Στην παρούσα διπλωματική εργασία θα ασχοληθούμε με το πρόβλημα της αξιοπιστίας των κρυφών μνημών δεδομένων και εντολών πρώτου επιπέδου. Η υψηλή πυκνότητα ολοκλήρωσης και η υψηλή συχνότητα λειτουργίας των σύγχρονων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων έχει οδηγήσει σε σημαντικά προβλήματα αξιοπιστίας, που οφείλονται είτε στην κατασκευή, είτε στη γήρανση των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Στην παρούσα εργασία γίνεται αρχικά μια αποτίμηση της μείωσης της απόδοσης των κρυφών μνημών πρώτου επιπέδου όταν εμφανίζονται μόνιμα σφάλματα για διαφορετικές τεχνολογίες ολοκλήρωσης. Στη συνέχεια παρουσιάζεται μια νέα τεχνική αντιμετώπισης της επίδρασης των σφαλμάτων, η οποία βασίζεται στη πρόβλεψη της χωρικής τοπικότητας των μπλοκ μνήμης που εισάγονται στις κρυφές μνήμες πρώτου επιπέδου. Η αξιολόγηση της εν λόγω τεχνικής γίνεται με τη χρήση ενός εξομοιωτή σε επίπεδο αρχιτεκτονικής. / In this thesis we will work on the problem of reliability of first-level data and instruction cache memories. Technology scaling improvement is affecting the reliability of ICs due to increases in static and dynamic variations as well as wear out failures. First of all, in this work we try to estimate the impact of permanent faults in first level faulty caches. Then we propose a methodology to mitigate this negative impact of defective bits. Out methodology based on prediction of spatial locality of the incoming blocks to cache memory. Finally using cycle accurate simulation we showcase that our approach is able to offer significant benefits in cache performance.
Identifer | oai:union.ndltd.org:upatras.gr/oai:nemertes:10889/7527 |
Date | 16 May 2014 |
Creators | Μαυρόπουλος, Μιχαήλ |
Contributors | Νικολός, Δημήτριος, Mavropoulos, Michail, Αλεξίου, Γεώργιος, Βέργος, Χαρίδημος, Νικολός, Δημήτριος |
Source Sets | University of Patras |
Language | gr |
Detected Language | Greek |
Type | Thesis |
Rights | 0 |
Relation | Η ΒΚΠ διαθέτει αντίτυπο της διατριβής σε έντυπη μορφή στο βιβλιοστάσιο διδακτορικών διατριβών που βρίσκεται στο ισόγειο του κτιρίου της. |
Page generated in 0.002 seconds