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Previous issue date: 2016-07-28 / Capes / Transistores bipolares de junção - TBJ possuem uma característica inerente à sua construção
física que é o fator de amplificação do sinal produzido, ou seja, amplificação da corrente. Fótons
de megavoltagem, ao interagirem com o material semicondutor são capazes de produzir o que
é chamado de fotocorrente, ao mesmo tempo em que provocam danos na estrutura cristalina do
transistor. O objetivo desta dissertação foi caracterizar o TBJ do tipo BC846 para feixes de
fótons de megavoltagem com a finalidade de entender o comportamento deste dispositivo para
que futuramente seja desenvolvido um novo método dosimétrico visando complementar os
métodos já existentes. O estudo concerniu em caracterizar um TBJ para se analisar como tal
dispositivo eletrônico pode ser utilizado como detector de radiação no modo ativo, isto é, em
mensurar em tempo real a dose, taxa de dose, dependência energética, e os efeitos direcional e
de tamanho de campo de irradiação. Os experimentos foram realizados utilizando um simulador
de placas de água sólida com o transistor posicionado no eixo central do feixe em uma
profundidade de 5 cm, tamanho de campo padrão, 10 x 10 cm², e uma distância fonte-superfície
de 100 cm. Os resultados mostram que o TBJ pode funcionar como detector em feixes de
radioterapia desde que seja obedecido certos critérios técnicos relacionados ao comportamento
elétrico do dispositivo antes e durante a irradiação. Uma perda percentual média de ±3% na
sensibilidade do dispositivo foi registrada após cada irradiação. Essa variação guarda uma
proporcionalidade com a dose absorvida e foi encontrada resposta semelhante mesmo com
transistores que possuem diferentes fatores de amplificação da corrente. / Bipolar Junction Transistor - BJT have a characteristic inherent to their physical construction,
which is the amplification factor of the produced signal, i.e., current amplification. Megavoltage
photons interacting with the semiconductor material are capable of producing what is called
photocurrent, while causing damage to the crystalline structure of the transistor. The aim of this
work was to characterize the BJT type BC846 for MV photon beams in order to understand the
behavior of this mechanism to be developed in the future a new dosimetric method to
complement existing methods. The study's concerned characterization of a BJT to be analyzed
as such electronic device may be used as a radiation detector in the active mode, i.e., measuring
in real time the dose, dose rate, energy dependence, and directional effects and size radiation
field. The experiments were performed using a solid water phantom with the transistor
positioned at the central axis of the beam at a depth of 5 cm, standard field size, 10 x 10 cm²,
and a source-surface distance of 100 cm. The results show that the BJT may function as a
detector in radiotherapy beam since certain technical criteria are met related to the electrical
behavior of the device before and during the irradiation. An average percentage loss of ± 3% in
the device sensitivity was recorded after each irradiation. This variation is in proportion to the
dose absorbed and one can see similar response even with transistors having different
amplification factors of the current.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufpe.br:123456789/18420 |
| Date | 28 July 2016 |
| Creators | SILVA, Malana Marcelina Almeida da |
| Contributors | SANTOS, Luiz Antônio Pereira dos |
| Publisher | Universidade Federal de Pernambuco, Programa de Pos Graduacao em Tecnologias Energeticas e Nuclear, UFPE, Brasil |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFPE, instname:Universidade Federal de Pernambuco, instacron:UFPE |
| Rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/, info:eu-repo/semantics/openAccess |
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