Orientador: Elidiane Cipriano Rangel / Banca: Luciana Sgarbi Rossino / Banca: José Humberto da Silva / Resumo: O composto acetilacetonato de alumínio, AAA, é normalmente utilizado para sintetizar filmes de alumina pelo método de deposição química de vapor (Chemical Vapor Deposition, CVD). Estudos recentes têm demonstrado também a possibilidade de se criar filmes à base de alumínio a partir do sputtering reativo deste composto em plasmas de radiofrequência de misturas de argônio e oxigênio. O objetivo do presente trabalho foi avaliar a possibilidade de utilizar tensão contínua pulsada, DC, diferentemente dos relatos da literatura, para depositar filmes à base de Al pelo sputtering reativo do AAA. Esta proposta é justificada pelo fato da excitação com tensão contínua pulsada na configuração elétrica aqui empregada, permitir o simultâneo aquecimento do composto precursor e das amostras, ao mesmo tempo em que proporciona o estabelecimento do plasma. Além de favorecer a criação de estrutura estequiométrica, pela remoção de orgânicos, o aquecimento pode possibilitar a precipitação de fases cristalinas da alumina. Para realização deste trabalho foi utilizado um reator capacitivamente acoplado em que o pó do AAA foi acondicionado no centro do eletrodo inferior e os substratos acomodados ao seu redor. O plasma foi estabelecido pela aplicação de sinal DC pulsado (-300 à -400 V, 20 kHz, pulsos 48/50 µs) no único eletrodo (porta amostras) enquanto toda a carcaça e tampa superior permaneceram aterrados. Foram investigadas duas diferentes condições. A primeira avaliou-se o efeito da potência do sin... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The aluminum acetylacetonate compound, AAA, is usually used to synthesize alumina films by the chemical vapor deposition method (CVD). Recent studies have also demonstrated the possibility of creating aluminum-based films from the reactive sputtering of this compound in radiofrequency plasmas of argon and oxygen mixtures. The purpose of the present study was to evaluate the possibility of using pulsed DC voltage, another the literature reports, to deposit Al based films by AAA reactive sputtering. This proposal is justified by the fact that pulsed continuous voltage excitation in the electrical configuration employed here allows the simultaneous heating of the precursor compound and samples, while providing the establishment of the plasma. In addition to favoring the creation of a stoichiometric structure, by the removal of organic, the heating may allow the precipitation of crystalline phases of the alumina. To perform this work, a capacitively coupled reactor was used in which the AAA powder was conditioned at the center of the lower electrode and the substrates accommodated around it. Plasma was established by applying pulsed DC signal (-300 to -400 V, 20 kHz, pulses 48/50 μs) on the single electrode (sample holder) while the entire housing and top cover remained grounded. Two different conditions were investigated. The first one evaluated the effect of plasma excitation signal power, P, varied from 200 to 500 W and the effect of time, t, on films produced with plasma (200... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre
| Identifer | oai:union.ndltd.org:UNESP/oai:www.athena.biblioteca.unesp.br:UEP01-000914777 |
| Date | January 2019 |
| Creators | Blanco, Ricardo Rodrigues. |
| Contributors | Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências (FC) |
| Publisher | Bauru, |
| Source Sets | Universidade Estadual Paulista |
| Language | Portuguese, Portuguese, Texto em português; resumos em português e inglês |
| Detected Language | English |
| Type | text |
| Format | 77 f. : |
| Relation | Sistema requerido: Adobe Acrobat Reader |
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