Nos últimos anos, os sistemas integrados em silício (SOCs - Systems-on-Chip) têm se tornado menos imunes a ruído, em decorrência dos ajustes necessários na tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Silicon) para garantir o funcionamento dos transistores com dimensões nanométricas. Dentre tais ajustes, a redução da tensão de alimentação e da tensão de limiar (threshold) tornam os SOCs mais suscetíveis a falhas transientes, principalmente aquelas provocadas pela colisão de partículas energéticas que provêm do espaço e encontram-se presentes na atmosfera terrestre. Quando uma partícula energética de alta energia colide com o dreno de um transistor que está desligado, ela perde energia e produz pares elétron-lacuna livres, resultando em uma trilha de ionização. A ionização pode gerar um pulso transiente de tensão que pode ser interpretado como uma mudança no sinal lógico. Em um circuito combinacional, o pulso pode propagar-se até ser armazenado em um elemento de memória. Tal fenômeno é denominado Single-Event Transient (SET). Como a tendência é que as dimensões dos dispositivos fabricados com tecnologia CMOS continuem reduzindo por mais alguns anos, a ocorrência de SETs em SOCs operando na superfície terrestre tende a aumentar, exigindo a adoção de técnicas de tolerância a falhas no projeto de SOCs. O presente trabalho tem por objetivo avaliar circuitos somadores tolerantes a falhas transientes encontrados na literatura. Duas arquiteturas de somadores foram escolhidas: Ripple Carry Adder (RCA) e Binary Signed Digit Adder (BSDA). O RCA foi escolhido por ser o tipo de somador de menor custo e por isso, amplamente utilizado em SOCs. Já o BSDA foi escolhido porque utiliza o sistema numérico de dígito binário com sinal (Binary Signed Digit – BSD). Por ser um sistema de representação redundante, o uso de BSD facilita a aplicação de técnicas de tolerância a falhas baseadas em redundância de informação. Os somadores protegidos avaliados foram projetados com as seguintes técnicas: Redundância Modular Tripla (Triple Modular Redundancy - TMR) e Recomputação com Entradas e Saídas Invertidas (RESI), no caso do RCA, e codificação 1 de 3 e verificação de paridade, no caso do BSDA. As 9 arquiteturas de somadores foram simuladas no nível elétrico usando o Modelo Tecnológico Preditivo (Predictive Technology Model - PTM) de 45nm e considerando quatro comprimentos de operandos: 4, 8, 16 e 32 bits. Os resultados obtidos permitiram quantificar o número de transistores, o atraso crítico e a potência média consumida por cada arquitetura protegida. Também foram realizadas campanhas de injeção de falhas, por meio de simulações no nível elétrico, para estimar o grau de proteção de cada arquitetura. Os resultados obtidos servem para guiar os projetistas de SOCs na escolha da arquitetura de somador tolerante a falhas mais adequada aos requisitos de cada projeto. / In the past recent years, integrated systems on a chip (Systems-on-chip - SOCs) became less immune to noise due to the adjusts in CMOS technology needed to assure the operation of nanometric transistors. Among such adjusts, the reductions in supply voltage and threshold voltage make SOSs more susceptible to transient faults, mainly those provoked by the collision of charged particles coming from the outer space that are present in the atmosphere. When a heavily energy charged particle hits the drain region of a transistor that is at the off state it produces free electron-hole pairs, resulting in an ionizing track. The ionization may generate a transient voltage pulse that can be interpreted as a change in the logic signal. In a combinational circuit, the pulse may propagate up to the primary outputs and may be captured by the output storage element. Such phenomenon is referred to as Single-Event Transient (SET). Since it is expected that transistor dimensions will continue to reduce in the next technological nodes, the occurrence of SETs at Earth surface will increase and therefore, fault tolerance techniques will become a must in the design of SOSs. The present work targets the evaluation of transient fault-tolerant adders found in the literature. Two adder architectures were chosen: the Ripple-Carry Adder (RCA) and the Binary Signed Digit Adder (BSDA). The RCA was chosen because it is the least expensive and therefore, the most used architecture for SOS design. The BSDA, in turn, was chosen because it uses the Binary Signed Digit (BSD) system. As a redundant number system, the BSD paves the way to the implementation of fault-tolerant adders using information redundancy. The evaluated fault-tolerant adders were implemented by using the following techniques: Triple Module Redundancy (TMR) and Recomputing with Inverted Inputs and Outputs (RESI), in the case of the RCA, and 1 out of 3 coding and parity verification, in the case of the BSDA. A total of 9 adder architectures were simulated at the electric-level using the Predictive Technology Model (PTM) for 45nm in four different bitwidths: 4, 8, 16 and 32. The obtained results allowed for quantifying the number of transistors, critical delay and average power consumption for each fault-tolerant architecture. Fault injection campaigns were also accomplished by means of electric-level simulations to estimate the degree of protection of each architecture. The results obtained in the present work may be used to guide SOS designers in the choice of the fault-tolerant adder architecture that is most likely to satisfy the design requirements.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:lume56.ufrgs.br:10183/49071 |
| Date | January 2011 |
| Creators | Franck, Helen de Souza |
| Contributors | Reis, Ricardo Augusto da Luz, Guntzel, Jose Luis Almada |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul, instacron:UFRGS |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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