[pt] As tecnologias envolvendo detectores de infravermelho são consideradas de
emprego dual, ou seja, podem ser empregadas tanto no meio civil quanto no
militar. No meio civil, tais detectores podem ser utilizados como meio auxiliar
na formulação de diagnósticos médicos, em inspeções de rotina nas indústrias,
no controle de pragas da agricultura etc.. E no meio militar os equipamentos envolvendo
detectores de infravermelho (visão noturna) são comumente empregados
em situações táticas, com o objetivo de se obter uma situação de vantagem
sobre o inimigo. Esta dissertação teve por objetivo avaliar de forma sistemática
o desempenho de detectores de infravermelho baseados na heteroestrutura de
poços quânticos múltiplos de InGaAs/InAlAs ao se variar a densidade do elemento
dopante (silício) no poço. Em um reator do tipo MOVPE foi realizado
o crescimento epitaxial das heteroestruturas que foram caracterizadas de acordo
com as técnicas de difração de raios X, efeito Hall, fotoluminescência e absorção.
Em seguida, elas foram processadas, tomando forma de dispositivo. A partir da caracterização do dispositivo final, com base nas principais figuras de mérito de um
fotodetector (corrente de escuro, fotocorrente, responsividade e detectividade),
foi possível obter conclusões importantes a respeito da influência da dopagem em
poços quânticos no desempenho de fotodetectores do tipo QWIPs (Quantum Well
Infrared Photodetectors). / [en] Infrared detectors are considered of dual employment technologies, ie they can
be employed both in the civilian and military environment. With respect to the
civilian environment, such detectors can be used, among other applications, as an
auxiliary device in the formulation of medical diagnoses, on the routine inspection
in industries, in pests control in agriculture and so on. Military applications
involving infrared detectors (night vision) are commonly tactical situations, when
they are employed in order to get an advantage over the enemy. The main
motivation of the present work is the systematical evaluation of the performance
of infrared detectors based on the multiple quantum wells heterostructure of
InGaAs /InAlAs, varying the density of the doping element (silicon) into the
well. The epitaxial growth of the heterostructures was performed in a MOVPE
reactor. Afterwards, they were characterized in accordance with X-ray diffraction,
Hall effect, photoluminescence and absorption techniques. Finally, they were
processed, achieving a devices form. Based on the characterization of the final
device, that took into consideration the key figures of merit of a photodetector
(dark current, photocurrent, responsivity and detectivity), it was possible to
obtain important conclusions about the quantum well doping effects on the
QWIPs (Quantum Well Infrared Photodetectors) performance.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:21878 |
| Date | 15 August 2013 |
| Creators | BARBARA PAULA FIGUEROA PRALON |
| Contributors | PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | TEXTO |
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