Return to search

Μετρήσεις χαρακτηριστικών ρεύματος τάσης φωτοβολταϊκών πλαισίων μονοκρυσταλλικού Si υπό πραγματικές συνθήκες

Σκοπός αυτής της διπλωματικής εργασίας είναι να εμβαθύνουμε στη
λειτουργία φωτοβολταϊκού πλαισίου μονοκρυσταλλικού πυριτίου και μέσα από
τα αριθμητικά δεδομένα των μετρήσεων και των υπολογισμών, να
αποφανθούμε πώς η λειτουργία σε πραγματικές συνθήκες μπορεί να επηρεάσει
την παραγόμενη ισχύ του.
Στα πλαίσια αυτά, πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις ρεύματος και τάσης, στο
χώρο του τμήματος των Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας
Υπολογιστών, με φωτοβολταϊκό πλαίσιο μονοκρυσταλλικού πυριτίου ισχύος
αιχμής 80 W. Οι μετρήσεις γίνονταν μια φορά την εβδομάδα κατά τη διάρκεια
ενός έτους περίπου (2008-2009) και στόχος ήταν να διεξαχθούν μετρήσεις υπό
διάφορες συνθήκες ακτινοβολίας και θερμοκρασίας και για αρκετές γωνίες
κλίσης ώστε να αποκτήσουμε μια ολοκληρωμένη εικόνα της ενεργειακής του
συμπεριφοράς.
Στη διάρκεια των μετρήσεων αλλάζαμε την τιμή ενός μεταβλητού
φορτίου, για να πάρουμε τη χαρακτηριστική ρεύματος τάσης του συγκεκριμένου
πλαισίου και επιπλέον σημειώναμε την ακτινοβολία, τη θερμοκρασία του
περιβάλλοντος, του κυττάρου και της πίσω όψης του, καθώς και της κλίσης
τοποθέτησης. Ακόμα ελέγχαμε πώς επηρεάζει τη χαρακτηριστική καμπύλη I-V,
και κατά συνέπεια την απόδοση, τυχόν φυσική σκίαση από παρακείμενο
αντικείμενο. Ο προσανατολισμός των πλαισίων ήταν πάντα προς το Νότο, ώστε
να έχουμε περισσότερες ώρες ηλιοφάνειας, μίας και η Ελλάδα είναι χώρα του
βόρειου ημισφαιρίου.
Κατά την επεξεργασία των μετρήσεων καταλήξαμε στην βέλτιστη κλίση
τοποθέτησης του πλαισίου ανά εποχή και είδαμε πως η ακτινοβολία επιδρά
θετικά στην απόδοση του σε αντίθεση με τη θερμοκρασία του κυττάρου που τη
μειώνει όταν αυτή αυξάνεται. Τέλος, έγινε μια σύγκριση των τιμών που δίνει ο
κατασκευαστής σε εργαστηριακό περιβάλλον με τις τιμές των μετρήσεων για να
διαπιστώσουμε τις απώλειες που έχουμε όταν το μονοκρυσταλλικό πλαίσιο
λειτουργεί σε πραγματικές συνθήκες. / The aim of this diploma thesis is to take a better look at the operation
of a monocrystalline silicon photovoltaic module and through the numerical
data of measurements and the calculations, to come to a conclusion about how
the operation in real conditions can influence his produced power.
Measurements of current and tendency have been made in the area of
the department of Electrical and Computer Engineering using a
monocrystalline silicon photovoltaic module of peak power 80 W. The
measurements took place once a week for about a year (2008-2009) and our
goal was to obtain measurements under various conditions of radiation and
temperature and for some angles of bent so that we acquire a completed
picture of its energy behavior.
During the measurements we changed a variable load, in order to form
the characteristic curve of current and tendency of the module and we also
noted down the radiation, the environmental, the cell and the back side
temperature of the module, as well as the bent of placement. Moreover, we
checked how a possible natural shading from an adjacent object influences the
characteristic I-V curve, and as a result the efficiency of the module. The
orientation of the module was always South, in order to gain more hours of
sunlight, since Greece is a country of the northern hemisphere.
While processing the measurements, we found the optimal bent of
placement per season for the module and we saw that the radiation affects
positively its efficiency contrary to the cell temperature that decreases the
efficiency when increased. Finally, we compare the electrical specifications in
laboratorial environment that the constructor gives, with the measurements in
order to realise the losses that we have when the monocrystalline module
functions in real conditions.

Identiferoai:union.ndltd.org:upatras.gr/oai:nemertes:10889/2562
Date19 January 2010
CreatorsΣυγκρίδου, Δήμητρα
ContributorsΠερράκη, Βασιλική, Sygkridou, Dimitra, Περράκη, Βασιλική, Σώρρας, Κωνσταντίνος
Source SetsUniversity of Patras
Languagegr
Detected LanguageGreek
TypeThesis
Rights0

Page generated in 0.0025 seconds