Photo-resist stripping with DI/O3 in semiconductor device manufacturing process chemistry and analytical aspects

Description

Univ., Diss., 2010--Frankfurt (Main). / Dt. Übers. des Hauptsacht.: Entfernung von Fotolacken mit DI/O3 in der Halbleiterfertigung. Zeichendarst. im Hauptsacht. teilw. nicht vorlagegemäß wiedergegeben.

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1. http://publikationen.ub.uni-frankfurt.de/volltexte/2010/7446/

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/602794757
Creators	Guder, Mathias.
Source Sets	OCLC
Language	German
Detected Language	German