La tendance actuelle vers la miniaturisation des circuits électroniques a poussé vers ledéveloppement des systèmes sur puce (SoC : System on Chip) contenant plusieurs composants. Cescomposants réalisant des fonctions variées, ont besoin de différentes tensions d'alimentation fourniesà l'aide de plusieurs convertisseurs DC/DC connectés à l'alimentation du SoC. Actuellement, laplupart des circuits électroniques dans les applications portables contiennent des convertisseursDC/DC conventionnels utilisant une inductance pour stocker transitoirement l'énergie électrique.L'inductance étant un composant passif difficilement intégrable, ces convertisseurs sontconnectés à l'extérieur de la puce. Une alternative aux convertisseurs conventionnels est leconvertisseur à capacités commutés, qui a l'avantage d'être facilement intégrable sur silicium.Toutefois, il présente des limitations à cause de la dépendance du facteur de conversion avec lenombre de condensateurs. De plus, les pertes inhérentes à la charge et à la décharge descondensateurs font diminuer son rendement. Il est donc intéressant de trouver une nouvellealternative pour concevoir un convertisseur DC/DC compact et performant afin d'obtenir un circuitélectronique complètement intégrable sur silicium.Le sujet de cette thèse répond au besoin d'une nouvelle méthode de conversion DC/DCintégrable sur silicium et à haut rendement. L'idée est d'utiliser une capacité variable mécaniquementà la place d'une inductance pour stocker l'énergie électrique transitoire. Le condensateur variable serafabriqué par des procédés de fabrication de microsystème MEMS sur silicium ce qui permet d'intégrerla totalité du convertisseur.Dans ce mémoire, nous expliquons tout d'abord le principe et le fonctionnement d'un abaisseur etd'un élévateur de tension utilisant notre nouvelle approche. Par la suite, nous présentons laconception et la fabrication d'un MEMS adapté à la conversion de tension. Finalement, nousexpliquons notre méthode de contrôle utilisant une commutation à zéro de tension. Le rendement d'unélévateur 10V-20V obtenu par simulation est de l'ordre de 88% lorsque la gestion électrique estréalisée avec des composants discrets. Ce rendement très prometteur, devrait être amélioré dans lefutur lorsque tout le système sera intégré sur silicium.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00611128 |
| Date | 17 March 2011 |
| Creators | Ghandour, Sahar |
| Publisher | Université de Grenoble, UNIVERSITE DE GRENOBLE |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | fra |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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