単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

Description

科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤 博基 研究期間:2001-2004年度

Links & Downloads

1. http://hdl.handle.net/2237/13129

Tags

Conductive atomic force microscopy

Dielectric breakdown

Gate SiO_2 Films

HfO_2

La_2O_3- Al_2O_3複合膜

MOSキャパシタ

Metal-oxide-Semiconductor

Metal-oxide-Semiconductor(MOS)

Scanning tunneling microscopy(STM)

Scanning tunneling spectroscopy(STS)

Stress induced leakage current

ゲートSiO_2膜

ゲート絶縁膜

ストレス誘起リーク電流

ストレス誘起欠陥

極薄シリコン酸化膜

絶縁破壊

走査トンネル分光

走査プローブ顕微鏡

走査型トンネル顕微鏡

透過電子顕微鏡

金属酸化膜

電気伝導特性

電流スポット

電流検出型原子間力顕微鏡

電荷トラップ

高誘電率ゲート絶縁膜

高誘電率材料

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:NAGOYA/oai:ir.nul.nagoya-u.ac.jp:2237/13129
Date	04 1900
Creators	近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也
Source Sets	Nagoya University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	Research Paper