Ab-initio-Berechnung elektrischer Eigenschaften von Dielektrika für neuartige Gate-Isolator-Schichtsyteme zukünftiger MOSFETs

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Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2009

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/648766898
Date	January 2009
Creators	Plänitz, Philipp
Publisher	[Auerbach /Vogtl.] Verl. Wiss. Scripten
Source Sets	OCLC
Language	German
Detected Language	German