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Search results

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1

Modèle analytique à une dimension du transistor MOSFET de puissance prenant en compte les interactions thermoélectriques /

Lallement, Christophe. January 1994 (has links)
Th. doct.-ing.--Electronique et communications--Paris--ENST, 1993. / Résumé en français et en anglais. Notes bibliogr.
2

CARACTERISATION DE STRUCTURES MOS SUBMICRONIQUES ET ANALYSE DE DEFAUTS INDUITS PAR IRRADIATION GAMMA. EXTRAPOLATION AUX DEFAUTS INDUITS DANS LES OXYDES DE CHAMP DES TRANSISTORS BIPOLAIRES /

Bakhtiar, Hazri. CHARLES, JEAN PIERRE.. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : SCIENCES ET TECHNIQUES : Metz : 1999. / 1999METZ034S. 49 ref.
3

Etude, fabrication et propriétés de transport de transistors CMOS associant un diélectrique haute permittivité et un canal de conduction haute mobilité

Weber, Olivier Ducroquet, Frédérique. January 2006 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2005. / Titre provant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 183-197.
4

Alimentation d'un moteur synchrone autopiloté par transistors MOS de puissance : : régulation de vitesse.

Mouedin, Mohamed el-, Unknown Date (has links)
Th. 3e cycle--Génie électrique--Nancy--I.N.P.L., 1984.
5

Réalisation et analyse-caractérisation de dispositifs MOS à diélectrique de grille Ta2O5

Chanelière, Christophe Balland, Bernard. January 1999 (has links)
Thèse de doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 1999. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 169-193. Publications de l'auteur p. 195-196.
6

Caractérisations électriques et physico-chimiques des oxydes sur Carbure de Silicium application à une technologie MOSFETs /

Ekoue, Adamah Guillot, Gérard January 2004 (has links)
Thèse de doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 221-230.
7

Extraction des paramètres et domaine de validité du modèle d'un composant de puissance

Mi, Wei Morel, Hervé. January 2004 (has links)
Thèse de doctorat : Génie électrique : Villeurbanne, INSA : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.143-146.
8

Caractérisation électrique en commutation de diodes haute tension en carbure de silicium

Risaletto, Damien Morel, Hervé. Raynaud, Christophe. January 2008 (has links)
Thèse doctorat : Electronique. Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 115-119.
9

Étude du couplage actif entre deux lignes microbandes sur semiconducteur et son application en hyperfréquences.

Ahmed, Ahmed Abdelnazir, Unknown Date (has links)
Th. doct.-ing.--Électron.--Toulouse--I.N.P., 1983. N°: 271.
10

Contribution à la modélisation électro-thermique de la cellule de commutation MOSFET-Diode

Garrab, Hatem Morel, Hervé. January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2003. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.

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