Étude de la modification, contrôlée par grille isolée, de la vitesse de recombinaison en surface des transistors bipolaires, après avalanche de la jonction base-émetteur : applicabilité du phénomène à la réalisation de cellules mémoires non volatiles, reprogrammables électriquement.

Description

Th.--Sci. phys.--Bordeaux 1, 1978. N°: 600.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36079174n

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464856665
Date	January 1978
Creators	Dom, Jean-Paul,
Publisher	[S.l.],
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French