Return to search

Modellering av HEMT Mikrobølge effekttransistor / Microwave Power HEMT Transistor Modelling

<p>Arbeidet med oppgaven gikk ut på å studere ulike kalibreringsmetoder for nettverksanalysator, utarbeidelse av testkort med kalibreringskomponenter. Målinger av DC- og AC-oppførselen til transistoren, for så å benytte programmet Agilent ADS og TOM-modellen til å lage en datamodell for denne transistoren. Det ble også utarbeidet en metode for hvordan man kan gå frem for å utarbeide en datamodell for en transistor. Arbeidet resulterte i en transistormodell som viste tilsynelatende gode egenskaper, og en metode for utarbeidelse av transistormodeller som fungerte godt for den utvalgte transistoren i denne oppgaven.</p>

Identiferoai:union.ndltd.org:UPSALLA/oai:DiVA.org:ntnu-10311
Date January 2006
CreatorsSjue, Espen
PublisherNorwegian University of Science and Technology, Department of Electronics and Telecommunications, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon
Source SetsDiVA Archive at Upsalla University
LanguageNorwegian
Detected LanguageNorwegian
TypeStudent thesis, text

Page generated in 0.0018 seconds