Return to search

Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models

En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de
transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and
surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I
del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius
es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en
funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del
canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte
desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques
2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al
simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de
circuits CMOS. / En esta tesis hemos desarrollado modelos compactos que incorporan un modelo de
transporte hidrodinámico adaptado a multi-gate (principalmente double-gate (DG) and
surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de modelos unificados de control de carga I
del potencial de superficie, obtenidos de la ecuación de Poisson. Todos estos dispositivos
se modelizan siguiendo un esquema similar. La corriente y cargas totales escriben en
función de las densidades de carga móvil por unidad de área en los extremos drenador y fuente del
canal. Los efectos de canal corto y cuánticos también se incluyen en el modelo compacto
desarrollado. El modelo desarrollado muestra un buen acuerdo con simulaciones numéricas
2D y 3D en todos los regímenes de operación. El modelo desarrollado se implementa y testea el
simulador de circuitos SMASH para el análisis de los comportamientos DC y transitorio de
circuitos CMOS.

Identiferoai:union.ndltd.org:TDX_URV/oai:www.tdx.cat:10803/111165
Date25 February 2013
CreatorsCheralathan, Muthupandian
ContributorsÍñiguez Nicolau, Benjamí, Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
PublisherUniversitat Rovira i Virgili
Source SetsUniversitat Rovira i Virgili
LanguageEnglish
Detected LanguageSpanish
Typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Format180 p., application/pdf
SourceTDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess, ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

Page generated in 0.0018 seconds