Return to search

Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

No description available.

1. Боголюбский А. С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 / А. С. Боголюбский ; [Место защиты: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина]. — Екатеринбург, 2022. — 25 с. — Библиогр.: с. 22-25 (40 назв.).
2. http://elar.urfu.ru/handle/10995/118990

Identifer	oai:union.ndltd.org:urfu.ru/oai:elar.urfu.ru:10995/118990
Date	January 2022
Creators	Боголюбский, А. С.
Contributors	Гудина, С. В.
Publisher	б. и.
Source Sets	Ural Federal University
Language	Russian
Detected Language	Russian
Type	Thesis
Rights	Предоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензии, http://elar.urfu.ru/handle/10995/31613