs homologuesclassiques. Récemment, plusieurs expériences réalisées avec des circuits supraconducteurs,composés d’une jonction Josephson polarisée en tension en série avec un résonateur microonde,ont montré qu’une paire de Cooper peut traverser la barrière de la jonction par effettunnel en émettant un ou plusieurs photons avec une énergie totale de 2e fois la tensionappliquée. Dans cette thèse, nous montrerons qu’un tel circuit permet de mettre en place unamplificateur micro-onde préservant la phase que nous appelons « Amplificateur basé sur letunneling inélastique de paires de Cooper » (ICTA). Il est alimenté par une tension continueet peut fonctionner avec un bruit très proche de la limite quantique.Nous commencerons en présentant le principe du fonctionnement de l’ICTA. Par analogieavec la théorie quantique des JPAs[2], nous avons étudié les performances de cet amplificateurcomme le gain, la bande passante et le bruit. Ensuite, nous présenterons la premièrepreuve expérimentale d’une amplification proche de la limite quantique sans utilisation d’unepompe micro-onde externe, mais simplement d’une tension continue dans une configurationextrêmement simple. Ces mesures ont été faites sur des échantillons avec des jonctionsen aluminium, dénommés ICTA de première génération. Selon nos résultats théoriques etexpérimentaux, nous avons conçu des circuits hyperfréquences où l’impédance présentéeà la jonction dépend de fréquences spécifiques afin d’optimiser les performances de notreamplificateur. Ces échantillons, dénommés ICTA de seconde génération, ont été fabriquésavec du nitrure de niobium. Une amélioration significative du gain et du bruit a été prouvée.Un tel amplificateur, alimenté par une simple tension continue, pourrait rendre la mesurede signaux micro-ondes au niveau du photon unique beaucoup plus faciles et permettred’intégrer plusieurs amplificateurs sur une seule puce. Il pourrait donc être un élémentimportant pour la lecture de qubit dans les processeurs quantiques à grande échelle. / Josephson parametric amplifiers (JPA), have proven to be an indispensable tool for awide range of experiments on quantum devices in the microwave frequency regime, becausethey provide the lowest possible noise. However, JPAs remain much more difficult to use andoptimize than conventional microwave amplifiers. Recent experiments with superconductingcircuits consisting of a DC voltage-biased Josephson junction in series with a resonator,showed that a tunneling Cooper pair can emit one or several photons with a total energyof 2e times the applied voltage. In this thesis we show that such q circuit can be used toimplement a new type of phase preserving microwave amplifier, which we call InelasticCooper pair Tunneling Amplifier (ICTA). It is powered by a simple DC bias and offers nearquantum-limited noise performance.We start this work by presenting a brief and simple picture of the basic ICTA operatingprinciples. In analogy with the quantum theory of JPAs, we calculate the performances ofthis amplifier such as the gain, bandwidth and noise. Then, we present the first experimentalproof that amplification close to the quantum limit is possible without microwave drive inan extremely simple setup. These measurements are made on a first generation of samplesbased on aluminium junctions. According to our theoretical and experimental results, wehave designed microwave circuits presenting specific frequency-dependent impedances tothe junction in order to optimize the performances of our amplifier. This second generationof ICTA samples is fabricated from niobium nitride and provide significantly lower noiseand higher gain.We expect that once fully optimized, such an amplifier, powered by simple DC voltagescould then make measuring microwave signals at the single photon level much easier andallow to deploy many amplifiers on a chip. It could therefore be an important ingredient forqubit readout in large-scale quantum processors.