Ce document décrit les résultats de plusieurs études des dislocations dans les semiconducteurs, effectuées au cours de la période 2000-2005. Le premier chapitre se rapporte à la nucléation des dislocations à partir de défauts de surface, le second chapitre à la détermination de diverses propriétés des dislocations en massif. Enfin, le dernier chapitre concerne les dislocations de misfit à l'interface entre Si(001) et SiC.
Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00170884 |
Date | 23 June 2005 |
Creators | Pizzagalli, Laurent |
Publisher | Université de Poitiers |
Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
Language | French |
Detected Language | French |
Type | habilitation ࠤiriger des recherches |
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