Return to search

Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

No description available.

1. Боголюбский А. С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 / А. С. Боголюбский ; [Место защиты: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина]. — Екатеринбург, 2022. — 94 с. — Библиогр.: с. 87-94 (122 назв.).
2. http://elar.urfu.ru/handle/10995/118991

Identifer	oai:union.ndltd.org:urfu.ru/oai:elar.urfu.ru:10995/118991
Date	January 2022
Creators	Боголюбский, А. С.
Contributors	Гудина, С. В.
Publisher	б. и.
Source Sets	Ural Federal University
Language	Russian
Detected Language	Russian
Type	Thesis
Format	application/pdf
Rights	Предоставлено автором на условиях простой неисключительной лицензии, http://elar.urfu.ru/handle/10995/31613