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Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung

Bochum, Universiẗat, Diss., 2001.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/76391093
Date January 2001
CreatorsSchulz, Thomas.
Publisher[S.l. : s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman

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