Return to search

Étude de dispositifs électroniques en silicium amorphe hydrogéné sous fort champ électrique : application à la détection nucléaire /

Th. univ.--Phys.--Paris 11, 1996. / Bibliogr. p. 253-259. Résumé en français et en anglais.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/463935878
Date January 1996
CreatorsIlie, Adelina.
PublisherGif-sur-Yvette : Direction de l'information scientifique et technique, CEA Saclay,
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

Page generated in 0.0019 seconds