[pt] No presente trabalho de tese, se faz uma avaliação de
moduladores de
amplitude baseados no efeito de electro-absorção. As
estruturas usadas para a
fabricação dos dispositivos foram estruturas com poços
quânticos múltiplos de
InAlAs/InGaAs e AlGaAs/GaAs. As estruturas de
InAlAs/InGaAs foram
projetadas para trabalhar na faixa comercial das
telecomunicações (1.55 µm).
Por isto a importância de aperfeiçoar os parâmetros de
desempenho do
dispositivo, tais como Stark shift, chirp, razão de
contraste, perda por inserção,
entre outros. Um estudo sistemático prévio destas
estruturas foi realizado por
Pires [Pires,1998]. Ele propõe variar a concentração de
gálio na liga para
produzir uma leve tensão na estrutura e modificar desta
forma as propriedades
ópticas do material. O estudo de [Pires,1998] propôs uma
faixa de valores para
variar a concentração de gálio (entre 46 por cento e 52 por cento) onde
pode ser encontrada a
melhor condição de operação do dispositivo. Cabe a esta
tese aprofundar o
estudo nesta faixa de valores, e decidir os parâmetros
mais adequados para
operação. No referente às estruturas de AlGaAs/GaAs, se
toma como partida
uma proposta teórica de [Batty et al, 1993], e estudada
posteriormente por
[Tribuzy, 2001], onde se sugere usar finas camadas de
dopagem delta nos
poços de GaAs para melhorar o deslocamento Stark em 87%
para um campo
aplicado de 40 kV/cm. O dispositivo foi desenhado e
fabricado, obtendo-se um
valor de 78 por cento para o mesmo campo aplicado, resultado
relevante, pois é a
verificação experimental de uma proposta teórica. / [en] In this thesis work, is made an evaluation of modulators of
amplitude based
in the electrum-absorption effect. The structures used for
the devices were
multiple quantum wells of InAlAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs.
The structures of
InAlAs/InGaAs are used to work in the commercial band of the
telecommunications (1,55 µm). This is the reason it is
important to optimize the
parameters of performance of the device, such as the Stark
shift, chirp, contrast
reason, insertion loss, etc. Previously, a systematic study
of these structures was
made by [Pires, 1998], the gallium concentration was varied
to produce a strain in
the structure and to modify the optic properties of the
material. In the study of
[Pires, 1998] considered the Gallium concentration was
varied between 46 percent and
52 percent in which range the best condition to operate the device
can be found. This is
part of the work here presented. In this thesis this range
of values was studied in
more detail. For the structures of AlGaAs/GaAs, a
theoretical proposal of [Batty et
al, 1993] was experimentally investigated. It was suggested
a nipi structure to
use a fine delta doped in the GaAs wells, this delta
doped will improve in 87 percent
the Stark shift for a field of 40 KV/cm. The device was
simulated and
manufactured, obtaining a value of 78 percent for the same field
applied, this is a
excellent result, because this confirm the theoretical
prediction.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:6857 |
| Date | 16 August 2005 |
| Creators | MARIA CRISTINA LOPEZ AREIZA |
| Contributors | PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | TEXTO |
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