[pt] Neste trabalho apresenta-se um estudo do comportamento
dinâmico de laser semicondutor modulado diretamente em
intensidade sob fracos e fortes sinais. Através da
utilização de dispositivo passivo (filtro supressor) e
ativo (FET de dupla porta) de microondas aplaina-se a
resposta em freqüência numa faixa em torno de 1,5 GHz.
Resultados medidos e modelados são comparados mostrando
boa concordância. / [en] This work presents a study of the dynamic behaviour of a
semiconductor laser under small and large signal direct
intensity modulation. A flat frequency response can be
obtained in a bandwidth of around 1,5 GHz by using passive
(suppressor filter) and an active (dual-gate FET)
microwave device. The measured and modeled results are
compared showing good agreement.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:9469 |
| Date | 12 January 2007 |
| Creators | MARIA THEREZA MIRANDA ROCCO GIRALDI |
| Contributors | ALVARO AUGUSTO ALMEIDA DE SALLES |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
Page generated in 0.0018 seconds