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[en] DETECTING INFRARED RADIATION WITH QWIPS BEYOND THE BANDOFFSET LIMIT / [pt] DETECÇÃO DE RADIAÇÃO INFRAVERMELHO COM QWIPS ALÉM DO LIMITE DO BANDOFFSETLESSLIE KATHERINE GUERRA JORQUERA 11 October 2016 (has links)
[pt] Os semicondutores III-V são amplamente investigados para a fabricação de
fotodetectores de infravermelho baseados em pontos quânticos (QWIPs);
no entanto, o comprimento de onda de operação é limitada pelo bandoffset
dos materiais que permitem transições de infravermelho de comprimento
de onda maior que 3,1 um. Para comprimentos de onda mais curto do que
1,7 um transições banda a banda são facilmente empregadas. Assim, em
QWIPs III-V, o intervalo entre 1,7 e 3,1 um não pode ser alcançado tanto
por transições banda-banda ou por transições intrabanda. Nesta tese uma
estrutura de superrede especialmente desenhada é proposta a fim de detectar
a radiação dentro desta faixa proibida. A estrutura proposta consiste numa
superrede com um poço quântico central mais amplo, o qual gera uma
modulação no contínuo criando minibandas e minigaps para energias acima
da parte inferior da banda de condução do poço quântico, incluindo no
contínuo. Com esta abordagem, a limitação de ter estados ligados apenas
com energias abaixo a barreira não se mantém e é possível detectar energias
mais elevadas do que o limite imposto pelo bandoffset dos materiais.
Simulações teóricas para a estrutura foram realizados e medidas de absorção,
corrente de escuro, e fotocorrente foram realizadas mostrando picos em 2,1
um, em estreita concordância com o valor teoricamente esperado. / [en] III-V semiconductors are extensively investigated for fabrication of
quantum well infrared photodetectors (QWIPs); however the operation
wavelength is limited by the bandoffset of the materials allowing infrared
transitions for wavelength larger than 3.1 um. For wavelength shorter than
1.7 um band to band transitions are easily employed. Thus, in III-V QWIPs,
the range between 1.7 and 3.1 um cannot be reached either by band-to-band
or by intraband transitions. In this thesis a specially designed superlattice
structure is proposed in order to detect radiation within this forbidden
range. The structure proposed consists of a superlattice with a wider central
quantum well, which generates a modulation in the continuum creating
minibands and minigaps for energies above the bottom of the conduction
band of the quantum well, including in the continuum. With this approach
the limitation of having bound states only with energies below the barrier
no longer holds and it is possible to detect energies higher than the limit
imposed by the bandoffset of the materials. Theoretical simulations for the
structure were performed and absorption, dark current, and photocurrent
measurements were carried out showing peaks at 2.1 um, in close agreement
with the theoretically expected value.
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[pt] FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO BASEADOS EM SUPERREDES ASSIMÉTRICAS COM ESTADOS VAZANTES NO CONTÍNUO / [en] INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON ASYMMETRIC SUPERLATTICES WITH LEAKY STATES IN THE CONTINUUMPEDRO HENRIQUE PEREIRA 12 May 2020 (has links)
[pt] Nesta tese, apresento uma investigação teórica e experimental das
propriedades eletro-ópticas de um fotodetector baseado em uma superrede
assimétrica InGaAs/InAlAs com um defeito estrutural. Essa heteroestrutura
apresenta duas importantes características: estados parcialmente localizados
no contínuo, chamados de estados eletrônicos vazantes, e um aumento
virtual do band offset na banda de condução. Devido à assimetria da
superrede, a função de onda do estado eletrônico vazante é localizada numa
direção e estendida na outra. Em consequência dessas características, o
fotodetector apresenta modo dual de operação, fotocondutivo e fotovoltaico,
e temperatura de operação ambiente. O modo fotovoltaico foi alcançado
devido à direção preferencial de escape do fluxo de elétrons excitados para
os estados eletrônicos vazantes no contínuo. A temperatura de operação
elevada ocorre devido à diminuição da corrente de escuro térmica causada
pelo aumento virtual do band offset. No modo fotovoltaico, o espectro de
fotocorrente apresenta dois picos estreitos de energias em 300 meV e em
torno 440 meV, sendo eles relacionados às transições ópticas do estado
fundamental para o primeiro e o segundo estado vazante no contínuo,
respectivamente. Para o modo fotocondutivo, a largura de linha do espectro
de fotocorrente é fortemente dependente da direção do bias de voltagem
aplicado. Para o bias positivo, o espectro de fotocorrente apresenta um
pico em 300 meV e um ombro de energia em torno de 260 meV. Para o
bias negativo, o espectro de fotocorrente mostra uma banda larga com dois
picos em 300 meV e 260 meV. Esse comportamento está relacionado com a
população dos estados na minibanda em função da direção do bias aplicado.
As figuras de mérito do fotodetector, em ambos os modos de operação,
apresentam resultados similares aos melhores fotodetectores encontrados
na literatura. / [en] In this thesis, I present a theoretical and experimental investigation of the electro-optical properties of a photodetector based on an InGaAs/InAlAs asymmetric superlattice with a structural defect. This heterostructure has two important characteristics: partially localized states in
the continuum, called by leaky electronic states, and a virtual increase in
conduction band offset. Due to the asymmetry of the superlattice, the wavefunction of the leaky electronic state is located in one direction and extended
in another one. As a result of these features, the photodetector presents a
dual-mode operation, photoconductive and photovoltaic modes, and room
temperature operating. The photovoltaic mode has reached due to the preferential direction for the flow of excited electrons in the leaky electronic
state in the continuum. The high operating temperature occurs because of
the decrease in thermal dark current due to the virtual increase of band
offset. In photovoltaic mode, the photocurrent spectrum has two narrow
energy peaks at 300 meV and around 440 meV, which are related to optical
transitions from the ground state to the first and the second leaky electronic
states, respectively. For photoconductive mode, the line width of the photocurrent spectrum is strongly dependent on the direction of the applied
voltage bias. For the positive bias, the photocurrent spectrum has a peak
at 300 meV and a power shoulder around 260 meV. For the negative bias,
the photocurrent spectrum shows broadband with two peaks at 300 meV
and 260 meV. This behavior is related to the population of the mini band
states as a function of the applied bias direction. The figure of merits of the
photodetector, in both operation modes, present results similar to the best
photodetectors found in the literature.
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Contribuições á física das propriedades eletrônicas das heteroestruturas semicondutoras / Contributions to the physics of the electronic properties of the semiconductor heterostructuresSilva, Erasmo Assumpção de Andrada e 13 December 1990 (has links)
Esta tese compõe-se de contribuições à física das propriedades eletrônicas das heteroestruturas semicondutoras. São investigadas propriedades eletrônicas das duas heteroestruturas básicas: o poço quântico e a super-rede. Considera-se o poço quântico dopado com impurezas rasas e estudam-se as suas propriedades eletrônicas nos regimes de poço fraca e altamente dopado. No caso de baixa densidade de impurezas é feita uma simulação Monte Carlo. É utilizado um modelo semi-clássico de band de impureza. A interação elétron-elétron é incluída de forma exata e são calculadas as seguintes propriedades do estado fundamental à temperatura zero: densidade de estados de uma partícula, distribuição de carga, energia de Fermi e distribuição do campo elétrico sobre os doadores neutros, todas em função do grau de compensação, da densidade de impurezas e da largura do poço. É observada uma. grande dependência com a compensação. Os resultados são explicados à luz da competição entre os efeitos de desordem e confinamento. É observada a ocorrência de Coulomb Gap característico de sistemas bidimensionais. Mostra-se que a. distribuição de carga possui largura e constante de decaimento determinados independentemente pela compensação e pela concentração de impurezas, respectivamente. Tais resultados são importantes para a caracterização de poços quânticos puros. No limite altamente dopado parte-se de um modelo light-binding desordenado e calculase a densidade de estados de uma partícula formada devido ao overlapping entre os estados localizados; utiliza-se o método de Matsubara e Toyosawa. para a obtenção da média sobre configurações. Discutem-se os efeitos da desordem diagonal introduzida pelo potencial de confinamento os quais são comparados com os da. desordem não-diagonal. São apresentados resultados para a densidade de estados em função do grau de confinamento e concentração de impurezas para poços e fios quânticos. Sâo estudadas as propriedades eletrônicas das super-redes sob campo magnético transversal à direção de crescimento. Mostra-se que esta configuração é ideal para o estudo das características básicas das super-redes: a estrutura de mini bandas e o tunelamento. Calculam-se as sub-bandas de condução utilizando a teoria de massa efetiva de muitas bandas. Introduz-se a idéia de massa efetiva renormalizada para barreiras semicondutoras. Comparam-se os resultados com dados experimentais de ressonância ciclotrônica. A ótima concordância obtida demonstra a grande importância e a utilidade do conceito de massa efetiva renormalizada para barreiras semicondutoras, que é uma maneira nova e simples de lidar com as soluções evanescentes. / This thesis is composed of contributions to the theory of electronic properties of semicon ductor heterostructures. Electronic properties of the basic two heterostructures (quantum well and superlattice) are investigated. A quantum well doped with shallow impurities is considered and its electronic properties are studied in both limits: lightly and heavily doped. In the first case a Monte Carlo simula tion technique is used. A semiclassical impurity band model is used . The electron-electron interaction is included exactly and properties of the ground state such as the density of single particle states, the charge distribution, the Fermi energy and the electric field di tribution on the neutra/ donors are calculated, all of them as a function of the degree of compensation, the impurity concentration and the width of the well. A great dependency with the compensation is observed. The results are explained by the competition between the effects of disorder and confinement. The existence of a Coulomb Gap is verified . The charge distribution is shown to have a width and decay rate given by the degree of compensation and impurity concentration, in this order. Such results are important to characterize pure quantum wells. On the heavily doped limit, a disordered tight-binding model is used and the density of states that is formed by the overlapping of localized states is calculated by using the method of Matsubara and Toyosawa for the configuration average. The diagonal disord er effect introduced by the confinement potential is considered and compared to that of the non diagonal disorder. Results of the density of states as a function of the degree of confinement and impurity concentration for quantum wells and wires are presented. The electronic propertie s of a superlattice under a magnetic field which is transversal to the growth direction are studied. Jt is shown that this configuration is id eal for the study of the basic characteristics of the superlattices: the subband structure and the tunneling. The conduction subbands are calculated by using the theory of many bands effective mass. The idea of renormalized effective mass for barriers is introduced. The obtained level spacings are compared with cyclotron resonance experimental data (infrared absorption). The good agreement obtained demonstrates the importance and usefulness of the renormalized effective mass, which is a new and simple way to handle evanescent waves.
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Contribuições á física das propriedades eletrônicas das heteroestruturas semicondutoras / Contributions to the physics of the electronic properties of the semiconductor heterostructuresErasmo Assumpção de Andrada e Silva 13 December 1990 (has links)
Esta tese compõe-se de contribuições à física das propriedades eletrônicas das heteroestruturas semicondutoras. São investigadas propriedades eletrônicas das duas heteroestruturas básicas: o poço quântico e a super-rede. Considera-se o poço quântico dopado com impurezas rasas e estudam-se as suas propriedades eletrônicas nos regimes de poço fraca e altamente dopado. No caso de baixa densidade de impurezas é feita uma simulação Monte Carlo. É utilizado um modelo semi-clássico de band de impureza. A interação elétron-elétron é incluída de forma exata e são calculadas as seguintes propriedades do estado fundamental à temperatura zero: densidade de estados de uma partícula, distribuição de carga, energia de Fermi e distribuição do campo elétrico sobre os doadores neutros, todas em função do grau de compensação, da densidade de impurezas e da largura do poço. É observada uma. grande dependência com a compensação. Os resultados são explicados à luz da competição entre os efeitos de desordem e confinamento. É observada a ocorrência de Coulomb Gap característico de sistemas bidimensionais. Mostra-se que a. distribuição de carga possui largura e constante de decaimento determinados independentemente pela compensação e pela concentração de impurezas, respectivamente. Tais resultados são importantes para a caracterização de poços quânticos puros. No limite altamente dopado parte-se de um modelo light-binding desordenado e calculase a densidade de estados de uma partícula formada devido ao overlapping entre os estados localizados; utiliza-se o método de Matsubara e Toyosawa. para a obtenção da média sobre configurações. Discutem-se os efeitos da desordem diagonal introduzida pelo potencial de confinamento os quais são comparados com os da. desordem não-diagonal. São apresentados resultados para a densidade de estados em função do grau de confinamento e concentração de impurezas para poços e fios quânticos. Sâo estudadas as propriedades eletrônicas das super-redes sob campo magnético transversal à direção de crescimento. Mostra-se que esta configuração é ideal para o estudo das características básicas das super-redes: a estrutura de mini bandas e o tunelamento. Calculam-se as sub-bandas de condução utilizando a teoria de massa efetiva de muitas bandas. Introduz-se a idéia de massa efetiva renormalizada para barreiras semicondutoras. Comparam-se os resultados com dados experimentais de ressonância ciclotrônica. A ótima concordância obtida demonstra a grande importância e a utilidade do conceito de massa efetiva renormalizada para barreiras semicondutoras, que é uma maneira nova e simples de lidar com as soluções evanescentes. / This thesis is composed of contributions to the theory of electronic properties of semicon ductor heterostructures. Electronic properties of the basic two heterostructures (quantum well and superlattice) are investigated. A quantum well doped with shallow impurities is considered and its electronic properties are studied in both limits: lightly and heavily doped. In the first case a Monte Carlo simula tion technique is used. A semiclassical impurity band model is used . The electron-electron interaction is included exactly and properties of the ground state such as the density of single particle states, the charge distribution, the Fermi energy and the electric field di tribution on the neutra/ donors are calculated, all of them as a function of the degree of compensation, the impurity concentration and the width of the well. A great dependency with the compensation is observed. The results are explained by the competition between the effects of disorder and confinement. The existence of a Coulomb Gap is verified . The charge distribution is shown to have a width and decay rate given by the degree of compensation and impurity concentration, in this order. Such results are important to characterize pure quantum wells. On the heavily doped limit, a disordered tight-binding model is used and the density of states that is formed by the overlapping of localized states is calculated by using the method of Matsubara and Toyosawa for the configuration average. The diagonal disord er effect introduced by the confinement potential is considered and compared to that of the non diagonal disorder. Results of the density of states as a function of the degree of confinement and impurity concentration for quantum wells and wires are presented. The electronic propertie s of a superlattice under a magnetic field which is transversal to the growth direction are studied. Jt is shown that this configuration is id eal for the study of the basic characteristics of the superlattices: the subband structure and the tunneling. The conduction subbands are calculated by using the theory of many bands effective mass. The idea of renormalized effective mass for barriers is introduced. The obtained level spacings are compared with cyclotron resonance experimental data (infrared absorption). The good agreement obtained demonstrates the importance and usefulness of the renormalized effective mass, which is a new and simple way to handle evanescent waves.
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