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Simulation numérique et modélisation des propriétés des structures électroluminescentes à hétérojonctions multiples

PRESENTATION DES METHODES DE SIMULATIONS NUMERIQUES DES PHENOMENES DE TRANSPORT ET D'EMISSION RADIATIVE DES DISPOSITIFS COMPORTANT UN NOMBRE QUELCONQUE D'HETEROJONCTION. ETUDE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION. ANALYSE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES. ANALYSE DES COMPORTEMENTS DES DISPOSITIFS LIES AUX PROPRIETES DES MATERIAUX: ICI ON S'INTERESSE A GAAS-GA::(1-X)ALXAS. ANALYSE DE FACON APPROFONDIE DES PHENOMENES D'ELECTROLUMINESCENCE, QUI SONT LES FONDEMENTS DE TOUTE ETUDE DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS. ETUDE APPROCHEE DES PHENOMENES DE REFLEXION ET REABSORPTION

Identiferoai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00178832
Date19 September 1979
CreatorsMotawie, Ibrahim
PublisherUniversité Paul Sabatier - Toulouse III
Source SetsCCSD theses-EN-ligne, France
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypePhD thesis

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