Phénomènes de relaxation des porteurs libres dans le silicum de types p et n : contribution des transitions interbandes à la conductivité du p-Si dans le domaine des ondes millimétriques et de l'infrarouge lointain.

Description

Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1980. N°: 504.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36086113x

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464901825
Date	January 1900
Creators	Vindevoghel, Jean,
Publisher	[S.l. : s.n.,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French