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Caracterização de defeitos em semicondutores atraves de microscopia eletronica de varredura

Orientador: Antonio Celso Fonseca de Arruda / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:02:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1988 / Resumo: Este trabalho utiliza o Microscópio Eletrônico de Varredura (M.E.V) para o estudo de defeitos em materiais e dispositivos semicondutores. A operação do M.E.V. nos modos Catodoluminescência (CL) e coleção de carga ou EBIC (Electron Beam Induced Conductivity) permite caracterização precisa de dispositivos optoeletrônicos de GaAs/GaAlAs e também de células solares de Silício policristalino, tendo sido estabelecida uma correlação entra as etapas de fabricação e o desempenho final dos dispositivos de GaAs. Foi desenvolvido ainda um método de analise EBIC, denominado aqui EBIC-Quantitativo, aplicado para a obtenção de característica corrente-tensão I(v) de uma micro-região da amostra semicondutora iluminada pelo feixe de elétrons de M.E.V., de um modo análogo ao empregado na determinação da característica Fotovoltaica I(v) de células solares. Este método, associado aos demais modos de operação do M.E.V., possibilita o estudo das propriedades ópticas, elétricas e estruturais dos diversos defeitos presentes em semicondutores. / Abstract: The scanning Electron Microscope (S.E.M.) is an extremely versatile instrument wich can be applied for the characterization of a variety of materials, including metallic, ceramic and semiconductor specimens. I the latter case the energy band of semiconductor materials enables he operation of the instrument in the Cathodoluminescense (CL) and Electron Beam Induced Conductivity (EBIC) modes, providing a nondestructive method of examining semiconductors. Moreover, the EBIC and CL techniques are directly related to the electrical and optical properties of these materials. This work deals with the SEM-EBIC and CL characterization of defects of GaAs/GaAlAs optoelectronic devices and of polycrystalline Silicon solar cells. Defects such as dislocations, impurity and growth striations, compositional fluctuations and mechanical stresses at the interface of heterostructures (i.e. GaAs/GaAlAs and GaAs/SiO2) are qualitatively are quantitatively analysed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Mecânica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/264606
Date25 November 1988
CreatorsAssumpção, Roberto de Toledo, 1954-
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Arruda, Antonio Celso Fonseca de, 1948-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia de Campinas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format252f., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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