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Estudos dos efeitos da radiação gama nas propriedades ópticas dos íons Eu3+ em géis de sílica

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Previous issue date: 2002 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Este trabalho teve como objetivo estudar os efeitos da radiação y nos géis de
sílica dopados com o íon Eu3+ preparados a partir do processo sol- gel. Particularmente
nosso interesse foi estudar os efeitos da radiação y nas propriedades de emissão do íon
Eu3+ presente nestes géis, a fim de verificar se é possível utilizar tais géis como
dosímetro para radiação y.
As amostras de géis de sílica dopados com o íon Eu3+ preparados a partir do
processo sol-gel foram obtidas na forma de um monólito. Algumas destas amostras
foram submetidas à radiação g da maneira que foram obtidas, ou seja, sem tratamento
térmico, enquanto que outras amostras foram tratadas termicamente a temperaturas de
200 e 800oC, e só depois submetidas à radiação y. A caracterização destas amostras foi
realizada por meio de espectroscopia no infravermelho, análise térmica diferencial
(DTA), análise termogravimétrica (TGA), espectroscopia de emissão e medidas de
tempo de vida.
As análises de espectroscopia de infravermelho e de TGA indicaram que a
radiação y pode promover a eliminação de moléculas de água absorvidas aos géis secos
à temperatura ambiente. Esta eliminação de moléculas de água nestas amostras deve
ocorrer por meio de reações de radiólise.
A análise de espectroscopia de emissão e as medidas de tempo de vida dos géis
de sílica dopados com o íon Eu3+, sem tratamento térmico e tratados termicamente a 200
e 800oC, mostraram que a radiação y praticamente não altera as propriedades de emissão
do íon Eu3+ nos géis secos a temperatura ambiente (ou seja, géis sem tratamento
térmico), e nos géis tratados termicamente a 200oC. No entanto, para os géis tratados
termicamente a 800oC a radiação y provocou uma diminuição nas intensidades emissão
do íon Eu3+, e nos valores dos tempos de vida deste íon, o que indica que as
propriedades de emissão do íon Eu3+ foram alteradas por meio da radiação y. Nós
sugerimos que as diminuições nas intensidades das transições e nos tempo de vida são
devidas a centros de defeitos que provavelmente são produzidos, por meio da radiação
y, nos géis de sílica tratados a 800oC, e que de alguma forma suprimem a luminescência
do íon Eu3+. Pode-se dizer que a constatação de que a radiação g alterou as propriedades de
emissão do íon Eu3+ nos géis de sílica tratados termicamente a 800oC foi o passo inicial
do estudo sobre o efeito da radiação y nestes géis. No entanto, são necessários mais
estudos com estes géis para que se possa verificar a sua possível utilização como
dosímetro para radiação y

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufpe.br:123456789/8532
Date January 2002
CreatorsGonzaga Pedrosa, Gilmara
ContributorsMendes de Azevedo, Walter
PublisherUniversidade Federal de Pernambuco
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Repositório Institucional da UFPE, instname:Universidade Federal de Pernambuco, instacron:UFPE
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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